集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法与流程

文档序号:30266201发布日期:2022-06-02 04:14阅读:来源:国知局

技术特征:
1.集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,包括以下步骤:a.原材料选择:气瓶的主体材料需采用奥氏体不锈钢s31603;b.原料抛光:气瓶的部件包括筒体、上封头和下封头,将筒体、上封头、下封头的原材料下料后进行内镜面抛光,抛光后粗糙度≤ra0.10;c.压制成型:将筒体、上封头、下封头的原材料压制成型;d.部件抛光:筒体、上封头和下封头在压制完成后,再次进行机械抛光,抛光后粗糙度≤ra0.10;e.焊接成型:将筒体、上封头和下封头拼装在一起,然后对连接位置的环缝进行焊接,焊接时先采用自动脉充氩弧焊打底,然后采用自动脉充氩弧焊盖面,焊接过程需使用氩气保护焊接位置,对气瓶内外进行充氩保护,实现单面焊接双面成型;f.内壁研磨:在气瓶焊接完成后,通过高强度钢球冲击对其内壁研磨,研磨后的气瓶内表面的整体粗糙度≤ra0.30;g.内壁清洗:用电阻率大于等于16mω的去离子水进行清洗,最后进行抽真空并使用加热的氮气进行多轮置换;h.性能检测:对气瓶内部水分含量、氧分含量和颗粒度进行测试。2.根据权利要求1所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,步骤d.焊接成型时,焊接坡口v型60
°
坡口,钝边3mm,自动脉充氩弧焊打底焊接主要参数如下:基值电流i
基值
=65a,基值时间t
基值
=0.15s,峰值电流i
峰值
=125a,峰值时间t
峰值
=0.15s,焊接速度v=150mm/min;自动脉充氩弧焊盖面焊接主要参数如下:基值电流i
基值
=27a,基值时间t
基值
=0.15s,峰值电流i
峰值
=85a,峰值时间t
峰值
=0.25s,焊接速度v=200mm/min。3.根据权利要求1所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,步骤d.焊接成型时,气瓶内进行充氩保护,焊接开始前保证气瓶内氩气浓度≥95%,焊接过程中持续对气瓶内进行充氩,使气瓶内气压大于大气压;焊缝内部和外部均要求一次成型,且无任何裂纹、咬边、气孔、夹杂等焊接缺陷。4.根据权利要求1或2或3所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,还包括内部充氩结构,内部充氩结构包括与上封头上的颈圈适配的连接头和伸入管,连接头与颈圈固定,伸入管的一端与连接头固定且连通,连接头上设有排气孔。5.根据权利要求4所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,所述连接头上设有至少两个排气孔,其中至少一个排气孔上设置泄压结构,其余排气孔上设置可拆卸的密封塞,泄压结构包括固定块、活塞和伸缩弹簧,固定块内设有滑孔和连通孔,活塞和伸缩弹簧设置在滑孔内,活塞与滑孔滑动连接,伸缩弹簧一端与活塞连接,伸缩弹簧的另一端与固定块连接,滑孔一端与排气孔连通,连通孔的一端与滑孔侧壁连通,连通孔的另一端与外部连通。6.根据权利要求5所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,所述连通孔与外部连通的位置设有气哨。7.根据权利要求1或2或3或4所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,还包括外部压气保护装置,外部压气保护装置套设在气瓶需要焊接的环缝外侧,外部压气保护装置上设有充气孔和排气孔,外部压气保护装置包括转动环和两个固定环,两个固定环设置在转动环两侧且与转动环转动连接,两个固定环分别与气瓶密封
固定,转动环上设有便于焊枪穿过的通孔。8.根据权利要求7所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,所述转动环上设有便于观察焊接情况的玻璃窗口。9.根据权利要求8所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,所述充气孔设置在转动环上,且充气孔的进气口对准玻璃窗口内壁。10.根据权利要求7所述的集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,所述通孔位置设有耐高温弹性体材料制成的密封环。

技术总结
本发明公开了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,其特征是,包括以下步骤:a.原材料选择;b.原料抛光;c.压制成型;d.部件抛光:筒体、上封头和下封头在压制完成后,再次进行机械抛光,抛光后粗糙度≤Ra0.10;e.焊接成型:将筒体、上封头和下封头拼装在一起,然后对连接位置的环缝进行焊接,焊接时先采用自动脉充氩弧焊打底,然后采用自动脉充氩弧焊盖面,焊接过程需使用氩气保护焊接位置,对气瓶内外进行充氩保护,实现单面焊接双面成型;f.内壁研磨;g.内壁清洗;h.性能检测。本发明提供了一种集成电路高端制成用电子级溴化氢焊接气瓶的制作方法,可以满足试验压力大于6MPa的要求,且可满足充装超高纯及电子级气体的要求。级气体的要求。级气体的要求。


技术研发人员:谈益强 杨孝欢 施天翔 薛剑 魏英杰
受保护的技术使用者:浙江陶特容器科技股份有限公司
技术研发日:2022.01.10
技术公布日:2022/6/1
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