一种应用于衰减芯片或负载芯片的连接结构的制作方法

1.本申请属于无源器件技术领域，更具体地说，是涉及一种应用于衰减芯片或负载芯片的连接结构。


背景技术：

2.衰减芯片和负载芯片均为电路中应用非常广泛的一种无源器件之一，具有物理体积小、设计灵活、集成度高、便于安装等优点，其中，衰减芯片或负载芯片一般通过插针固定于相应的微波元件中，被广泛应用至航空、航天、电台、广播通讯、无线电测试仪、通讯信号载波、雷达等设备领域。
3.衰减芯片或负载芯片与插针的连接方式一般为采用弹性材质进行固定或通过焊接进行固定。采用弹性材质进行固定时，轴向力或径向力会传递至衰减芯片或负载芯片上，使其易受到冲击易导致信号传递中断。因此，目前大多改用焊接方式将衰减芯片或负载芯片与插针进行固定。现有技术中，在进行焊接时，通常需要从侧面在插针的凹槽内放置足量的锡膏，并将衰减芯片或负载芯片直接挤入设有锡膏的凹槽中，实现焊接。但采用该种方式锡膏易被从凹槽侧面挤出，焊透率难保证，焊接面易存在缝隙，且先在插针凹槽中注入锡膏再进行连接，难以保证焊接位置的精度，易导致焊接错位。


技术实现要素：

4.本申请的目的在于提供一种连接结构，旨在解决现有技术中插针与衰减芯片或负载芯片进行焊接时，焊透率难保证且易导致焊接错位的技术问题。
5.为实现上述目的，本申请提供了一种连接结构，应用于衰减芯片，包括：
6.过渡插针，一端设有用于夹持上述衰减芯片的凹槽，两个上述过渡插针分别通过上述凹槽与上述衰减芯片的输入端和输出端焊接；其中，上述凹槽的侧面设有贯穿上述过渡插针的通孔，用于向上述输入端或输出端的焊接位置注入锡膏。
7.可选的，上述过渡插针在上述通孔位置的外周面设有沿上述过渡插针中轴线向内倾斜的斜角，用于调整上述衰减芯片的电性能。
8.可选的，上述过渡插针的另一端呈锥形，用于将上述衰减芯片连接至衰减器中。
9.可选的，上述凹槽为c形槽，上述凹槽的上下两侧面均设有贯穿上述过渡插针的上述通孔；上述过渡插针与上述衰减芯片双面焊接。
10.本申请还提供了一种连接结构，应用于负载芯片，包括：
11.过渡插针，一端设有用于夹持上述负载芯片的凹槽，上述过渡插针通过上述凹槽与上述负载芯片的输入端焊接；其中，上述凹槽的侧面设有贯穿上述过渡插针的通孔，用于向上述输入端的焊接位置注入焊锡膏。
12.可选的，上述过渡插针在上述通孔位置的外周面设有沿上述过渡插针中轴线向内倾斜的斜角，用于调整上述负载芯片的电性能。
13.可选的，上述过渡插针的另一端呈锥形，用于将上述负载芯片连接至相应设备中。
14.可选的，上述凹槽为c形槽，上述凹槽的上下两侧面均设有贯穿上述过渡插针的上述通孔；上述过渡插针与上述负载芯片双面焊接。
15.本申请提供的一种连接结构的有益效果在于：与现有技术相比，本申请提供的连接结构，通过在过渡插针的一端设置凹槽，并在凹槽的侧面设有贯穿所述过渡插针的通孔，实现焊接前可先对过渡插针与衰减芯片或负载芯片之间的位置进行调整，保证焊接位置的精准；然后再向焊接位置注入焊锡膏，实现过渡插针与衰减芯片或负载芯片的焊接，保证了焊接面的焊透率。
附图说明
16.为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1为本申请实施例提供的一种应用于衰减芯片的连接结构的结构示意图；
18.图2为本申请实施例提供的一种应用于衰减芯片的连接结构的侧视图；
19.图3为本申请实施例提供的一种过渡插针的结构示意图；
20.图4为本申请实施例提供的一种应用于负载芯片的连接结构的结构示意图。
21.图中：10-衰减芯片；101-衰减电路；20-过渡插针；201-通孔；202-凹槽；203-斜角；30-负载芯片；301-负载电路。
具体实施方式
22.为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
23.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
24.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
25.如图1-3所示，本申请实施例提供了一种连接结构，应用于衰减芯片10，包括：过渡插针20，一端设有用于夹持上述衰减芯片10的凹槽202，两个上述过渡插针20分别通过上述凹槽202与上述衰减芯片10的输入端和输出端焊接；其中，上述凹槽202的侧面设有贯穿上述过渡插针的通孔201，用于向上述输入端或输出端的焊接位置注入锡膏。
26.具体的，衰减芯片10的正面设有衰减电路101，上述衰减芯片10的输入端和输出端即为衰减电路101的输入端和输出端，两个上述过渡插针20分别通过上述凹槽202夹持于上述输入端和输出端，并在将通孔201的位置调整至相应的焊接位置后，通过通孔201向凹槽202内的焊接位置注入锡膏，实现衰减芯片10与两个过渡插针20的焊接。其中，衰减电路101
可为通过导体浆料或电阻浆料印刷于衰减芯片10正面的电路。
27.由上可知，本申请提供的连接结构，通过在过渡插针20的一端设置凹槽202，并在凹槽202的侧面设有贯穿所述过渡插针的通孔201，实现焊接前可先对过渡插针20和衰减芯片10的位置进行调整，保证焊接位置的精准；然后再向焊接位置注入焊锡膏，实现过渡插针20与衰减芯片10的焊接，保证了焊接面的焊透率。
28.可选的，上述过渡插针20在上述通孔201位置的外周面设有沿上述过渡插针20中轴线向内倾斜的斜角203，用于调整上述衰减芯片10的电性能。
29.具体的，斜角203的倾斜角度可根据实际需要进行调整，由于过渡插针20为导体，因此，通过调整斜角203的倾斜角度可改变过渡插针20的直径，调整阻抗，从而实现对衰减芯片10电性能的调整。同时，通过在通孔201位置的外周面设置斜角203，减小了过渡插针20的直径，便于打出通孔201。
30.可选的，上述过渡插针20的另一端呈锥形，用于将上述衰减芯片10连接至衰减器中。
31.可选的，上述衰减芯片10呈矩形，上述衰减电路101的输入端和输出端分别设于上述衰减芯片10宽度方向中心位置的两侧。
32.具体的，在实际应用中，需要将衰减芯片10与衰减器中的导体进行连接，通过将过渡插针20的另一端设为锥形，便于将其插入衰减器内导体在相应位置设置的插孔中，实现将衰减芯片10通过焊接于其两侧的两个过渡插针20固定至衰减器的相应位置。
33.可选的，上述凹槽202为c形槽，上述凹槽202的上下两侧面均设有贯穿上述过渡插针的通孔201，上述过渡插针20与上述衰减芯片10双面焊接。通过凹槽202上下两侧面的通孔201分别向上述衰减芯片10正面和背面的焊接位置注入锡膏，实现双面焊接，使得过渡插针20与衰减芯片10的连接更加稳固，当在衰减器内进行转动时，轴向力或径向力不会传递至衰减芯片10，收到冲击时，信号传递也不易中断，同时，通过焊接进行固定，其使用寿命比通过弹簧等弹性材质固定的结构更长。
34.在一种应用场景中，本申请实施例提供的一种连接结构在对过渡插针20和衰减芯片10进行焊接时，具体步骤如下：
35.1)将两个过渡插针20分别设置于衰减芯片10上衰减电路101的输入端和输出端；
36.2)对安装位置进行调整，使两过渡插针20的通孔201均与相应输入端及输出端的中心位置相对应；
37.3)通过两过渡插针20的通孔201分别向相应输入端及输出端的焊接位置(即中心位置)注入足量锡膏，使得两过渡插针20分别与衰减芯片10正面的衰减电路101焊接；
38.4)将衰减芯片10翻转，通过两过渡插针20位于凹槽202下侧面的通孔201向衰减芯片10背面的相应位置注入锡膏，完成两过渡插针20与衰减芯片10的双面焊锡。
39.如图4所示，本申请实施例还提供了一种连接结构，应用于负载芯片30，包括：过渡插针20，一端设有用于夹持上述负载芯片30的凹槽202，上述过渡插针20通过上述凹槽202与上述负载芯片30的输入端焊接；其中，上述凹槽202的侧面设有贯穿上述过渡插针的通孔201，用于向上述输入端的焊接位置注入焊锡膏。
40.具体的，负载芯片30的正面设有负载电路301，上述负载芯片30的输入端和输出端即为负载电路301的输入端和输出端，上述过渡插针20通过上述凹槽202夹持于上述输入
端，并在将通孔201的位置调整至相应的焊接位置后，通过通孔201向凹槽202内的焊接位置注入锡膏，实现负载芯片30与过渡插针20的焊接。其中，负载电路301可为通过导体浆料或电阻浆料印刷于负载芯片30正面的电路。
41.由上可知，本申请提供的连接结构，通过在过渡插针20的一端设置凹槽202，并在凹槽202的侧面设有贯穿所述过渡插针的通孔201，实现焊接前可先对过渡插针20和负载芯片30的位置进行调整，保证焊接位置的精准；然后再向焊接位置注入焊锡膏，实现过渡插针20与负载芯片30的焊接，保证了焊接面的焊透率。
42.可选的，上述过渡插针20在上述通孔位置201的外周面设有沿上述过渡插针中轴线向内倾斜的斜角203，用于调整上述负载芯片30的电性能。
43.具体的，斜角203的倾斜角度可根据实际需要进行调整，由于过渡插针20为导体，因此，通过调整斜角203的倾斜角度可改变过渡插针20的直径，调整阻抗，从而实现对负载芯片30电性能的调整。同时，通过在通孔201位置的外周面设置斜角203，减小了过渡插针20的直径，便于打出通孔201。
44.可选的，上述过渡插针20的另一端呈锥形，用于将上述负载芯片30连接至相应设备中。
45.可选的，上述负载芯片30呈矩形，上述负载电路301的输入端设于上述负载芯片30宽度方向中心位置的一侧。
46.具体的，在实际应用中，需要将负载芯片30与相应设备内的导体进行连接，通过将过渡插针20的另一端设为锥形，便于将其插入设备内导体在相应位置设置的插孔中，实现将负载芯片30通过焊接于其一侧的过渡插针20固定至设备的相应位置。
47.可选的，上述凹槽202为c形槽，上述凹槽202的上下两侧面均设有贯穿上述过渡插针的通孔201；上述过渡插针20与上述负载芯片30双面焊接。通过凹槽202上下两侧面的通孔201分别向上述负载芯片30正面和背面的焊接位置注入锡膏，实现双面焊接，使得过渡插针20与负载芯片30的连接更加稳固，当在设备内进行转动时，轴向力或径向力不会传递至负载芯片30，收到冲击时，信号传递也不易中断，同时，通过焊接进行固定，其使用寿命比通过弹簧等弹性材质进行固定更长。
48.在一种应用场景中，本申请实施例提供的一种连接结构在对过渡插针20和负载芯片30进行焊接时，具体步骤如下：
49.1)将过渡插针20设置于负载芯片30上负载电路301的输入端；
50.2)对安装位置进行调整，使过渡插针20的通孔201与输入端的中心位置相对应；
51.3)通过过渡插针20的通孔201向凹槽202内输入端的焊接位置(即中心位置)注入足量锡膏，使得过渡插针20与负载芯片30正面的负载电路301焊接；
52.4)将负载芯片30翻转，通过过渡插针20位于凹槽202下侧面的通孔201向负载芯片30背面的相应位置注入锡膏，完成过渡插针20与负载芯片30的双面焊锡。
53.以上对本申请实施例提供的一种应用于衰减芯片或负载芯片的连接结构进行了详细说明，对于本领域的一般技术人员，依据本申请实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制，凡依本申请设计思想所做的任何改变都在本申请的保护范围之内。