1.一种搪锡方法，其特征在于，该方法包括如下步骤，(1)将需要搪锡的电子元件去氧化处理；
(2)搪锡处理：将步骤(1)处理后的电子元件依次浸入至助焊剂、锡锅中，进行搪锡；
(3)冷却处理：将步骤(2)搪锡后的电子元件经冷却、清洗，得到成品。
2.根据权利要求1所述的搪锡方法，其特征在于，步骤(1)中采用去氧化液对电子元件去氧化处理，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1-4的体积比配制而成。
3.根据权利要求2所述的搪锡方法，其特征在于，步骤(1)中去氧化处理时，采用的去氧化液温度为25℃-98℃。
4.根据权利要求3所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，采用温度为90℃-98℃的去氧化液进行去氧化处理。
5.根据权利要求3所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，采用温度为25℃的去氧化液进行去氧化处理。
6.根据要求2所述的搪锡方法，其特征在于，步骤(1)去氧化处理的时间为90s-240s。
7.根据权利要求6所述的搪锡方法，其特征在于，氧化液为浓硫酸与水按照1:1的体积比配制而成，去氧化处理的时间为90s-98s。
8.根据权利要求6所述的搪锡方法，其特征在于，去氧化液为浓硫酸与水按照1:4的体积比配制而成，去氧化处理的时间为2min-4min。
9.根据权利要求1所述的搪锡方法，其特征在于，步骤(2)中，先将电子元件的1/3浸入到助焊剂中，再将电子元件全部浸入到锡锅中；在步骤(2)进行电子元件的搪锡处理时，电子元件浸入锡锅蘸锡三次，每次电子元件完全浸入至锡锅中保持的时间为1S；步骤(2)搪锡处理的温度为260℃-280℃；步骤(3)中将搪锡后的电子元件冷却至25℃再进行清洗；所述的步骤(3)电子元件冷却完成后进行清洗时，先在40℃-50℃的温水下冲洗15-20min，再用细毛刷轻刷电子元件表面；用细毛刷轻刷电子元件表面后，将电子元件完全浸入煮沸的开水中浸泡30-35min；步骤(3)中清洗时使用的洗液为纯净水。
10.一种电子元件，其特征在于，该电子元件由权利要求1-9任一项制备方法制得而成。