适用于养殖场的饲养灯的制作方法

本发明涉及农业工具技术领域，尤其涉及一种适用于养殖场的饲养灯。

背景技术：

光照对禽类的生长发育有重要影响，光照强度、光照时间、光谱波长、照射方式对禽类养殖均有重要影响。各种禽类在生长发育的不同阶段对光谱波长要求的不同，目前的单一光谱LED波长饲养灯很难满足不同禽类、不同生长发育阶段对波长的要求，影响了饲养灯在养殖场的应用。

技术实现要素：

因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本发明提出了一种适用于养殖场的饲养灯，其特征在于，包括：

外壳(01)、透光灯罩(02)、灯板(03)、保护腔体(04)、控制器(05)、电路驱动芯片(06)、供电系统(07)和LED灯珠组(08)；

所述保护腔体(04)设置于所述外壳(01)内，所述控制器(05)、所述电路驱动芯片(06)及所述工作电源(07)均设置在保护腔体(04)内，所述LED灯珠组(08)安装在灯板(03)上。

在本发明的一种实施方式中，供电系统(07)包括整流器，用于对交流电进行整流以形成LED驱动电压。

在本发明的一种实施方式中，所述控制器用于根据预设规则向所述驱动芯片(06)发送控制信号，以使所述LED灯珠组(08)在所述控制信号的控制下进行发光。

在本发明的一种实施方式中，所述LED灯珠组(08)包括多个LED灯珠，并且，所述每个所述LED灯珠为发光波长可调的LED灯珠。

在本发明的一种实施方式中，所述控制器具体用于根据预设规则向所述驱动芯片(06)发送控制信号，所述控制信号用于控制每个所述LED灯珠的发光波长。

在本发明的一种实施方式中，每个所述LED灯珠的发光波长可被调节为蓝光波长、红光波长和绿光波长。

在本发明的一种实施方式中，每个所述LED灯珠包括一个LED芯片，所述LED芯片包括蓝光发光材料、红光发光材料和绿光发光材料。

在本发明的一种实施方式中，每个所述LED灯珠均不含有荧光粉。

本发明提供的适用于养殖场的饲养灯，能实现发光波长的灵活可控，有利于提高养殖场的养殖效率，有助于科学化养殖。

通过以下参考附图的详细说明，本发明的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本发明的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅试图概念地说明此处描述的结构和流程。

附图说明

下面将结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细的说明。

图1为本发明提供的一种适用于养殖场的饲养灯结构示意图；

图2为本发明提供的一种适用于养殖场的饲养灯控制电路结构示意图；

图3为本发明提供的一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图；

图4为本发明提供的另一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图；

图5为本发明提供的再一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图；

图6为在所述衬底上生长蓝光材料的流程示意图；

图7为本发明提供的一种第一InGaN/GaN多量子阱有源层结构示意图；

图8为本发明提供的第一SiO₂隔离壁的位置示意图；

图9为本发明提供的在所述红光灯芯槽中生长红光材料的流程示意图；

图10为本发明提供的一种GalnP/A1GaInP多量子阱有源层结构示意图；

图11为本发明提供的为本发明提供的第二SiO₂隔离壁的位置示意图；

图12为本发明提供的在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料的流程示意图；

图13为本发明提供的一种以SiO₂隔离壁的方式将蓝光材料、红光材料和绿光材料进行隔离的示意图；

图14为本发明提供的包括电极的蓝光材料结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

实施例一

请参见图1，图1为本发明提供的一种适用于养殖场的饲养灯结构示意图，其包括：

外壳(01)、透光灯罩(02)、灯板(03)、保护腔体(04)、控制器(05)、电路驱动芯片(06)、供电系统(07)和LED灯珠组(08)；

所述保护腔体(04)设置于所述外壳(01)内，所述控制器(05)、所述电路驱动芯片(06)及所述工作电源(07)均设置在保护腔体(04)内，所述LED灯珠组(08)安装在灯板(03)上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，供电系统(07)包括整流器，用于对交流电进行整流以形成LED驱动电压。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述控制器用于根据预设规则向所述驱动芯片(06)发送控制信号，以使所述LED灯珠组(08)在所述控制信号的控制下进行发光。

具体地，饲养灯还可以包括一个与控制器电连接的存储器，存储有预设规则，这个存储规则用于指示特定禽类在特定生长阶段所需的光谱波长，这样就能实现饲养灯的自动化光谱波长调节，提到了饲养灯的智能化水平。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述LED灯珠组(08)包括多个LED灯珠，并且，所述每个所述LED灯珠为发光波长可调的LED灯珠。

进一步地，所述控制器具体用于根据预设规则向所述驱动芯片(06)发送控制信号，所述控制信号用于控制每个所述LED灯珠的发光波长。

具体地，请参见图2，图2为本发明提供的一种适用于养殖场的饲养灯控制电路结构示意图。

在本实施方式中，每个LED灯珠自身的发光波长均可调节，并且，控制信号可对每个LED灯珠进行独立调节，例如，控制信号向第三个LED灯发出信号，使之在第一时刻发出第一波长的光，在第二时刻发出第二波长的光，这样对LED灯珠组的调节会更加灵活可控。

进一步地，在上述实施方式的基础上，每个所述LED灯珠的发光波长可被调节为蓝光波长、红光波长和绿光波长。

蓝光、红光和绿光作为原始基本色，经过合理组合可模拟色域范围极大、色温变化空间大、波长变化范围大的各种所需光谱，很好地满足了禽类养殖的实际需求。

进一步地，在上述实施方式的基础上，每个所述LED灯珠包括一个LED芯片，所述LED芯片包括蓝光发光材料、红光发光材料和绿光发光材料。

进一步地，每个所述LED灯珠均不含有荧光粉。本实施方式中，LED灯珠不含荧光粉，避免了灯珠破裂荧光粉泄露造成对禽类健康的威胁。

本发明提供的适用于养殖场的饲养灯，能实现发光波长的灵活可控，有利于提高养殖场的养殖效率，有助于科学化养殖。

实施例二

请参见图3，图3为本发明提供的一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图，该芯片包括：

衬底(11)；

蓝光材料、红光材料、绿光材料，均设置于所述衬底(11)上；

蓝光正电极和蓝光负电极，均设置于所述蓝光材料上；

红光正电极和红光负电极，均设置于所述红光材料上；

绿光正电极和绿光负电极，均设置于所述绿光材料上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图4，图4为本发明提供的另一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图，该芯片还包括：

第一SiO₂隔离壁(12)，设置于所述蓝光材料与所述红光材料之间，用于隔离所述蓝光材料与所述红光材料；

第二SiO₂隔离壁(22)，设置于所述红光材料与所述绿光材料之间，用于隔离所述红光材料与所述绿光材料。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图5，图5为本发明提供的再一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片结构示意图，该芯片还包括第三SiO₂隔离壁(42)，用于将所述蓝光材料分隔成第一蓝光子材料和第二蓝光子材料、将所述红光材料分隔成第一红光子材料和第二红光子材料以及将所述绿光材料分隔成第一绿光子材料和第二绿光子材料，其中，

所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的一侧，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的另一侧。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述蓝光正电极包括第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极，所述蓝光负电极包括第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极，均设置于所述第一蓝光子材料或第二蓝光子材料的特定位置处；

所述红光正电极包括第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极，所述红光负电极包括第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极，均设置于所述第一红光子材料或第二红光子材料的特定位置处；

所述绿光正电极包括第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极，所述绿光负电极包括第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极，均设置于所述第一绿光子材料或第二绿光子材料的特定位置处。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述蓝光材料依次包括第一GaN缓冲层(101)、第一GaN稳定层(102)、第一n型GaN层(103)、第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)、第一p型AlGaN阻挡层(105)及第一p型GaN层(106)，相应地，所述第一蓝光子材料正电极和第二蓝光子材料正电极均设置在所述第一p型GaN层(106)上，第一蓝光子材料负电极和第二蓝光子材料负电极均设置在所述第一GaN稳定层(102)上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述红光材料依次包括第二GaN缓冲层(401)、GaAs缓冲层(402)、GaAs稳定层(403)、GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)、p型A1GaInP阻挡层(405)及p型GaAs接触层(406)，相应地，所述第一红光子材料正电极和第二红光子材料正电极均设置在所述p型GaAs接触层(406)上，第一红光子材料负电极和第二红光子材料负电极均设置在所述GaAs缓冲层(402)上。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述绿光材料依次包括第三GaN缓冲层(201)、第二GaN稳定层(202)、第二n型GaN层(203)、第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)、第二p型AlGaN阻挡层(205)及第二p型GaN层(206)，相应地，所述第一绿光子材料正电极和第二绿光子材料正电极均设置在所述第二p型GaN层(206)上，第一绿光子材料负电极和第二绿光子材料负电极均设置在所述第二GaN稳定层(202)上。

本发明提供的第二蓝光子材料、第二红光子材料及第二绿光子材料配合使用用于生成白光，以形成基于GaN材料的RGBW四色光源LED芯片。

进一步地，在上述实施方式的基础上，所述衬底(11)的材质为蓝宝石。

进一步地，在上述实施方式的基础上，该芯片还包括钝化层，设置于所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料的表面。

实施例三

本发明提供的一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片的制备方法，实施例一中的LED芯片采用如下方法制备而成，具体地，该方法包括：

选择蓝宝石作为衬底(11)；

在所述衬底(11)上生长蓝光材料，其中，所述蓝光材料包括GaN；

对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽；

在所述红光灯芯槽中生长红光材料；

对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽；

在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料；

刻蚀所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料以形成白光材料；

分别在所述蓝光材料、所述红光材料、所述绿光材料和所述白光材料上制备电极，以完成基于GaN材料的多色横向结构LED芯片的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图6，图6为在所述衬底上生长蓝光材料的流程示意图，具体方法可以为：

在所述衬底(11)上生长第一GaN缓冲层(101)；

在所述第一GaN缓冲层(101)上生长第一GaN稳定层(102)；

在所述第一GaN稳定层(102)上生长第一n型GaN层(103)；

在所述第一n型GaN层(103)上生长第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)包括多个GaN势垒层(104a)和多个InGaN量子阱层(104b)，其中，所述GaN势垒层(104a)和所述InGaN量子阱层(104b)交替排布，即，所述GaN势垒层(104a)和InGaN量子阱层(104b)呈周期排布。在一种实施方式中，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层的周期为8～30。并且，每个所述InGaN量子阱层(104b)厚度为1.5～3.5纳米，In的含量为10～20％；每个所述GaN势垒层(104a)厚度为5～10纳米；优选地，InGaN量子阱(104b)的生长温度为650～750℃，GaN势垒(104a)的生长温度为750～850℃；In含量还可以依据光波长需求而确定，In含量越高，光波波长越长，典型地，所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层的周期为20。具体地，请参见图7，图7为本发明提供的一种第一InGaN/GaN多量子阱有源层结构示意图。

在所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)上生长第一p型AlGaN阻挡层(105)；

在所述第一p型AlGaN阻挡层(105)上生长第一p型GaN层(106)，以完成蓝光材料的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成红光灯芯槽，包括：

采用PECVD工艺在所述第一p型GaN层(106)上淀积厚度为300～800纳米的第一SiO₂层；

采用湿法刻蚀工艺在所述第一SiO₂层上特定位置处刻蚀至少一个第一矩形窗口；所述第一矩形窗口长度或宽度均大于50微米且小于300微米；

在所述第一矩形窗口范围内沿着与所述衬底(11)垂直的方向采用干法刻蚀工艺持续刻蚀所述蓝光材料，直至刻蚀至所述衬底(11)的上表面处以形成第一凹槽；随后，去除所述第一SiO₂层；

在所述第一p型GaN层(106)上表面、所述衬底(11)的上表面及所述第一凹槽的侧壁沉淀厚度为20～100纳米的第二SiO₂层；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一p型GaN层(106)上表面及所述衬底(11)的上表面的第二SiO₂层以在所述第一凹槽的侧壁形成第一SiO₂隔离壁(12)，所述第一SiO₂隔离壁(12)用于隔离所述蓝光材料与所述红光材料。具体地，请参见图8，图8为本发明提供的第一SiO₂隔离壁的位置示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图9，图9为本发明提供的在所述红光灯芯槽中生长红光材料的流程示意图，在所述红光灯芯槽中生长红光材料具体可以按照如下方式进行：

在所述红光灯芯槽中生长厚度为2000～3000纳米的第二GaN缓冲层(401)；

在所述第二GaN缓冲层(401)上生长厚度为1000～2000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁸cm^-3的n型GaAs缓冲层(402)；

在所述GaAs缓冲层(402)上生长厚度为500～1000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3的n型GaAs稳定层(403)；

在所述GaAs稳定层(403)上生长GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)；

所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)包括多个GalnP势垒层(404a)和多个A1GaInP势垒层(404b)，其中，所述GalnP势垒层(404a)和所述A1GaInP势垒层(404b)交替排布，即，所述多个GalnP势垒层(404a)和所述多个A1GaInP势垒层(404b)呈周期性排布，并且，每个所述A1GaInP势垒层(404b)厚度为5～10纳米，Al的含量为10～40％；每个所述GalnP势垒层(404a)厚度为5～10纳米；具体地，请参见图10，图10为本发明提供的一种GalnP/A1GaInP多量子阱有源层结构示意图。

在所述GalnP/A1GaInP多量子阱有源层(404)上生长p型A1GaInP阻挡层(405)；

在所述p型A1GaInP阻挡层(405)上生长厚度为100～500纳米、掺杂浓度为1×10¹⁷～1×10¹⁹cm^-3的p型GaAs接触层(406)，以完成红光材料的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，对所述蓝光材料进行选择性刻蚀以形成绿光灯芯槽，包括：

采用PECVD工艺在所述第一p型GaN层(106)上淀积厚度为300～800纳米的第三SiO₂层；

采用湿法刻蚀工艺在所述第三SiO₂层上特定位置处蚀处至少一个第二矩形窗口；所述第二矩形窗口的长度或宽度均大于50微米且小于300微米；

在所述第二矩形窗口范围内沿着与所述衬底(11)垂直的方向采用干法刻蚀工艺持续刻蚀所述蓝光材料，直至刻蚀至所述衬底(11)的上表面处以形成第二凹槽；随后，去除所述第三SiO₂层；

在所述第一p型GaN层(106)上表面、所述衬底(11)的上表面及所述第二凹槽的侧壁沉淀厚度为20～100纳米的第四SiO₂层；

采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一p型GaN层(106)上表面及所述衬底(11)的上表面的第四SiO₂层以在所述第二凹槽的侧壁形成第二SiO₂隔离壁(22)，所述第二SiO2隔离壁(22)用于隔离所述红光材料与所述绿光材料。具体地，请参见图11，图11为本发明提供的为本发明提供的第二SiO₂隔离壁的位置示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，请参见图12，图12为本发明提供的在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料的流程示意图，在所述绿光灯芯槽中生长绿光材料具体可以为：

在所述绿光灯芯槽中生长厚度为3000～5000纳米的第三GaN缓冲层(201)；

在所述第三GaN缓冲层(201)上生长厚度为500～1500纳米的第二GaN稳定层(202)；

在所述第二GaN稳定层(202)上生长厚度为200～1000纳米、掺杂浓度为1×10¹⁸～5×10¹⁹cm^-3的第二n型GaN层(203)；

在所述第二n型GaN层(203)上生长第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)；

在所述第二InGaN/GaN多量子阱有源层(204)上生长第二p型AlGaN阻挡层(205)；所述第二p型AlGaN阻挡层(205)包括多个GaN势垒层(204a)和多个InGaN量子阱层(204b)，其中，所述GaN势垒层(204a)和所述InGaN量子阱层(204b)交替排布，并且，每个所述InGaN量子阱层(204b)厚度为1.5～3.5纳米，In的含量为30～40％；每个所述GaN势垒层(204a)厚度为5～10纳米；

在所述第二p型AlGaN阻挡层(205)上生长厚度为100～300纳米的第二p型GaN层(206)，以完成绿光材料的制备。

进一步地，在上述实施方式的基础上，刻蚀所述蓝光材料、所述红光材料及所述绿光材料以形成白光材料，包括：

在所述(106)、所述(12)、所述(406)、所述(22)、所述(206)及所述(22)上表面淀积厚度为300～800纳米的第五SiO₂层；

采用湿法刻蚀工艺在所述第五SiO₂层上特定位置处刻蚀一个第三矩形窗口；所述第三矩形窗口的长度大于30微米，宽度大于5微米；

在所述第三矩形窗口范围内沿着与所述衬底(11)垂直的方向采用干法刻蚀工艺持续刻蚀，直至刻蚀至所述衬底(11)的上表面处以形成第三凹槽；随后，去除所述第五SiO₂层；

在所述第三凹槽内淀积SiO₂以形成第三SiO₂隔离壁(42)，所述第三SiO₂隔离壁(42)将所述蓝光材料分隔成第一蓝光子材料和第二蓝光子材料，将所述红光材料分隔成第一红光子材料和第二红光子材料，将所述绿光材料分隔成第一绿光子材料和第二绿光子材料，其中，所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的一侧，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料分布在所述第三SiO₂隔离壁(42)的另一侧；所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料用于合成所述白光材料。

在本实施方式中，所述第二蓝光子材料、第二红光子材料及所述第二绿光子材料组合在一起用于合成所述白光材料，具体地，第二蓝光子材料可以产生蓝光，第二红光子材料可以产生红光，第二绿光子材料可以产生绿光，蓝光、红光和绿光安装一定的比例混合即可形成白光。在另一种实施方式中，也可将所述第一蓝光子材料、第一红光子材料及所述第一绿光子材料组合在一起用于合成所述白光材料。也就是说，所述第三SiO₂隔离壁(42)一侧的蓝光材料、红光材料及绿光材料的组合用于生产白光，另一侧的蓝光材料、红光材料及绿光材料独立分别产生蓝光、红光和绿光。具体地，请参见图13，图13为本发明提供的一种以SiO₂隔离壁的方式将蓝光材料、红光材料和绿光材料进行隔离的示意图。

进一步地，在上述实施方式的基础上，分别在所述蓝光材料、所述红光材料、所述绿光材料和所述白光材料上制备电极，包括：

在所述第一蓝光子材料上制备第一蓝光正电极和第一蓝光负电极；

在所述第二蓝光子材料上制备第二蓝光正电极和第二蓝光负电极；

在所述第一红光子材料上制备第一红光正电极和第一红光负电极；

在所述第二红光子材料上制备第二红光正电极和第二红光负电极；

在所述第一绿光子材料上制备第一绿光正电极和第一绿光负电极；

在所述第二绿光子材料上制备第二绿光正电极和第二绿光负电极。

进一步地，在上述实施方式的基础上，在所述蓝光材料、所述红光材料、所述绿光材料和所述白光材料上制备电极之后，还包括：

对所述衬底(11)进行减薄处理，以使所述衬底(11)的厚度不超过150微米；

在所述衬底(11)的底部镀金属反射层，所述金属反射层的材料为Al、Ni或者Ti。

本发明还提供一种基于GaN材料的多色横向结构LED芯片，所述芯片采用以上任一种实施方式提及的方法制备而成。

本发明还提供一种在蓝光材料上制备电极的方法，在红光材料或者在绿光材料上制备电极可采用类似的方法。该方式包括：

采用PECVD工艺在所述蓝光材料上淀积厚度为300-800纳米的第六SiO₂层；典型地，第六SiO₂层的厚度为500纳米。

利用湿法刻蚀工艺，沿着与所述衬底(11)垂直的方向选择性刻蚀所述第六SiO₂层、所述第一p型GaN层(106)、所述第一p型AlGaN阻挡层(105)及所述第一InGaN/GaN多量子阱有源层(104)，以在所述第一n型GaN层(103)的上表面形成第四凹槽；

去除所述第六SiO₂层，在所述第一p型GaN层(106)上表面及所述第四凹槽底部及淀积厚度为300-800nm的第七SiO₂层；

选择性刻蚀所述第七SiO₂层，以在所述第一p型GaN层(106)上表面形成第一上电极引线孔，在所述第一n型GaN层(103)上表面形成第一下电极引线孔；

在所述第一上电极引线孔及所述第一下电极引线孔底部淀积Cr/Pt/Au材料；其中，Cr的厚度为20-40nm，Pt的厚度为20-40nm，Au的厚度为800-1500nm；典型地，Cr的厚度为30nm，Pt的厚度为30nm，Au的厚度为1200nm。

采用退火工艺在所述第一p型GaN层(106)及所述第一n型GaN层(103)与所述Cr/Pt/Au材料接触界面处形成金属化合物；

去除所述Cr/Pt/Au材料，在所述金属化合物表面淀积金属并光刻所述金属以形成所述电极；

对所述电极、所述第一p型GaN层(106)及所述第一n型GaN层(103)的表面淀积SiO₂钝化层；选择性刻蚀所述SiO₂钝化层以露出所述电极。具体地，请参见图14，图14为本发明提供的包括电极的蓝光材料结构示意图。图14中的41为第一上电极引线孔对应的电极，42为第一下电极引线孔对应的电极。

本实施例提供的LED芯片，红光材料，蓝光材料和绿光材料上分别设有各自电极，这些电极可独立地与驱动电压端相连，因此，可以方便的控制该LED芯片发出红光、蓝光和绿光中的任意一种或几种的组合，因此，该LED芯片发光的光谱波长可灵活控制。

与现有技术相比，本发明提供的基于GaN材料的多色横向结构LED芯片具有以下有益效果：

1.在单芯片能产生多种颜色的光，可以不额外增加荧光粉；

2.集成度提高，LED成本可以下降；

3.色温调节更加灵活。

综上，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。