技术特征：
1.一种晶圆，其特征在于，包括多个芯片和位于相邻的所述芯片之间的切割道，所述切割道包括第一部分和第二部分，所述第二部分包括多个第二子部分，每个所述第二子部分包围一个所述芯片设置，所述第一部分呈网格状，且位于相邻的两个所述第二子部分之间，并用于向所述晶圆提供开槽通道；其中，所述第一部分在其表面以下的预设深度中没有金属结构。2.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述预设深度的取值为0.5μm～15μm。3.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一部分与所述芯片之间的距离为0.5μm～80μm。4.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第一部分的宽度为1μm～70μm。5.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述晶圆沿厚度方向依次包括衬底和低k介质层，所述低k介质层的厚度大于或等于所述预设深度。6.如权利要求1所述的晶圆，其特征在于，所述第二子部分在其表面和/或表面以下的预设深度中具有金属结构。7.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆包括多个芯片和位于相邻的芯片之间的切割道，所述切割道包括第一部分，所述第一部分呈网格状，其中，所述第一部分在其表面以下的预设深度中没有金属结构；通过第一次切割工艺在所述第一部分进行开槽，以形成凹槽；通过第二次切割工艺沿所述凹槽对所述待切割晶圆进行切割，以获得单个的芯片。8.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于，通过第一次切割工艺在所述第一部分进行开槽，以形成凹槽；通过第二次切割工艺沿所述凹槽对所述待切割晶圆进行切割，以获得单个的芯片具体包括：通过激光切割工艺在所述第一部分进行激光开槽，以形成凹槽；以及通过等离子切割工艺沿所述凹槽对所述待切割晶圆进行切割，以获得单个的芯片。9.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述预设深度的取值为0.5μm～15μm。10.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述第一部分的宽度为1μm～70μm。11.如权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述晶圆沿厚度方向包括衬底和低k介质层，所述凹槽的深度等于所述低k介质层的厚度。
技术总结
本发明提供一种晶圆及其切割方法中，晶圆包括多个芯片和位于相邻的所述芯片之间的切割道，所述切割道包括第一部分和第二部分，所述第二部分包括多个第二子部分，每个所述第二子部分包围一个所述芯片设置，所述第一部分呈网格状，且位于相邻的两个所述第二子部分之间，并用于向所述晶圆提供开槽通道；其中，所述第一部分在其表面以下的预设深度中没有金属结构。通过在预设深度没有金属结构，使得在激光切割开槽时没有出现激光对金属的切割，因此，没有了金属熔渣在槽口处堆积，大幅度削弱了热重熔现象以及槽口处堆积熔渣的现象，从而提高了晶圆表面的洁净度和平整度，使得切割后的芯片满足混合键合工艺需求。的芯片满足混合键合工艺需求。的芯片满足混合键合工艺需求。
技术研发人员：郭万里 胡胜 王瑞磊
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2021.11.30
技术公布日：2022/3/15