一种石英晶片的加工方法与流程

1.本发明涉及石英晶片加工技术领域，尤其涉及一种石英晶片的加工方法。


背景技术：

2.石英是主要造岩矿物。石英是一种物理性质和化学性质均十分稳定的矿产资源，晶体属三方晶系的氧化物矿物。石英块又名硅石，主要是生产石英砂的原料，也是石英耐火材料和烧制硅铁的原料。石英是由二氧化硅组成的矿物，化学式sio2。纯净的石英无色透明，因含微量色素离子或细分散包裹体，或存在色心而呈各种颜色，并使透明度降低。用于制造硅胶、水玻璃及各种硅化物和硅酸盐，用作塑料、橡胶的填料。还广泛用于玻璃、陶瓷、石油、冶金、铸造、建材等部门。
3.对于石英晶片的加工一般首先对于石英棒的圆柱体进行切割，切割成晶片形状。但是在切割时，是直接对于石英棒进行切割不具有保护措施，如此这样，会对石英棒切割时产生细微的破碎裂纹或者造成应力集中产生更大的破坏。同时对于切割而成的石英晶片在研磨时未加一定的保护措施便进行研磨表面，也会造成一定的裂纹影响，因此在石英晶片的加工过程中保护措施必不可少。同时，对于制作完成的石英晶片，需要一定清洗表面，才能作为合格的晶圆生产要求。


技术实现要素：

4.本发明提供了一种加工过程中具有保护能力、使用专用工具便于切割、提高生产效率且成品完成度高、良品率高的石英晶片的加工方法。
5.本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是：
6.一种石英晶片的加工方法，其步骤包括：
7.步骤一：半成品石英棒的整个表面贴敷满保护切割膜，再将石英棒放置在切割时的专用切割夹具里，石英棒的头部、尾部与两侧均用专用切割夹具夹紧；
8.步骤二：将带有石英棒的专用切割夹具固定在激光切割机上，对石英棒进行切割片处理，在切割的同时并喷洒切割液在激光与石英棒的接触处；
9.步骤三：石英棒经过激光切割成为石英晶片，将石英晶片放置在除胶剂里浸泡，在烘干机里进行烘干；
10.步骤四：烘干后的石英晶片，在石英晶片的整个表面贴敷满研磨保护膜，再将石英晶片放置在研磨机，对石英晶片的表面研磨5-6分钟，研磨完毕使用除胶剂进行除胶，除胶完毕进行烘干；
11.步骤五：将打磨后的石英晶片放置在抛光机里进行抛光处理，抛光处理后使用清洗剂进行清洗，清洗后烘干处理，石英晶片制作完成。
12.进一步地，所述步骤三、步骤四与步骤五中的石英晶片的厚度为1-2mm。
13.进一步地，所述步骤三与步骤四中的除胶剂需先进行1:20的比例稀释成工作液，再加热到40-60℃，浸泡时间为4-6分钟，所述步骤三与步骤四中的烘干时间为10分钟，烘干
温度为40-50℃。
14.进一步地，所述步骤四中的研磨保护膜为uv膜，所述步骤五中的烘干时间为10分钟，烘干温度为40-50℃。
15.进一步地，所述步骤一中的保护切割膜为uv膜。
16.进一步地，所述步骤五的清洗剂为浓h2so4/h2o2溶液，使用时先进行1:2倍或1:2.5倍稀释，再加热到50-60℃，清洗时间为5-10分钟。
17.本发明具有以下有益效果：
18.保护切割膜为将保护涂料涂布于以pet为基材的uv膜，可在进行切割时，保护石英棒的表面，减少微小裂纹的产生，以及减小应力集中，同时在喷洒切割液，双重保护，具有保护能力，避免石英晶片切割时受到破坏；专用切割夹具方便固定，方便切割，保证了切割的效率；研磨保护膜可以使得研磨时，保护石英晶片，免受石英晶片产生微小裂纹，提高石英晶片加工的良品率；制作完成的石英晶片采用专用的清洗剂溶剂，对其进行表面清洗，使得石英晶片的加工完成度高。
附图说明
19.图1为本发明的专用切割夹具结构示意图。
20.图例说明：1、承板；2、围板；3、挡块；4、夹杆；5、伸缩筒；6、弹簧；7、夹板。
具体实施方式
21.为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本发明，但下述实施例仅仅为本发明的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其他实施例，都属于本发明的具体实施例。
22.具体实施例1：
23.一种石英晶片的加工方法，其步骤包括：
24.步骤一：半成品石英棒的整个表面贴敷满保护切割膜，再将石英棒放置在切割时的专用切割夹具里的夹板之间，如图1所示的专用切割夹具，石英棒的头部、尾部与两侧均用专用切割夹具夹紧；
25.步骤二：将带有石英棒的专用切割夹具固定在激光切割机上，对石英棒进行切割片处理，在切割的同时并喷洒切割液在激光与石英棒的接触处；
26.步骤三：石英棒经过激光切割成为石英晶片，将石英晶片放置在除胶剂里浸泡，在烘干机里进行烘干；
27.步骤四：烘干后的石英晶片，在石英晶片的整个表面贴敷满研磨保护膜，再将石英晶片放置在研磨机，对石英晶片的表面研磨5分钟，研磨完毕使用除胶剂进行除胶，除胶完毕进行烘干；
28.步骤五：将打磨后的石英晶片放置在抛光机里进行抛光处理，抛光处理后使用清洗剂进行清洗，清洗后烘干处理，石英晶片制作完成。
29.步骤三、步骤四与步骤五中的石英晶片的厚度为1mm。
30.步骤三与步骤四中的除胶剂需先进行1:20的比例稀释成工作液，再加热到40℃，
浸泡时间为4分钟，步骤三与步骤四中的烘干时间为10分钟，烘干温度为40℃。
31.步骤四中的研磨保护膜为uv膜，步骤五中的烘干时间为10分钟，烘干温度为40℃。
32.步骤一中的保护切割膜为uv膜。
33.步骤五的清洗剂为浓h2so4/h2o2溶液，使用时先进行1:2倍稀释，再加热到50℃，清洗时间为7分钟。
34.具体实施例2：
35.一种石英晶片的加工方法，其步骤包括：
36.步骤一：半成品石英棒的整个表面贴敷满保护切割膜，再将石英棒放置在切割时的专用切割夹具里的夹板之间，如图1所示的专用切割夹具，石英棒的头部、尾部与两侧均用专用切割夹具夹紧；
37.步骤二：将带有石英棒的专用切割夹具固定在激光切割机上，对石英棒进行切割片处理，在切割的同时并喷洒切割液在激光与石英棒的接触处；
38.步骤三：石英棒经过激光切割成为石英晶片，将石英晶片放置在除胶剂里浸泡，在烘干机里进行烘干；
39.步骤四：烘干后的石英晶片，在石英晶片的整个表面贴敷满研磨保护膜，再将石英晶片放置在研磨机，对石英晶片的表面研磨6分钟，研磨完毕使用除胶剂进行除胶，除胶完毕进行烘干；
40.步骤五：将打磨后的石英晶片放置在抛光机里进行抛光处理，抛光处理后使用清洗剂进行清洗，清洗后烘干处理，石英晶片制作完成。
41.步骤三、步骤四与步骤五中的石英晶片的厚度为2mm。
42.步骤三与步骤四中的除胶剂需先进行1:20的比例稀释成工作液，再加热到60℃，浸泡时间为6分钟，步骤三与步骤四中的烘干时间为10分钟，烘干温度为50℃。
43.步骤四中的研磨保护膜为uv膜，步骤五中的烘干时间为10分钟，烘干温度为50℃。
44.步骤一中的保护切割膜为uv膜。
45.步骤五的清洗剂为浓h2so4/h2o2溶液，使用时先进行1:2.5倍稀释，再加热到60℃，清洗时间为8分钟。
46.以上具体实施方式显示和描述了本发明的原理、特征和优点，并不用以限制本创作，凡是利用本创作对其进行非实质性的改动，均应属于侵犯本发明的保护范围的行为。