陶瓷劈刀及其制备方法和应用与流程

1.本发明涉及陶瓷领域，特别是涉及一种陶瓷劈刀及其制备方法和应用。


背景技术：

2.陶瓷劈刀(ceramic bonding tool)是一种具有垂直方向孔的轴对称的陶瓷工具，属于精密微结构陶瓷部件。陶瓷劈刀是微电子加工领域引线键合(wire bondding)过程中使用的焊线工具，在封装技术中发挥了极其重要的作用。陶瓷劈刀具有硬度极高、绝缘、耐腐蚀、耐高温、表面光洁度高、尺寸精度高、使用寿命长等特点。陶瓷劈刀的运用使现代微电子行业向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。
3.陶瓷劈刀作为键合机的一种焊接针头，适用于可控硅、声表面波、led、二极管、三极管、ic芯片等线路的键合封装。将焊盘和引脚通过穿过陶瓷劈刀的导电线材形成很好的电子互连，从而阻止外界中的杂质对芯片等造成腐蚀。陶瓷劈刀的使用能够影响芯片的质量和生产的稳定性，因此。在微电子领域中，陶瓷劈刀是非常重要的部件。
4.传统的穿过陶瓷劈刀的导电线材一般为金线，但目前逐步由金线向铜线转变，其原因如下：(1)价格优势，同一规格的铜线成本只有金线的十分之一；(2)热、电学性能更优异，铜的电导率为0.62，比金0.42大，同时热导率也更高；相同条件下能承载更大的电流，也使得铜引线不仅可以用于功率器件中，还可以用于更小直径引线以适应高密度集成电路封装；(3)机械性能更优异，刚度优于金线，更适合细小间距引线键合；(4)焊点金属间化合物生长速度慢，因而其引线键合可靠性远高于金线。
5.然而，采用铜线作为导电线材问题在于其硬度比较大，易氧化，焊接难度更高，因而对陶瓷劈刀的性能要求更高。目前，采用与铜线配合的陶瓷劈刀的焊接效果较差，可靠性不足，并且陶瓷劈刀的使用寿命较短。


技术实现要素：

6.基于此，有必要提供一种陶瓷劈刀，该陶瓷劈刀有利于提高铜线作为导电线材时的焊接可靠性，使用寿命较长。
7.一种陶瓷劈刀，所述陶瓷劈刀具有工作面，所述工作面上具有多个的凹槽，所述凹槽为环状、多棱柱状、球缺状和锥状中的至少一种，所述工作面的表面粗糙度为0.05μm～1.5μm。
8.上述陶瓷劈刀的工作面上具有多个凹槽，且凹槽为环状、多棱柱状、球缺状和锥状中的至少一种，且工作面的表面粗糙度为0.05μm～1.5μm，使得上述陶瓷劈刀对铜线的抓线能力强，从而提高焊接的可靠性，提高焊接效果，并且上述陶瓷劈刀的使用寿命长。
9.在其中一个实施例中，所述工作面上设置有线孔，所述凹槽为环状，多个所述凹槽与所述线孔同心设置。
10.在其中一个实施例中，所述凹槽为三棱柱状、四棱柱状、五棱柱状或六棱柱状。
11.在其中一个实施例中，所述凹槽为圆锥状，所述凹槽的横截面在自所述凹槽的槽
口到所述凹槽的槽底方向上逐渐减小。
12.在其中一个实施例中，多个所述凹槽呈阵列排布。
13.在其中一个实施例中，所述凹槽为多棱柱状、球缺状和锥状中的至少一种，相邻两个所述凹槽的中心的距离为4μm～10μm。
14.一种陶瓷劈刀的制备方法，包括以下步骤：
15.采用激光在陶瓷基体的端面上进行打孔处理，以制备具有工作面的陶瓷劈刀，所述工作面具有多个凹槽，所述凹槽为环状、多棱柱状、球缺状及锥状中的至少一种，所述工作面的表面粗糙度为0.05μm～5μm。
16.在其中一个实施例中，所述采用激光在陶瓷基体的端面上进行打孔处理的步骤中，激光的波长为365nm～1064nm；激光的功率为0.02w～0.06w。
17.在其中一个实施例中，所述端面的表面粗糙度为0.01μm～0.03μm。
18.上述的陶瓷劈刀或上述的陶瓷劈刀的制备方法制得的陶瓷劈刀在半导体封装中的应用。
附图说明
19.图1为一实施例的陶瓷劈刀的工作面的示意图；
20.图2为另一实施例的陶瓷劈刀的工作面；
21.图3为另一实施例的陶瓷劈刀的工作面的局部示意图；
22.图4为另一实施例的陶瓷劈刀的工作面的示意图；
23.图5为另一实施例的陶瓷劈刀的工作面的示意图；
24.图6为实施例1的陶瓷劈刀进行焊接图；
25.图7为实施例5的陶瓷劈刀的工作面的扫描电镜图；
26.图8为实施例6的陶瓷劈刀的工作面的扫描电镜图。
27.附图标记：
28.110、工作面；120、凹槽；130、线孔。
具体实施方式
29.为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明公开内容更加透彻全面。
30.需要说明的是，当元件被表述“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当一个元件被表述“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件、或者其间可以存在一个或多个居中的元件。当使用术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”、“上”、“下”、“内”、“外”、“底部”等指示方位或位置关系时，是为基于附图所示的方位或位置关系，仅为了便于描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
31.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具
体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
32.在本文中“表面粗糙度”是指轮廓算术平均偏差ra，指在一定的取样长度内，轮廓上各点到轮廓中线距离绝对值的平均值。
33.本技术一实施方式提供了一种陶瓷劈刀，该陶瓷劈刀具有工作面110，工作面110上具有多个凹槽120，凹槽120为环状、多棱柱状、球缺状和锥状中的至少一种，工作面110的表面粗糙度为0.05μm～1.5μm。
34.具体地，陶瓷劈刀的工作面110是指引线键合时与焊盘相接触的表面。
35.在一个可选地具体实施例中，工作面110的表面粗糙度为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、或1.2μm。进一步地，工作面110的表面粗糙度为0.8μm～1.5μm。
36.具体地，陶瓷劈刀为毛细管劈刀(bonding capillary)或楔形劈刀(wedge)。毛细管劈刀用于球形引线键合，键合中会出现焊球；楔形劈刀用于楔形引线键合，键合中不出现焊球。
37.在一些实施例中，陶瓷劈刀的工作面110的材料包括氧化铝、红宝石单晶、氧化锆增韧氧化铝及碳化钨中的至少一种。可以理解的是，在其他实施例中，陶瓷劈刀的工作面110的材料不限于上述，还可以是其他材料。
38.在一些实施例中，多个凹槽120间隔设置。在另一些实施例中，多个凹槽120相互连通或相互交叠。
39.在一些实施例中，凹槽120为环状。在一个可选地具体示例中，凹槽120为圆环状。可以理解的是，在其他实施例中，凹槽120的形状不限于圆环状，还可以是其他环状。例如方环状、椭圆环状、五边形环、六边形环等。
40.在其中一个实施例中，凹槽120为环状。环状的凹槽120的宽度为1μm～6μm。在一个可选地具体示例中，环状的凹槽120的宽度为2μm、3μm、4μm或5μm。需要说明的是，在本文中，环状的凹槽120的宽度是指工作面110上的所有环状的凹槽120的宽度的平均值。
41.在一些实施例中，凹槽120为三棱柱状、四棱柱状(例如长方体或正方体)、五棱柱状(例如正五棱柱)或六棱柱状。在图1所示的实施例中，凹槽120为正六棱柱。可以理解的是，在其他实施例中，凹槽120的形状不限于上述的多棱柱状，还可以是其他柱状。
42.在其中一个实施例中，凹槽120为多棱柱状。工作面110的面积在20平方微米～400平方微米范围内。
43.在一些实施例中，凹槽120为球缺状。球被平面截下的一部分叫做球缺。截面叫做球缺的底面，垂直于截面的直径被截后，剩下的线段长叫做球缺的高。也即是说，球缺状的凹槽120的深度为球缺的高。在其中一个实施例中，球缺状的凹槽120的槽口的直径为1μm～10μm。
44.在一些实施例中，凹槽120为锥状。进一步地，凹槽120为圆锥状，凹槽120的横截面在自凹槽120的槽口到凹槽120的槽底方向上逐渐减小。可以理解的是，在其他实施例中，凹槽120的形状不限于圆锥状，还可以是其他锥状，例如三棱锥状。在其中一个实施例中，凹槽120的形状为锥状，多个锥状的凹槽120的槽口(锥体的底面)的面积的总和在20平方微米～400平方微米范围内。
45.在一些实施例中，相邻凹槽120的纵切面呈波浪状(例如正弦结构)。
46.在一些实施例中，凹槽120的内壁上还具有凹凸结构。需要说明的是，凹槽120的内
壁包括凹槽120的侧壁和底部。通过在凹槽120的内壁上设置凹凸结构，提高了凹槽120对导电线材的抓线能力，进而提高陶瓷劈刀对导电线材的抓线能力。
47.在一些实施例中，多个凹槽120呈阵列分布。可以理解的是，在其他实施例中，凹槽120的排布不限于阵列分布，还可以是其他排布。例如，在工作面110为圆面时，沿工作面110的中心周向排布。在图2所示的实施例中，线孔130为圆状，凹槽120沿线孔130的周向排布，各个凹槽120相互连通。又例如，多个凹槽120随机间隔排布。
48.在一些实施例中，多个凹槽120间隔设置，相邻两个凹槽120之间的距离为4μm～10μm。将相邻两个凹槽120之间的距离设置为4μm～10μm，可以使得陶瓷劈刀的抓线能力好。在一个可选地具体示例中，相邻两个凹槽120之间的距离为5μm、6μm、7μm或8μm。进一步地，相邻两个凹槽120之间的距离为7μm～8μm。需要说明的是，在凹槽120的形状为环状且多个环状的凹槽120按照同心设置时，相邻两个凹槽120之间的距离是指离中心较近的凹槽120的外壁与离线孔130较远的凹槽120的内壁之间的距离；除此外，相邻两个凹槽120之间的距离是指相邻的两个凹槽120的槽口的中心之间的距离。在工作面110上所有凹槽120中，相邻两个凹槽120之间的距离可以相等，也可以不相等。
49.在一些实施例中，凹槽120的深度为1μm～4μm。在一个可选地具体示例中，凹槽120的深度为1.5μm、2.0μm、2.5或3μm。需要说明的是，在本文中，凹槽120的深度是指工作面110上的所有凹槽120的深度的平均值。
50.请参阅图3，在一些实施例中，陶瓷劈刀为毛细管劈刀，陶瓷劈刀的工作面110上具有供导电线材(或称焊线)流出的线孔130。凹槽120为环状，多个凹槽120间隔并与线孔130同心设置。在图3所示的实施例中，线孔130为圆孔，凹槽120呈圆环状。可以理解的是，在其他实施例中，线孔130不限于圆孔，还可以是其他形状，例如方孔、三角形孔等等；凹槽120的形状也不限于圆环状，还可以是其他环状，例如方环状、椭圆环状、五边形环、六边形环等。在图4所示的实施例中，凹槽120呈六边形环状。可以理解的是，在其他实施例中，环状凹槽120也可以与线孔130不按照同心设置。例如在图5所示的实施例中，环状的凹槽120在线孔130周围间隔设置。
51.在其中一个实施例中，多个环状的凹槽120间隔设置并呈阵列排布。当然，多个环状的凹槽120也可以随机排布。在一些实施例中，在工作面110上的所有环状的凹槽中，相邻两个环状的凹槽120之间的平均间隔为1μm～4μm。在一个可选地具体示例中，在工作面110上的所有环状的凹槽中，相邻两个环状的凹槽120之间的平均间隔为1μm、1.5μm、2μm或2.5μm。需要说明的是，在图2所示的实施例中，相邻两个环状的凹槽120之间的间隔是指离线孔130较近的凹槽120的外壁与离线孔130较远的凹槽120的内壁之间的距离(即图3中的a)。相邻两个环状的凹槽120之间的平均间隔则是指工作面110上所有的相邻两个凹槽120之间的间隔的平均值。在图4中，相邻两个环状的凹槽120之间的间距是两个环状凹槽120的外壁之间的最短距离(即图5中的b)。在凹槽120为其他形状时，相邻两个的凹槽120之间的平均间隔可以类推。
52.可以理解的是，在一些实施例中，陶瓷劈刀为楔形劈刀。供导电线材穿过的线孔130贯穿陶瓷劈刀的侧面而非端面，此时陶瓷劈刀的工作面110上无供导电线材穿过的线孔130。此时，在凹槽120为环状时，多个环状的凹槽120以端面的中心为圆心同心设置或者按照其他方式设置，只要相互间隔即可。在凹槽120不为环状时，例如多棱柱状或锥状，可以按
照以端面的中心为圆心周向设置，也可以阵列排布。
53.上述陶瓷劈刀的工作面110上具有多个凹槽120，且凹槽120为环状、多棱柱状和锥状中的至少一种，且工作面110的表面粗糙度为0.05μm～1.5μm，使得上述陶瓷劈刀对铜线的抓线能力强，从而提高焊接的可靠性，提高焊接效果；并且上述陶瓷劈刀的使用寿命长，焊接极限键合点能达到1100000个。
54.此外，本技术一实施方式还提供了一种上述陶瓷劈刀的制备方法，包括以下步骤：采用激光在陶瓷基体的端面上进行打孔处理，以制备具有工作面的陶瓷劈刀。其中，工作面具有多个凹槽，凹槽为环状、多棱柱状、球缺状和锥状中的至少一种，工作面的表面粗糙度为0.05μm～1.5μm。
55.具体地，陶瓷基体为陶瓷劈刀的半成品。在一些实施例中，陶瓷基体上开设有供导电线材通过的线孔。例如在制备陶瓷基体的过程中就留有通孔以作为线孔。可以理解的是，在其他实施例中，陶瓷劈刀上的过孔可以在工作面制备完成之后制备。凹槽的具体可选形状、排布及深度如上文所述，工作面的表面粗糙度也如上文所述，此处不再赘述
56.在其中一个实施例中，陶瓷基体的用于制备工作面的端面的表面粗糙度为0.01μm～0.03μm。采用表面粗糙度为0.01μm～0.03μm的端面制备工作面，有利于采用激光处理。在一个可选地具体示例中，陶瓷基体的用于制备工作面的端面的表面粗糙度为0.01μm、0.015μm、0.02μm或0.03μm。
57.在一些实施例中，采用激光在陶瓷基体的端面上进行打孔处理的步骤中，激光的波长为365nm～1064nm；激光的功率为0.02w～0.06w。进一步地，激光的波长为365～1064nm；激光的功率为0.02～0.05w。
58.在一些实施例中，加工速度为不超过300mm/s。进一步地，加工速度为5mm/s～300mm/s。需要说明的是，加工速度是指激光打孔的速度。例如加工速度为300mm/s是指激光可以每秒移动300mm的距离。
59.在一些实施例中，加工的次数为1～50次。激光打孔是通过高功率密度、短时间停留(低于激光切割)的脉冲热源进行打孔的激光加工技术。加工的次数是指完成一个凹槽所需要打孔的次数，即制备一个凹槽的脉冲数。
60.在其中一个实施例中，采用波长为365nm～1024nm、功率为0.02w～0.04w的激光对陶瓷基体的端面进行轰击1～10次，制备具有工作面的陶瓷劈刀。
61.上述陶瓷劈刀的制备方法采用激光在陶瓷基体的端面上进行打孔处理是一种冷加工方式，对陶瓷材料表面损伤小。采用上述陶瓷劈刀的制备方法制得的陶瓷劈刀对铜线的抓线能力强，能提高陶瓷劈刀的焊接可靠性，提高焊线的使用寿命。
62.基于上述，本技术一实施方式还提供了一种上述陶瓷劈刀或上述陶瓷劈刀的制备方法制得的陶瓷劈刀在半导体封装中的应用。上述陶瓷劈刀应用到半导体封装中，能够提高焊线可靠性，延长焊线的使用寿命，同时提高封装效果。
63.此外，本技术一实施方式还提供了一种半导体封装方法，该半导体封装方法包括以下步骤：使用焊线和上述任一实施例的陶瓷劈刀，将芯片与封装框架焊接，以使芯片与所述封装框架电气导通。
64.在其中一个实施例中，焊线为金线、合金线或铜线。
65.上述半导体封装方法中采用上述陶瓷劈刀进行封装，可以提高焊线的可靠性，提
高焊线的使用寿命，提高封装效果好。
66.具体实施例
67.以下结合具体实施例进行详细说明。以下实施例如未特殊说明，则不包括除不可避免的杂质外的其他组分。实施例中采用试剂和仪器如非特别说明，均为本领域常规选择。实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规条件，例如文献、书本中所述的条件或者生产厂家推荐的方法实现。
68.实施例1
69.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
70.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为1064nm，激光的频率为200khz，加工速度100mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个凹槽，凹槽为球缺状，凹槽的槽口的平均直径为8μm，凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为7μm(部分凹槽有交叠)。
71.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为1.3微米；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为1500000个(即1.5kk)。本实施例对铜线的焊接效果如图6所示，由图6可以看出一焊球、二焊鱼尾形貌很好。
72.实施例2
73.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
74.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度100mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹槽，凹槽的横截面为正六边形，凹槽的槽口的平均面积为4.5平方微米，多个凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为6μm。
75.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60设备测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度为1.3μm；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为1200000个(即1.2kk)。
76.实施例3
77.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
78.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个凹槽，凹槽的横截面为菱形，菱形指的是槽口的形状，底部为圆形的，菱形的边长为6微米，多个凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为5μm(部分凹槽有交叠)。
79.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度为0.8μm；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊
接极限键合点数为1100000个(即1.1kk)。
80.实施例4
81.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
82.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹槽，凹槽为锥状，锥形槽口直径为8微米，多个凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为7μm(部分有交叠)。
83.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为1.3μm；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为1000000个(即1.0kk)。
84.实施例5
85.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
86.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹槽，凹槽为环状，多个凹槽的平均宽度为6微米，多个凹槽的平均深度为1.5μm，相邻两个凹槽之间的平均间隔为4μm。
87.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面如图7所示；本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为0.6μm；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为1400000个(即1.0kk)。
88.实施例6
89.本实施例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
90.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的分别功率0.3和0.2w，加工次数分别为3、1次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹槽，凹槽形状分布为连续的正弦状，多个凹槽的槽口的平均宽度为7微米，多个凹槽的平均深度为3.2μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为7μm。
91.测试：采用利用白光干涉仪测试本实施例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本实施例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本实施例的陶瓷劈刀的工作面如图8所示；本实施例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为0.6μm；本实施例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为1600000个(即1.6kk)。
92.对比例1
93.本对比例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
94.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的功率0.1w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹
槽，凹槽为圆柱状，多个凹槽的槽口的平均直径为11μm，多个凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽的槽口的中心之间的平均距离为12μm。
95.测试：采用利用白光干涉仪测试本对比例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本对比例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本对比例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为1.3μm；本对比例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为600000个(即0.6kk)。
96.对比例2
97.本对比例的陶瓷劈刀的制备方法包括以下步骤：
98.采用纳秒激光器按照预设形状在表面粗糙度为0.01μm的陶瓷基体的端面上打孔，制备具有工作面的陶瓷劈刀，其中，激光的波长为365nm，激光的频次为200khz，加工速度200mm/s，激光的功率0.7w，加工次数3次。制得的陶瓷劈刀的工作面上具有多个间隔的凹槽，凹槽为圆柱状，多个凹槽的槽口的平均直径为8μm，多个凹槽的平均深度为3μm，相邻两个凹槽之间的平均间隔为7μm。
99.测试：采用利用白光干涉仪测试本对比例制得的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra，并采用asm eagle 60方法测试本对比例制得的陶瓷劈刀的对铜线的焊接性能，结果如下：本对比例的陶瓷劈刀的工作面的表面粗糙度ra为1.3μm；本对比例的陶瓷劈刀对铜线的焊接极限键合点数为400000个(即0.4kk)。
100.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
101.以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，便于具体和详细地理解本发明的技术方案，但并不能因此而理解为对发明专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。应当理解的是，在本领域技术人员在本发明提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑的分析、推理或有限的试验得到的技术方案，均在本发明所附权利要求的保护范围内。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。