一种显示面板及显示装置的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)，又称为有机电致发光器件，是指发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的器件。与液晶显示(lcd)装置相比，有机发光显示装置更轻薄，具有更好的视角和对比度等，因此受到了人们的广泛关注。
3.然而，有机发光显示面板的下边框位置经常出现各种不良，影响显示面板的可靠性，例如下边框部附近处于出现亮线、层裂或鼓泡等情况的发生。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本技术主要解决的技术问题是提供一种显示面板及显示装置，可以改善显示面板下边框位置出现不良的情况的发生。
5.为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，划分有显示区和非显示区，显示面板包括阵列基板、偏光片、平坦化层、阻隔层和挡墙，位于非显示区的阵列基板包括金属线；至少部分偏光片设置于阵列基板的出光侧的显示区；平坦化层位于阵列基板和偏光片之间；阻隔层位于平坦化层靠近阵列基板一侧；挡墙设置于阻隔层远离显示区的一端，用于阻挡平坦化层向阻隔层的靠近非显示区一侧延伸。
6.其中，挡墙背离阵列基板的一面高于平坦化层背离阵列基板的一面，或挡墙背离阵列基板的一面与平坦化层背离阵列基板的一面平齐，并使得平坦化层不溢出至挡墙。
7.其中，挡墙包括至少两个子挡墙，至少两个子挡墙自非显示区向显示区依次间隔排布，且至少两个子挡墙位于阻隔层背离阵列基板一面。
8.其中，部分平坦化层嵌设于至少部分至少两个子挡墙的间隙中。
9.其中，子挡墙的截面形状为梯形、倒梯形或斜四边形。
10.其中，阻隔层的至少部分区域位于非显示区，阻隔层设置若干凹槽，凹槽位于挡墙靠近显示区之间，部分平坦化层嵌设于凹槽中。
11.其中，阻隔层和挡墙为一体无机沉积层。
12.其中，显示面板还包括封装层，封装层包括第一无机层和第二无机层，第一无机层和第二无机层层叠设置于显示区，第一无机层位于第二无机层和阵列基板之间；阻隔层和挡墙为第一无机层延伸至非显示区的延伸层。
13.其中，阻隔层和挡墙为第二无机层延伸至非显示区的延伸层。
14.其中，阻隔层的部分区域位于封装层背离阵列基板一侧。
15.其中，显示面板还包括保护层，保护层设置于非显示区阵列基板的出光侧，保护层的一端与偏光片位于非显示区的一端抵接，且抵接位置在平坦化层上的投影位于平坦化层中。
16.本技术还包括第二个技术方案，一种显示装置，包括驱动电路和上述显示面板，驱动电路用于驱动显示面板。
17.本技术的有益效果是：区别于现有技术，本技术的显示面板通过在阻隔层远离显示区的一端设置挡墙，使得挡墙可以阻挡平坦化层向阻隔层靠近非显示区的一侧延伸，本技术实施例中，通过设置挡墙，至少可以延缓或减少或阻止偏光片中的有害元素通过平坦化层溢出至金属线，从而可以提高显示面板的寿命，改善显示面板的下边框区域出现鼓泡、层裂(pelling)或亮线的情况。
附图说明
18.图1是相关技术的显示面板一实施例的剖面结构示意图；
19.图2a是本技术显示面板的第一实施例的剖面结构示意图；
20.图2b是图2a的局部放大示意图；
21.图3a是本技术显示面板第二实施例的剖面结构示意图；
22.图3b是图3a的局部放大示意图；
23.图4a是本技术显示面板第三实施例的剖面结构示意图；
24.图4b是图4a的局部放大示意图；
25.图5a是本技术显示面板第四实施例的剖面结构示意图；
26.图5b是图5a的局部放大示意图；
27.图6a是本技术显示面板第五实施例的剖面结构示意图；
28.图6b是图6a的局部放大示意图；
29.图7a是本技术显示面板第六实施例的剖面结构示意图；
30.图7b是图7a的局部放大示意图；
31.图8是本技术显示面板第七实施例的剖面结构示意图；
32.图9a是本技术显示面板第八实施例的剖面结构示意图；
33.图9b是图9a的局部放大示意图。
具体实施方式
34.相关技术中，如图1所示，显示面板的封装层60外侧设置平坦化层30及偏光片20，偏光片20可以用来消除环境光，使显示面板显示出来的色度和亮度更均匀。显示面板下边框的非显示区200设置有部分data金属线111和部分elvdd金属线112，以便于为显示面板的发光层70提供数据电压和驱动电压。然而显示面板在使用过程中，显示面板的下边框区域易出现黑斑、鼓泡、层裂(pelling)或亮线等情况。
35.其中，显示面板的data金属线111的换线孔和elvdd金属线112被腐蚀，经过研究发现，如图1所示，偏光片20中包含有害元素，例如包含有氟、硫和碘等元素，有害元素容易沿平坦化层30扩散至data金属线111的换线孔和elvdd金属线112，造成data金属线111的换线孔和elvdd金属线112的腐蚀。而data金属线111的换线孔被腐蚀，容易造成数据电压偏高，发光层70的发光单元(图未示)过亮，造成显示面板出现亮线的情况的发生。data金属线111的换线孔和elvdd金属线112的腐蚀，容易造成层裂(pelling)和鼓泡的现象发生。也容易造成水汽或氧气入侵显示层的发光单元，造成显示面板出现黑斑的情况。
36.为了改善显示面板下边框区域出现不良的情况的发生。本技术包括以下实施例。具体地，图2a和图2b所示，一种显示面板划分有显示区100和非显示区200，显示面板包括阵列基板10、偏光片20、平坦化层30、阻隔层40和挡墙50，位于非显示区200的阵列基板10包括金属线11；至少部分偏光片20设置于阵列基板10的出光侧的显示区100；平坦化层30位于阵列基板10和偏光片20之间；阻隔层40位于平坦化层30靠近阵列基板10一侧；挡墙50设置于阻隔层40远离显示区100的一端，用于阻挡平坦化层30向阻隔层40的靠近非显示区200一侧延伸。
37.本技术实施例通过在阻隔层40远离显示区100的一端设置挡墙50，使得挡墙50可以阻挡平坦化层30向阻隔层40靠近非显示区200的一侧延伸，本技术实施例中，通过设置挡墙50，可以延缓或减少或阻止偏光片20中的有害元素通过平坦化层30溢出至金属线11，从而可以提高显示面板的寿命，改善显示面板的下边框区域出现鼓泡、层裂(pelling)或亮线的情况。
38.本技术实施例中，金属线11包括data金属线111的换线孔和elvdd金属线112。具体地，本技术实施例中，data金属线111的换线孔位于非显示区200。elvdd金属线112自非显示区200延伸至显示区100。本技术实施例中，elvdd金属线112的至少部分和data金属线111的换线孔上设置缓冲层12，缓冲层12背离data金属线111的换线孔的一侧设置有覆盖层71，覆盖层71与像素定义层同层制作，本技术实施例中，缓冲层12和覆盖层71均为有机层，氟、硫和碘等有害元素能够通过有机层扩散。本技术实施例的阵列基板10还包括基底13、层叠设置于基底13上的其它金属线11和无机半导体层14。
39.本技术实施例中，阻隔层40和挡墙50可以阻止氟、硫和碘等有害元素的入侵。在本技术另一实施例中，阻隔层40和挡墙50还可以进一步阻断水汽和氧气的入侵。
40.结合图2b，在本技术一实施例中，挡墙50背离阵列基板10的一面(上表面)低于平坦化层30背离阵列基板10的一面(上表面)。本技术实施例中，为了便于描述，阻隔层40远离显示区100的一端为阻隔层40的第一端。挡墙50的上表面高于阻隔层40的第一端。本技术实施例中，通过设置挡墙50，使得挡墙50上方的平坦化层30的高度小于直接设置于阻隔层40第一端上的平坦化层30的高度，使得挡墙50上方的平坦化层30的横截面积小于直接设置于阻隔层40第一端上的平坦化层30的横截面积，可以减小有害元素流向于金属线11的横截面积，达到节流的效果，可以减小有害元素向金属线11流通的量，从而减缓显示面板出现不良的情况，延长显示面板的寿命。
41.本技术实施例中，本技术实施例中，显示面板还包括封装层60，封装层60包括第一无机层61和第二无机层62，第一无机层61和第二无机层62层叠设置于显示区100，第一无机层61位于第二无机层62和阵列基板10之间。本技术实施例中，显示面板的封装层60还包括有机膜层63，有机膜层63位于第一无机层61和第二无机层62之间，且有机膜层63位于显示区100。本技术实施例中，显示面板还包括发光层70，封装层60用于封装发光层70。本技术实施例中，第一无机层61和第二无机层62延伸至非显示区200，有机膜层并未延伸至非显示区200，非显示区200中封装层60中的第二无机层62直接叠置于第一无机层61上。本技术实施例中，封装层60以两层无机层为例进行举例，在其他实施例中，封装层60也可以包括五层结构叠置而成。
42.在本技术实施例中，显示面板还可以设置触控层90(见图5a)，触控层90位于平坦
化层30和封装层60之间。具体地，本技术实施例中触控层90包括依次叠置于封装层上的第一绝缘层91、第一电极层92、第二绝缘层93和第二电极层94。本技术实施例中，触控层90位于显示区100，第一绝缘层91和第二绝缘层93为无机绝缘层。
43.如图3a和3b所示，在本技术另一实施例中，挡墙50背离阵列基板10的一面(上表面)与平坦化层30背离阵列基板10的一面(上表面)平齐，并使得平坦化层30不溢出至挡墙50。本技术实施例中，通过设置挡墙50的上表面与平坦化层30的上表面平齐，使得挡墙50可以完全阻挡平坦化层30，使得平坦化层30不会溢出至挡墙50背离显示区100一侧。本技术实施例中，挡墙50可以阻断平坦化层30于挡墙50靠近于显示区100一侧，使得偏光片20中的有害元素无法沿平坦化层30流通至覆盖层71和缓冲层12，无法进一步流通至data金属线111的换线孔和elvdd金属线112等金属线11。使得金属线11不会被腐蚀，或者极大的改善了金属线11被腐蚀的情况。
44.在本技术再一实施例中，如图4a和图4b所示，挡墙50背离阵列基板10的一面高于平坦化层30背离阵列基板10的一面。通过设置挡墙50的上表面高于平坦化层30的上表面，也可以使得挡墙50可以阻断平坦化层30于挡墙50靠近于显示区100一侧，使得偏光片20中的有害元素无法沿平坦化层30流通至覆盖层71和缓冲层12，无法进一步流通至data金属线111的换线孔和elvdd金属线112等金属线11。使得金属线11不会被腐蚀，或者极大的改善了金属线11被腐蚀的情况。
45.本技术实施例中，如图5a和图5b所示，挡墙50包括至少两个子挡墙51，至少两个子挡墙51自非显示区200向显示区100依次间隔排布，且至少两个子挡墙51位于阻隔层40背离阵列基板10一面。本技术实施例中，通过设置两个子挡墙51，可以使得两个子挡墙51起到双重阻挡的作用，达到双重防护的情况，避免其中一个子挡墙51出现损坏所造成的挡墙50阻挡失效的情况的发生，可以确保挡墙50的阻挡防护效果。本技术实施例通过设置至少两个子挡墙51，也可以达到延长有害元素沿平坦化层30传输的距离，延伸显示面板的寿命。在其他实施例中，挡墙50的数量也可以仅包括一个子挡墙51，即通过一个子挡墙51也可以达到阻挡平坦化层30向所述阻隔层40的靠近所述非显示区200一侧延伸。
46.本技术实施例中，如图6a和图6b所示，相邻两个子挡墙51具有间隙52，部分平坦化层30嵌设于至少部分间隙52中。间隙52是由相邻两个子挡墙51间隔排布形成的。本技术是实施例中，通过将部分平坦化层30嵌设于间隙52中，使得平坦化层30可以给予子挡墙51支撑力，减少子挡墙51受到作用力断裂的情况的发生。
47.在本技术一实施例中，挡墙50包括两个子挡墙51，两个子挡墙51形成一个间隙52。部分平坦化层30可以嵌设于一个间隙52中。在另一实施例中，挡墙50可以包括三个及以上的子挡墙51，相邻两个子挡墙51之间形成间隙52，间隙52的数量为两个及以上，平坦化层30可以填充于所有间隙52中，以达到给予所有子挡墙51支撑力的效果，达到改善子挡墙51出现断裂的情况的发生。在其他实施例中，间隙52的数量为两个及以上时，平坦化层30可以填充于部分间隙52中，也可以填充于一个间隙52中，或平坦化层30可以填充于其他数量的间隙52中。使得一部分间隙52中填充有平坦化层30，另一部分间隙52中未填充平坦化层30。平坦化层30所嵌设的一部分间隙52为靠近于显示区100所在侧的间隙52。使得平坦化层30一方面可以到达支撑一部分子挡墙51的作用，另一部分的子挡墙51与平坦化层30不接触，另一部分子挡墙51可以达到进一步防护的作用，防止有害元素进一步向金属线11传输。
48.本技术实施例中，如图7a和图7b所示，阻隔层40的至少部分区域位于非显示区200，阻隔层40设置若干凹槽41，凹槽41位于挡墙50靠近显示区100之间，部分平坦化层30嵌设于凹槽41中。本技术实施例中，阻隔层40延伸至非显示区200，以使得阻隔层40可以阻挡偏光片20的有害元素向非显示区200的金属线11扩散。本技术实施例中，阻隔层40可以设置若干凹槽41，相邻凹槽41之间形成凸起42，本技术实施例中，通过将凹槽41和凸起42设置于挡墙50和显示区100之间，使得平坦化层30可以嵌设于凹槽41中，提高平坦化层30与阻隔层40的结合力。本技术实施例中，凸起42的上表面(背离阵列基板10一侧的表面)低于挡墙50的上表面。
49.本技术实施例中，阻隔层40和挡墙50为一体无机沉积层。本技术实施例中，阻隔层40和挡墙50为一体结构，具体地，本技术实施例中，阻隔层40和挡墙50为沉积而形成的无机沉积层，无机沉积层能够阻挡偏光片20中有害元素的扩散，阻挡水汽和氧气的扩散。本技术实施中沉积一层无机沉积层，在无机沉积层远离显示区100的一端进行图案化处理，形成挡墙50。具体的，可以通过湿法刻蚀、气体刻蚀或干法刻蚀等工艺进行刻蚀，以形成挡墙50。
50.在其他实施例中，阻隔层40和挡墙50也可以是分体结构，例如先沉积一层第一无机沉积层(图未标)作为阻隔层40，再沉积一层第二无机沉积层(图未标)，并对第二无机沉积层进行图案化处理，形成挡墙50。或者，直接在第一无机沉积层远离显示区100的一端沉积第二无机沉积层作为挡墙50。第一无机沉积层和第二无机沉积层的材质可以不同，例如第一无机沉积层的材质为氮化硅，第二无机沉积层的材质为碳化硅。或者第一无机沉积层和第二无机沉积层的材质相同。
51.在本技术一实施例中，阻隔层40和挡墙50为第一无机层61延伸至非显示区200的延伸层。本技术实施例中，第一无机层61延伸形成阻隔层40，并经过图形化处理，形成挡墙50，第一无机层61能够阻挡偏光片20中有害元素的扩散，阻挡水汽和氧气的扩散。本技术实施例中，阻隔层40和挡墙50为第一无机层61延伸至非显示区200的延伸层，使得阻隔层40和挡墙50可以在制作第一无机层61时一体制作，并进一步通过图形化处理形成挡墙50，可以减少制作步骤。
52.在本技术另一实施例中，如图8所示，阻隔层40和挡墙50为第二无机层62延伸至非显示区200的延伸层。本技术实施例中，第二无机层62延伸至非显示区200并作为阻隔层40和挡墙50，第二无机层62能够阻挡偏光片20中有害元素的扩散，阻挡水汽和氧气的扩散，阻隔层40和挡墙50为第二无机层62延伸至非显示区200的延伸层，使得阻隔层40和挡墙50可以在制作第二无机层62时一体制作，并进一步通过图形化处理形成挡墙50，可以减少制作步骤。本技术实施例中，阻隔层40为第二无机层62的延伸层，使得第二无机层62可以覆盖第一无机层61靠近非显示区200的端部，可以进一步避免阻挡水汽和氧气沿着封装层60内部扩散。
53.本技术再一实施例中，如图7a所示，阻隔层40的部分区域位于封装层60背离阵列基板10一侧。本技术实施例中，阻隔层40不属于封装层60的一部分，阻隔层40位于封装层60背离阵列基板10一侧，本技术实施例中，阻隔层40自显示区100延伸至非显示区200，可以实现隔离缓冲层12与阵列基板10的作用。本技术实施例中，阻隔层40覆盖封装层60，使得阻隔层40可以覆盖封装层60远离显示区100的端部，实现对封装层60的端部进一步密封的作用，进一步提高显示面板的密封性能，可以降低水汽或氧气进入发光层70的概率。
54.本技术又一实施例中，阻隔层40和挡墙50可以是触控层90中第一绝缘层91和第二绝缘层93的延伸层，可以减少显示面板的制作步骤。本技术实施例中，第一绝缘层91和第二绝缘层93的材质可以相同，例如可以是氮化硅，第一绝缘层91和第二绝缘层93的延伸层整体作为阻隔层40和挡墙50，通过图案化处理形成挡墙50。在另一实施例中，第二绝缘层93可以图案化处理形成挡墙50；第一绝缘层91作为阻隔层40。本技术实施例并不限定第一绝缘层91和第二绝缘层93的具体材质。
55.本技术实施例中，显示面板还包括保护层80，保护层80设置于非显示区200阵列基板10的出光侧，保护层80的一端与偏光片20位于非显示区200的一端抵接，且抵接位置(图未标)在平坦化层30上的投影位于平坦化层30中。本技术实施例中，偏光片20自显示区100延伸至非显示区200。在阵列基板10的出光侧设置保护层80，保护层80可以防止水汽或氧气入侵显示面板，同时保护层80可以保护显示面板。本技术实施例中，保护层80设置于阵列基板10的弯折区(图未标)，使得阵列基板10在弯折至显示面板的背面时，可以起到保护阵列基板10的作用。本技术实施例中，保护层80可以是防水胶，本技术实施例并不限定保护层80的具体材质。本技术实施例中，偏光片20和保护层80抵接，使得偏光片20和保护层80可以进一步起到密封的作用。但在实际使用过程中，由于显示面板制作过程中，偏光片20在和保护层80抵接后，在显示面板制作完成后，偏光片20容易出现收缩的情况，偏光片20与保护层80容易出现缝隙，容易造成外界的水汽和氧气入侵至平坦化层30。本技术实施例中，通过设置挡墙50，可以减缓水汽或氧气沿平坦化层30进入阵列基板10以及进入发光层70，可以提高显示面板的寿命。当挡墙50的上表面可以与保护层80抵接时，使得挡墙50与阻隔层40及保护层80可以阻挡水汽和氧气入侵至覆盖层71、缓冲层12到达金属线11和到达发光层70的概率，减少显示面板出现黑斑的情况的发生。
56.本技术实施例中，如图6a和6b所示，子挡墙51的截面形状为倒梯形。
57.倒梯形结构的子挡墙51与阻隔层40之间形成的间隙52位置处的底角为锐角，使得间隙52位置处的底角可以存储水汽，减少水汽入侵至发光层70的速度，提高显示面板的寿命。
58.本技术实施例中，子挡墙51的形状为倒梯形，可以使得间隙52的截面形状为梯形，当平坦化层30嵌入于间隙52位置中时，可以提高平坦化层30与挡墙50、阻隔层40的结合力，提高显示面板的稳定性。在其他实施例中，子挡墙51的截面形状也可以为梯形或斜四边形，当平坦化层30嵌入于间隙52中时，
59.也可以提高平坦化层30与挡墙50、阻隔层40的结合力，提高显示面板的稳定性。在其他实施例中，如图7b所示，子挡墙51的截面形状为梯形，或如图9a和9b所示，子挡墙51的截面形状也可以为斜四边形。
60.本技术还包括第二个技术方案，一种显示装置，包括驱动电路和上述显示面板，驱动电路用于驱动显示面板。本技术实施例的显示装置，
61.通过在显示面板的阻隔层40远离显示区100的一端设置挡墙50，使得挡墙50可以阻挡平坦化层30向阻隔层40靠近非显示区200的一侧延伸，本技术实施例中，通过设置挡墙50，至少可以延缓或减少或阻止偏
62.光片20中的有害元素通过平坦化层30溢出至金属线11，从而可以提高显示装置的寿命，改善显示装置的下边框区域出现鼓泡、层裂(pelling)或亮线的情况。
63.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直
64.接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。