一种陶瓷基板粘蜡切割工艺的制作方法

1.本发明涉及陶瓷基板切割技术领域，尤其涉及一种陶瓷基板粘蜡切割工艺。


背景技术：

2.原有的陶瓷基板切割工艺是将陶瓷基板粘贴在uv膜上，再进行激光切割，切割完后uv膜取下，由于uv膜粘性强，导致取下uv膜后，陶瓷基板接触uv膜的那一面还残留一些胶，难以清洗，且由于陶瓷基板产品上面含有金属，如果用碱性清洗剂清洗，会出现腐蚀现象，且也无法将产品表面的残胶清洗干净，导致产品报废，良品率十分低下，提高了加工成本。
3.且陶瓷基板尺寸切割后尺寸较小，贴在uv膜上切割过程中uv膜会出现拉伸产生变形，导致端面切割后不平整。
4.

技术实现要素：

5.为解决上述技术问题，本发明设计了一种陶瓷基板粘蜡切割工艺。
6.本发明采用如下技术方案：一种陶瓷基板粘蜡切割工艺，其步骤为：s1.设置用于夹紧陶瓷基板和保护玻璃的夹具，夹具包括盖板和底板，将盖板和底板放在加热板上面加热，将保护玻璃放置在底板上加热，温度控制在70℃-90℃；s2.在保护玻璃上均匀涂上蜡，再把陶瓷基板放置在涂上蜡的保护玻璃上；s3.将加热过的盖板盖压到保护玻璃上的陶瓷基板上，压紧陶瓷基板和保护玻璃，并在盖板上压上重物，静置10分钟，得到通过蜡粘合在一起的陶瓷基板和保护玻璃；s4. 将粘合在一起的陶瓷基板和保护玻璃取出，将有保护玻璃的一面粘贴在uv膜上；s5. 将陶瓷基板产品根据需要的尺寸进行激光切割，切割好后，用紫外线照射使uv膜脱胶与产品上的保护玻璃分离；s6. 将切割好的产品保护玻璃面朝上放入清洗治具中，将清洗治具放入提篮中，将提篮放入ipa清洗槽中浸泡清洗，去除保护玻璃和陶瓷基板中的蜡，清洗槽温度设定在55℃-65℃；s7. 将浸泡好的产品取出热风吹干，再从产品中将已分离开的保护玻璃取出；s8. 用移载机将陶瓷基板移到片装洗篮中进行清洗，先将产品放入装有中性清洗剂的清洗槽中浸泡，再用喷淋设备冲洗1分钟，去除异物，再放入装有纯水的清洗槽中浸泡，最后放入含有ipa的清洗槽中浸泡清洗；s9. 最后将陶瓷基板产品放入甩干机，甩干产品，用离子风枪，吹走表面的静电和异物，完成整个陶瓷基板粘蜡切割工艺。
7.作为优选，所述底板上设置有导向柱，盖板上对应设置有连接孔，导向柱与连接孔
配合。
8.作为优选，步骤s6中，清洗治具由四氟板和铝板组成，四氟板通过多点固定的方式固定在铝板上，四氟板上铣有多条纵横交错均匀分布的凹槽。产品表面金属易刮伤且泡蜡时易腐蚀，而四氟板材料耐腐蚀而且不易产生刮伤，很好的保护了产品的金属表面，四氟板较容易变形，变形后影响现场作业，将四氟板通过多点固定的方式固定在铝板上减少变形情况，四氟板上铣有多条凹槽用来在泡蜡时通过液体流动将已经溶解的蜡带走作为优选，步骤s6中，ipa清洗槽共有两个，每个槽都需要浸泡2小时，共4小时。
9.作为优选，步骤s8中，装有中性清洗剂的清洗槽为装有中性清洗剂的超声波清洗槽，共有3个，每个槽中浸泡4分钟，总共浸泡12分钟。
10.作为优选，步骤s8中，装有纯水的清洗槽为，装有纯水的超声波清洗槽，共有3个，每个槽浸泡4分钟，共浸泡12分钟。
11.作为优选，步骤s8中，含有ipa的清洗槽为含有ipa的超声波清洗槽，共有3个，每个槽浸泡4分钟，共浸泡12分钟。
12.作为优选，所述保护玻璃也可以用亚克力板或不锈钢片替换。
13.作为优选，所述底板上外沿设置有一圈圆柱状定位柱，盖板上对应定位柱设置有插孔，定位柱插入插孔连接，底板上一圈定位柱内均布有柱状凸点，盖板上对应设置有断点式条纹凸起。圆柱状定位柱接触对产品进行定位，底板上为防止溢蜡导致保护玻璃与底板粘合在一起通过柱状凸点采用点接触，盖板上为避免压在产品表面采用断点式条纹凸起，通过断点式接触完全避开产品表面。
14.作为优选，所述提篮采用不锈钢材质共7层设计，每层之间固定高度高出清洗治具10mm。保证液体循环的流畅性。
15.作为优选，传统的清洗工艺都是通过碱性洗剂清洗来取出表面异物，而陶瓷基板表面有金属存在采用传统的清洗工艺会对产品表面金属有影响，只能采用中性洗剂，而中心洗剂无法达到去污效果，s8步骤中针对清洗异物设计喷淋设备喷淋清洗方式：采用导轨传动，在导轨中间安装3个喷淋管道，在喷淋管道上下各安装3个不同角度的喷头，使产品传动经过时全覆盖喷淋，为了保证喷淋效果，在进水口出增加增压泵来保证喷淋的压力，从而达到去除异物的效果。
16.本发明的有益效果是：（1）、本发明通过粘蜡在陶瓷基板和uv膜中间放一个保护玻璃介质，保护玻璃保护陶瓷基板不被划伤,且保护玻璃与陶瓷基板的分离除蜡，不留有残物，同时保护玻璃与陶瓷基板的清洗只需无腐蚀性的清洗剂，并且能将产品清洗干净，生产质量高，可以有效地提升产品良率；（2）、本发明通过粘蜡工艺将陶瓷基板粘贴在保护玻璃上，再将粘好产品的保护玻璃粘在uv膜上进行切割，在切割时保护玻璃不切断，粘贴面积更大，切割时不会因为膜拉伸而影响端面，切割后端面平整度更好。
附图说明
17.图1是本发明中盖板的一种结构示意图；图2是本发明中底板的一种结构示意图。
18.图3是本发明中清洗治具的一种结构示意图。
19.图4是本发明中提篮的一种结构示意图。
具体实施方式
20.下面通过具体实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的具体描述：实施例：一种陶瓷基板粘蜡切割工艺，其步骤为：s1.设置用于夹紧陶瓷基板和保护玻璃的夹具，夹具包括盖板和底板，将盖板和底板放在加热板上面加热，将保护玻璃放置在底板上加热，温度控制在70℃-90℃；s2.在保护玻璃上均匀涂上蜡，再把陶瓷基板放置在涂上蜡的保护玻璃上；s3.将加热过的盖板盖压到保护玻璃上的陶瓷基板上，压紧陶瓷基板和保护玻璃，并在盖板上压上重物，静置10分钟，得到通过蜡粘合在一起的陶瓷基板和保护玻璃；s4. 将粘合在一起的陶瓷基板和保护玻璃取出，将有保护玻璃的一面粘贴在uv膜上；s5. 将陶瓷基板产品根据需要的尺寸进行激光切割，切割好后，用紫外线照射使uv膜脱胶与产品上的保护玻璃分离；s6. 将切割好的产品保护玻璃面朝上放入清洗治具中，将清洗治具放入提篮中，将提篮放入ipa清洗槽中浸泡清洗，去除保护玻璃和陶瓷基板中的蜡，清洗槽温度设定在55℃-65℃；s7. 将浸泡好的产品取出热风吹干，再从产品中将已分离开的保护玻璃取出；s8. 用移载机将陶瓷基板移到片装洗篮中进行清洗，先将产品放入装有中性清洗剂的清洗槽中浸泡，再用喷淋设备冲洗1分钟，去除异物，再放入装有纯水的清洗槽中浸泡，最后放入含有ipa的清洗槽中浸泡清洗；s9. 最后将陶瓷基板产品放入甩干机，甩干产品，用离子风枪，吹走表面的静电和异物，完成整个陶瓷基板粘蜡切割工艺。
21.如附图1和附图2所示，底板上设置有导向柱，盖板上对应设置有连接孔，导向柱与连接孔配合。
22.步骤s6中，清洗治具采用铁氟龙材质。步骤s6中，ipa清洗槽共有两个，每个槽都需要浸泡2小时，共4小时。
23.步骤s8中，装有中性清洗剂的清洗槽为装有中性清洗剂的超声波清洗槽，共有3个，每个槽中浸泡4分钟，总共浸泡12分钟。步骤s8中，装有纯水的清洗槽为，装有纯水的超声波清洗槽，共有3个，每个槽浸泡4分钟，共浸泡12分钟。步骤s8中，含有ipa的清洗槽为含有ipa的超声波清洗槽，共有3个，每个槽浸泡4分钟，共浸泡12分钟。
24.如附图3所示，底板上外沿设置有一圈圆柱状定位柱，盖板上对应定位柱设置有插孔，定位柱插入插孔连接，底板上一圈定位柱内均布有柱状凸点，盖板上对应设置有断点式条纹凸起。
25.如附图4所示，提篮采用不锈钢材质共7层设计，每层之间固定高度高出清洗治具10mm。保证液体循环的流畅性。
26.本发明通过粘蜡在陶瓷基板和uv膜中间放一个保护玻璃介质，且保护玻璃与陶瓷基板的分离除蜡，不留有残物，同时保护玻璃与陶瓷基板的清洗只需无腐蚀性的清洗剂，并且能将产品清洗干净，生产质量高，可以有效地提升产品良率。
27.以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，并非对本发明作任何形式上的限制，在不超出权利要求所记载的技术方案的前提下还有其它的变体及改型。