一种发光装置以及发光装置的制备方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光装置以及发光装置的制备方法。


背景技术：

2.oled器件因其面光源的特性，在照明和车载等领域应用越来越广泛。为提高其交互作用，现有发光装置通常设置多个发光区，每一个发光区都包括一个发光单元，发光单元包括第一电极、发光器件层和第二电极的叠层。每一个发光单元的第一电极都需要通过一根第一电极金属引线与屏体外部邦定区电连接。
3.图1是现有技术提供的一种发光装置的俯视图。参见图1，现有技术中，每一个发光单元的第一电极在发光区01的边缘部分和第一电极金属引线02连接，然后第一电极金属引线02经由发光区01之间的间隔区域与屏体外部邦定区电连接。
4.现有技术存在的技术缺陷是：第一电极金属引线02位于引线区，引线区位于各发光区01之间，由于引线区不发光，为提高发光装置的开口率，引线区的面积较小，造成第一电极金属引线02一般做的很窄，如此距离屏体外部邦定区较远的发光区01的第一电极金属引线02的电阻很大，造成第一电极金属引线02在发光区01的电压升高。而且过窄的第一电极金属引线02在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线02和其他导电膜层之间的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路。


技术实现要素：

5.本发明提供了一种发光装置以及发光装置的制备方法，以增大第一电极金属引线的设置空间，避免出现第一电极金属引线的线宽过窄的问题。
6.本发明实施例提供了一种发光装置，所述发光装置包括发光侧和背光侧，包括：基板，所述基板的表面包括至少一个发光区；
7.至少一个发光单元，所述发光单元位于所述基板的背光侧所在的表面，且一一对应位于所述发光区，所述发光单元包括第一电极、发光器件层和第二电极的叠层，所述第一电极与所述基板接触；
8.至少一个导电立柱，所述导电立柱一一对应位于所述发光区的边缘，所述导电立柱与所述第一电极连接，所述导电立柱从发光侧向所述背光侧延伸；
9.至少一条第一电极金属引线，所述第一电极金属引线位于所述第二电极远离所述基板的一侧，所述导电立柱与所述第一电极金属引线一一对应电连接，所述第一电极金属引线经由所述发光区与屏体外部邦定区电连接；
10.所述第一电极金属引线与所述第二电极绝缘设置，所述导电立柱与所述第二电极绝缘设置，不同发光单元的电极绝缘设置。
11.可选地，所述导电立柱位于所述第一电极远离所述基板的部分表面。
12.可选地，还包括导电立柱绝缘包裹层和第二电极绝缘间隔层；
13.所述导电立柱绝缘包裹层高于所述第二电极设置，且所述导电立柱绝缘包裹层包围所述导电立柱的部分侧面；
14.所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖至少部分所述第一电极在所述基板的正投影；
15.所述第二电极绝缘间隔层位于所述第二电极和所述第一电极金属引线走线之间，所述第二电极绝缘间隔层高于或等于所述导电立柱绝缘包裹层设置，所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层设置，所述第一电极金属引线至少与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
16.可选地，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖部分所述第一电极在所述基板的正投影；
17.所述第二电极绝缘间隔层在所述基板的正投影至少覆盖所述第二电极和所述导电立柱绝缘包裹层在所述基板的正投影；
18.所述第二电极绝缘间隔层和所述导电立柱在所述基板的正投影无交叠；
19.所述导电立柱远离所述基板的表面和所述第一电极金属引线电接触，且所述第一电极金属引线与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
20.可选地，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖所述第一电极在所述基板的正投影；
21.所述第二电极绝缘间隔层在所述基板的正投影至少覆盖所述第二电极在所述基板的正投影；
22.所述导电立柱高于所述发光器件层的部分的垂直截面图形为倒梯形；
23.所述第一电极金属引线与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
24.可选地，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖所述第一电极在所述基板的正投影；
25.所述第二电极绝缘间隔层在所述基板的正投影至少覆盖所述第二电极在所述基板的正投影；
26.所述导电立柱的垂直截面图形为倒梯形；
27.所述第一电极金属引线与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
28.可选地，所述第一电极金属引线距离屏体外部邦定区的距离与所述第一电极金属引线的宽度成正比。
29.本发明实施例还提供了一种发光装置的制备方法，所述发光装置包括发光侧和背光侧，包括：
30.提供基板，所述基板的表面包括至少一个发光区；
31.在所述基板的背光侧所在的表面形成至少一个第一电极和至少一个导电立柱，所述第一电极一一对应位于所述发光区，所述导电立柱一一对应位于所述发光区的边缘，所述导电立柱与所述第一电极连接，所述导电立柱从发光侧向所述背光侧延伸；
32.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层，所述第一电极、所述发光器件层和所述第二电极构成发光单元；
33.在所述第二电极远离所述基板的一侧形成至少一条第一电极金属引线，所述导电立柱与所述第一电极金属引线一一对应电连接，所述第一电极金属引线经由所述发光区与屏体外部邦定区电连接；
34.其中，所述第一电极金属引线与所述第二电极绝缘设置，所述导电立柱与所述第二电极绝缘设置，不同发光单元的电极绝缘设置。
35.可选地，在所述基板的背光侧所在的表面形成至少一个第一电极和至少一个导电立柱时还包括：
36.在所述导电立柱的部分侧面形成导电立柱绝缘包裹层；
37.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
38.在所述第一电极远离所述基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖至少部分所述第一电极在所述基板的正投影；
39.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
40.在所述第二电极远离所述基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，所述第二电极绝缘间隔层位于所述第二电极和所述第一电极金属引线走线之间，所述第二电极绝缘间隔层高于或等于所述导电立柱绝缘包裹层设置，所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层设置，所述导电立柱绝缘包裹层高于所述第二电极设置，所述第一电极金属引线至少与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
41.可选地，在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
42.通过图形化成膜方法在所述第一电极远离所述基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖部分所述第一电极在所述基板的正投影；
43.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
44.通过图形化成膜方法在所述第二电极远离所述基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，所述第二电极绝缘间隔层在所述基板的正投影至少覆盖所述第二电极和所述导电立柱绝缘包裹层在所述基板的正投影；所述第二电极绝缘间隔层和所述导电立柱在所述基板的正投影无交叠；
45.其中，所述导电立柱远离所述基板的表面和所述第一电极金属引线电接触，且所述第一电极金属引线与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触；
46.所述图形化成膜方法包括激光打印方法或者掩膜等图形化成膜方法；
47.或者，
48.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
49.通过整面成膜方法在所述第一电极远离所述基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，所述发光器件层和所述第二电极的叠层在所述基板的正投影覆盖
所述第一电极在所述基板的正投影；
50.在所述第一电极远离所述基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
51.通过整面成膜方法在所述第二电极远离所述基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，所述第二电极绝缘间隔层在所述基板的正投影至少覆盖所述第二电极在所述基板的正投影；
52.其中，所述导电立柱高于所述发光器件层的部分的垂直截面图形为倒梯形；所述第一电极金属引线与所述导电立柱高于所述第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
53.本实施例提供的技术方案，导电立柱一一对应位于发光区的边缘，第一电极金属引线经由发光区与屏体外部邦定区电连接，第一电极金属引线并没有占据发光区之间的面积，第一电极金属引线位于发光区，从而增大了第一电极金属引线的设置空间，避免出现第一电极金属引线的线宽过窄的问题，一方面降低了第一电极金属引线的电阻，避免了距离屏体外部邦定区较远的发光区的第一电极金属引线的电阻很大，造成第一电极金属引线在发光区的电压升高的问题；另一方面，增加了第一电极金属引线的面积，避免了过窄的第一电极金属引线在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线和其他导电膜层的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路的问题。
54.应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
55.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
56.图1是现有技术提供的一种发光装置的俯视图；
57.图2是根据本发明实施例提供的一种发光装置背光侧的俯视图；
58.图3是图2中a1-a2方向的第一种剖面结构示意图；
59.图4是图2中a1-a2方向的第二种剖面结构示意图；
60.图5是图4中虚线框区域的放大图；
61.图6是图2中a1-a2方向的第三种剖面结构示意图；
62.图7是根据本发明实施例提供的一种发光装置的制备方法的流程示意图；
63.图8-图10是根据本发明实施例提供的一种发光装置的制备方法各步骤对应的流程图；
64.图11是根据本发明实施例提供的一种发光装置的结构示意图；
65.图12是根据本发明实施例提供的另一种发光装置的结构示意图；
具体实施方式
66.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的
附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
67.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
68.为了增大第一电极金属引线的设置空间，避免出现第一电极金属引线的线宽过窄的问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
69.参见图2和3，图2是根据本发明实施例提供的一种发光装置背光侧的俯视图，图3是图2中a1-a2方向的第一种剖面结构示意图，发光装置包括发光侧s1和背光侧s2，该发光装置包括：基板1，基板1的表面包括至少一个发光区01；至少一个发光单元2，发光单元2位于基板1的背光侧s2所在的表面，且一一对应位于发光区01，发光单元2包括第一电极20、发光器件层21和第二电极22的叠层，第一电极20与基板1接触。至少一个导电立柱3，导电立柱3一一对应位于发光区01的边缘，导电立柱3与第一电极20连接，导电立柱3从发光侧s1向背光侧s2延伸。至少一条第一电极金属引线02，第一电极金属引线02位于第二电极22远离基板1的一侧，导电立柱3与第一电极金属引线02一一对应电连接，第一电极金属引线02经由发光区01与屏体外部邦定区电连接。第一电极金属引线02与第二电极22绝缘设置，导电立柱3与第二电极22绝缘设置，不同发光单元2的电极绝缘设置。
70.需要说明的是，在图2中，第一电极金属引线02覆盖导电立柱3，但是为了在图2中示出导电立柱3的位置，特意将覆盖导电立柱3的膜层去除，露出导电立柱3。
71.在本实施例中，每一个发光区01中的发光单元2的第一电极20与导电立柱3连接，导电立柱3从发光侧s1向背光侧s2延伸，导电立柱3与第一电极金属引线02一一对应连接，使得导电立柱3可以将发光单元2的第一电极20的电信号通过第一电极金属引线02引至与屏体外部邦定区。
72.可以理解的，第一电极金属引线02与第二电极22绝缘设置，导电立柱3与第二电极22绝缘设置，可以避免第一电极金属引线02与第二电极22短路，进而避免第一电极20与第二电极22短路。不同发光单元2的电极绝缘设置，可以避免不同的发光单元2的电极之间发生短路。
73.本实施例提供的技术方案，导电立柱3一一对应位于发光区01的边缘，第一电极金属引线02经由发光区01与屏体外部邦定区电连接，第一电极金属引线02并没有占据发光区01之间的面积，第一电极金属引线02均位于发光区01，从而增大了第一电极金属引线02的设置空间，避免出现第一电极金属引线02的线宽过窄的问题，一方面降低了第一电极金属引线02的电阻，避免了距离屏体外部邦定区较远的发光区01的第一电极金属引线02的电阻很大，造成第一电极金属引线02在发光区01的电压升高的问题；另一方面，增加了第一电极
金属引线02的面积，避免了过窄的第一电极金属引线02在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线02和其他导电膜层的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路的问题。
74.可选地，在上述技术方案的基础上，导电立柱3位于第一电极20远离基板1的部分表面，使得导电立柱3与第一电极20实现电连接。
75.可选地，在上述技术方案的基础上，如图3和图4所示，该发光装置还包括导电立柱绝缘包裹层4和第二电极绝缘间隔层5；导电立柱绝缘包裹层4高于第二电极22设置，且导电立柱绝缘包裹层4包围导电立柱3的部分侧面；发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖至少部分第一电极20在基板1的正投影(其中，图3中发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖部分第一电极20在基板1的正投影；图4中，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖全部第一电极20在基板1的正投影)，第二电极绝缘间隔层5位于第二电极22和第一电极金属引线02之间，第二电极绝缘间隔层5高于或等于导电立柱绝缘包裹层4设置，导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5设置，第一电极金属引线02至少与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触(其中，图3中，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面以及导电立柱3远离基板1的表面电接触；图4中，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触)。
76.需要说明的是，不同发光单元2之间除了用导电立柱绝缘包裹层4进行电极之间的绝缘，还设置了像素限定层(在图中未示出)，像素限定层为绝缘材料，像素限定层的开口结构限定处了发光单元2所占的空间。像素限定层的高度低于导电立柱绝缘包裹层4的高度。
77.示例性的，第二电极绝缘间隔层5高于或等于导电立柱绝缘包裹层4的数值大于100纳米。导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的数值大于100纳米。导电立柱3的厚度约为300纳米-5微米之间。
78.具体的，导电立柱绝缘包裹层4位于相邻两第一电极20之间，高于第二电极22设置，用于绝缘不同发光单元2的电极。
79.第二电极绝缘间隔层5用于绝缘第二电极22和第一电极金属引线02，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触，进而实现第一电极金属引线02和导电立柱3的电连接，最终实现第一电极金属引线02和第一电极20实现电连接。可以通过设置第二电极绝缘间隔层5的介电常数，调节第二电极绝缘间隔层5的绝缘能力。示例性的，第二电极绝缘间隔层5可以选取相对介电常数大于3.5的绝缘材料。且第二电极22和第一电极金属引线02之间通过第二电极绝缘间隔层5实现绝缘，由于第一电极金属引线02位于发光区01，线宽可以做的比较宽，降低了第一电极金属引线02的电阻，避免了过窄的第一电极金属引线02在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线02和其他导电膜层的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路的问题。且通过选择介电常数大的绝缘层材料，进一步提高了器件的防静电能力。
80.可选地，在上述技术方案的基础上，如图3所示，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖部分第一电极20在基板1的正投影；第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影至少覆盖第二电极22和导电立柱绝缘包裹层4在基板1的正投影；第二电极绝缘间
隔层5和导电立柱3在基板1的正投影无交叠；导电立柱3远离基板1的表面和第一电极金属引线02电接触，且第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。需要说明的是，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影除了不覆盖导电立柱3在基板1的正投影之外，可以将第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影面积增大至覆盖整个基板1。
81.具体的，在本实施例中，无需限定导电立柱3的截面形状，从而降低了导电立柱3的制备难度。且发光器件层21和第二电极22的叠层仅覆盖第一电极20，无需将第一电极金属引线02制作的过厚，从而降低了发光装置的厚度。
82.可选地，在上述技术方案的基础上，如图4和图5所示，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖第一电极20在基板1的正投影；第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影至少覆盖第二电极22在基板1的正投影，需要说明的是，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影一般都比第二电极22在基板1的正投影的面积大，可以将第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影面积等于整个基板1的面积；导电立柱3高于发光器件层21的部分的垂直截面图形为倒梯形；第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。
83.具体的，导电立柱3高于发光器件层21的部分的垂直截面图形为倒梯形，在第二电极22和第二电极绝缘间隔层5形成的过程中，可以避免导电立柱3高于发光器件层21的部分的侧面形成有第二电极22，从而可以使得导电立柱3高于发光器件层21的部分的侧面不会存在导电层，避免了第一电极金属引线02和第二电极22的短路问题。
84.可选地，在上述技术方案的基础上，如图6所示，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖第一电极20在基板1的正投影；第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影至少覆盖第二电极22在基板1的正投影，需要说明的是，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影一般都比第二电极22在基板1的正投影的面积大，可以将第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影面积等于整个基板1的面积；导电立柱3的垂直截面图形为倒梯形；第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。
85.具体的，导电立柱3的截面图形为倒梯形相比导电立柱3高于发光器件层21的部分的截面图形为倒梯形，降低了导电立柱3的形成难度。
86.可选地，在上述技术方案的基础上，如图2所示，第一电极金属引线02距离屏体外部邦定区的距离与第一电极金属引线02的宽度成正比，使各发光区01的第一电极金属引线02的电阻保持一致，使第一电极金属引线02的压降相同，进而可以实现恒流条件下每个发光区01的电压相同，可以进一步简化外围电路。
87.示例性的，如图2所示，第一电极金属引线02的宽度包括第一宽度b1、第二宽度b2和第三宽度b3，第一宽度b1、第二宽度b2和第三宽度b3依次增大，具有第一宽度b1的第一电极金属引线02距离屏体外部邦定区的距离小于具有第二宽度b2的第一电极金属引线02距离屏体外部邦定区的距离，具有第二宽度b2的第一电极金属引线02距离屏体外部邦定区的距离小于具有第三宽度b3的第一电极金属引线02距离屏体外部邦定区的距离。
88.本发明实施例还提供了一种发光装置的制备方法。参见图7，图7是根据本发明实施例提供的一种发光装置的制备方法的流程示意图，以图3示出的发光装置的结构为例，该发光装置的制备方法包括如下步骤：
89.s110、提供基板，基板的表面包括至少一个发光区。
90.参见图8，提供基板1，基板1的表面包括至少一个发光区01。该发光装置包括发光侧s1和背光侧s2。
91.s120、在基板的背光侧所在的表面形成至少一个第一电极和至少一个导电立柱，第一电极一一对应位于发光区，导电立柱一一对应位于发光区的边缘，导电立柱与第一电极连接，导电立柱从发光侧向背光侧延伸。
92.参见图9，在基板1的背光侧s2所在的表面形成至少一个第一电极20和至少一个导电立柱3，第一电极20一一对应位于发光区01，导电立柱3一一对应位于发光区01的边缘，导电立柱3与第一电极20连接，导电立柱3从发光侧s1向背光侧s2延伸。
93.可选地，s120在基板的背光侧所在的表面形成至少一个第一电极和至少一个导电立柱时还包括：
94.参见图9，在导电立柱3的部分侧面形成导电立柱绝缘包裹层4。具体的，导电立柱绝缘包裹层4用于绝缘不同发光单元2的电极。
95.s130、在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层，第一电极、发光器件层和第二电极构成发光单元。
96.参见10，在第一电极20远离基板1的表面依次形成发光器件层21和第二电极22的叠层，第一电极20、发光器件层21和第二电极22构成发光单元2。
97.s140、在第二电极远离基板的一侧形成至少一条第一电极金属引线，导电立柱与第一电极金属引线一一对应电连接，第一电极金属引线经由发光区与屏体外部邦定区电连接。
98.参见图3，在第二电极22远离基板1的一侧形成至少一条第一电极金属引线02，导电立柱3与第一电极金属引线02一一对应电连接，第一电极金属引线02经由发光区01与屏体外部邦定区电连接。可选地，第二电极绝缘间隔层用于绝缘第一电极金属引线02和第二电极22。
99.其中，第一电极金属引线02与第二电极22绝缘设置，导电立柱3与第二电极22绝缘设置，不同发光单元2的电极绝缘设置。
100.本实施例提供的技术方案，导电立柱3一一对应位于发光区01的边缘，第一电极金属引线02经由发光区01与屏体外部邦定区电连接，第一电极金属引线02并没有占据发光区01之间的面积，第一电极金属引线02均位于发光区01，从而增大了第一电极金属引线02的设置空间，避免出现第一电极金属引线02的线宽过窄的问题，一方面增加了第一电极金属引线02的电阻，避免了距离屏体外部邦定区较远的发光区01的第一电极金属引线02的电阻很大，造成第一电极金属引线02在发光区01的电压升高的问题；另一方面，增加了第一电极金属引线02的面积，避免了过窄的第一电极金属引线02在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线02和其他导电膜层的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路的问题。
101.可选地，在上述技术方案的基础上，s130在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
102.在第一电极远离基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，发光器件层和第二电极的叠层在基板的正投影覆盖至少部分第一电极在基板的正投影。
103.图3中发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖部分第一电极20
在基板1的正投影；图4中，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖全部第一电极20在基板1的正投影。
104.s130在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
105.在第二电极远离基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，第二电极绝缘间隔层位于第二电极和第一电极金属引线走线之间，第二电极绝缘间隔层高于或等于导电立柱绝缘包裹层设置，导电立柱高于第二电极绝缘间隔层设置，导电立柱绝缘包裹层高于第二电极设置，第一电极金属引线至少与导电立柱高于第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
106.图3中，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面以及导电立柱3远离基板1的表面电接触；图4中，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。
107.具体的，导电立柱绝缘包裹层4位于相邻两第一电极20之间，高于第二电极22设置，用于绝缘不同发光单元2的电极。第二电极绝缘间隔层5用于绝缘第二电极22和第一电极金属引线02，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触，进而实现第一电极金属引线02和导电立柱3的电连接，最终实现第一电极金属引线02和第一电极20实现电连接。可以通过设置第二电极绝缘间隔层5的介电常数，调节第二电极绝缘间隔层5的绝缘能力。示例性的，第二电极绝缘间隔层5可以选取介电常数大于3.5的绝缘材料。且第二电极22和第一电极金属引线02之间通过第二电极绝缘间隔层5实现绝缘，由于第一电极金属引线02位于发光区01，线宽可以做的比较宽，降低了第一电极金属引线02的电阻，避免了过窄的第一电极金属引线02在屏体边缘靠近屏体外部邦定区的位置的防静电薄弱区域面积过小，造成该区域第一电极金属引线02和其他导电膜层的等效电容过低，极易被静电放电过程击穿，造成引线短路或断路的问题。且通过选择介电常数大的绝缘层材料，进一步提高了器件的防静电能力。
108.可选地，在上述技术方案的基础上，针对图3示出的发光装置来说，s130、在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
109.通过图形化成膜方法在第一电极远离基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，发光器件层和第二电极的叠层在基板的正投影覆盖部分第一电极在基板的正投影。
110.如图10所示，通过图形化成膜方法在第一电极20远离基板1的表面的一侧依次形成发光器件层21和第二电极22的叠层，发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖部分第一电极20在基板的正投影。发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖第二部分第一电极20b在基板1的正投影。
111.s130、在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
112.通过图形化成膜方法在第二电极远离基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，第二电极绝缘间隔层在基板的正投影至少覆盖第二电极和导电立柱绝缘包裹层在基板的正投影；第二电极绝缘间隔层和导电立柱在基板的正投影无交叠；
113.其中，导电立柱远离基板的表面和第一电极金属引线电接触，且第一电极金属引线与导电立柱高于第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
114.如图3所示，通过图形化成膜方法在第二电极22远离基板1的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层5，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影至少覆盖第二电极22和导电立柱绝缘包裹层4在基板的正投影。第二电极绝缘间隔层5和导电立柱3在基板1的正投影无交叠。导电立柱3远离基板1的表面和第一电极金属引线02电接触，且第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。需要说明的是，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影除了不覆盖导电立柱3在基板1的正投影之外，可以将第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影面积增大至覆盖整个基板1。
115.具体的，在本实施例中，无需限定导电立柱3的截面形状，从而降低了导电立柱3的制备难度。且发光器件层21和第二电极22的叠层仅覆盖第一电极20，无需将第一电极金属引线02制作的过厚，从而降低了发光装置的厚度。
116.在本实施例中，图形化成膜方法包括激光打印方法或者掩膜等图形化成膜方法。需要说明的是，在通过掩膜实现的图形化成膜方法中所使用的掩膜版包括透光区域，透光区域覆盖发光区01，透光区域内设置有尺寸很小的遮挡部，遮挡部遮挡导电立柱3和导电立柱绝缘包裹层4，遮挡部和细线连接，细线和掩膜版的边缘连接，细线用于支撑遮挡部，细线的粗细小于200微米，可以降低细线对于透光区域的影响。
117.或者，
118.针对图4示出的发光装置来说，s130、在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层包括：
119.通过整面成膜方法在第一电极远离基板的表面的一侧依次形成发光器件层和第二电极的叠层，发光器件层和第二电极的叠层在基板的正投影覆盖第一电极在基板的正投影。
120.参见图11，通过整面成膜方法在第一电极20远离基板1的表面的一侧依次形成发光器件层21和第二电极22的叠层。发光器件层21和第二电极22的叠层在基板1的正投影覆盖第一电极20在基板1的正投影。
121.s130、在第一电极远离基板的表面依次形成发光器件层和第二电极的叠层之后还包括：
122.通过整面成膜方法在第二电极远离基板的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层，第二电极绝缘间隔层在基板的正投影至少覆盖第二电极在基板的正投影；
123.其中，导电立柱高于发光器件层的部分的垂直截面图形为倒梯形；第一电极金属引线与导电立柱高于第二电极绝缘间隔层的侧面电接触。
124.参见图12，通过整面成膜方法在第二电极22远离基板1的表面的一侧形成第二电极绝缘间隔层5，第二电极绝缘间隔层5至少覆盖第二电极22和导电立柱绝缘包裹层4。需要说明的是，第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影一般都比第二电极22在基板1的正投影的面积大，可以将第二电极绝缘间隔层5在基板1的正投影面积等于整个基板1的面积。导电立柱3高于发光器件层21的部分的垂直截面图形为倒梯形；第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触。
125.具体的，导电立柱3高于发光器件层21的部分的垂直截面图形为倒梯形，在第二电极22和第二电极绝缘间隔层5形成的过程中，可以避免导电立柱3高于发光器件层21的部分的侧面形成有第二电极22，从而可以使得导电立柱3高于发光器件层21的部分的侧面不会
存在导电层，避免了第一电极金属引线02和第二电极22的短路问题。
126.可选地，在上述技术方案的基础上，如图6所示，导电立柱3的垂直截面图形为倒梯形。具体的，导电立柱3的截面图形为倒梯形相比导电立柱3高于发光器件层21的部分的截面图形为倒梯形，降低了导电立柱3的形成难度。
127.可选地，在上述技术方案的基础上，本实施例提供了两种制备发光器件层21、第二电极22和第二电极绝缘间隔层5的方法。具体的，导电立柱绝缘包裹层4位于相邻两第一电极20之间，高于第二电极22设置，用于绝缘不同发光单元2的电极。第二电极绝缘间隔层5用于绝缘第二电极22和第一电极金属引线02，第一电极金属引线02与导电立柱3高于第二电极绝缘间隔层5的侧面电接触，进而实现第一电极金属引线02和导电立柱3的电连接，最终实现第一电极金属引线02和第一电极20实现电连接。
128.应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本技术中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本技术的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
129.上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。