技术特征：
1.一种晶圆切割设备，其特征在于，所述晶圆切割设备包括：晶圆承载台，用于承载晶圆，且在切割时使所述晶圆表面朝下；切割装置，位于所述晶圆承载台下方，用于切割所述晶圆承载台上的晶圆；熔渣清除装置，位于所述晶圆承载台下方，用于通过负气压抽走切割所述晶圆产生的熔渣。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述晶圆切割设备还包括：通气装置，位于所述切割装置侧边，用于沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割装置提供气流；且所述通气装置随切割装置同步移动。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述通气装置包括：至少两个相互对称的通气口，分别位于所述切割装置的两侧；所述通气口的通气方向平行于所述晶圆的表面且朝向所述切割装置。4.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述通气装置提供的气流包括：氮气或惰性气体。5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述熔渣清除装置包括：抽气筒；所述抽气筒的开口朝向所述晶圆表面；与所述抽气筒连接的熔渣排出管。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述抽气筒包括至少一个抽气口，位于所述切割装置的相邻位置，且所述抽气筒随所述切割装置同步移动。7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述切割装置包括：激光切割头或离子束切割头。8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述晶圆承载台还用于固定绷膜环和固定膜；所述绷膜环用于将所述固定膜撑开；所述固定膜用于固定所述晶圆。9.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述晶圆承载台还包括：晶圆翻转装置，用于翻转所述晶圆承载台。10.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底，位于所述衬底上的芯片层以及位于所述芯片层的各芯片之间的切割道；所述晶圆具有所述切割道的一面为所述晶圆的正面；固定所述晶圆，且使所述晶圆正面朝下；沿所述切割道对所述晶圆进行切割；在切割所述晶圆的过程中伴随有熔渣产生；通过所述晶圆下方的负气压抽走所述熔渣。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割道位置提供气流，吹扫所述晶圆的切割熔渣。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割道位置提供气流，包括：沿平行于所述晶圆表面的方向向所述切割道位置至少提供两个互相对称的气流。13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述固定所述晶圆，且使所述晶圆正面
朝下，包括：将所述晶圆固定于晶圆承载台上；所述晶圆的正面朝上；翻转所述晶圆承载台，且使所述晶圆正面朝下。
技术总结
本公开实施例提供一种晶圆切割设备及晶圆切割方法，该设备包括：晶圆承载台，用于承载晶圆，且在切割时使所述晶圆表面朝下；切割装置，位于所述晶圆承载台下方，用于切割所述晶圆承载台上的晶圆；熔渣清除装置，位于所述晶圆承载台下方，用于通过负气压抽走切割晶圆产生的熔渣。生的熔渣。生的熔渣。
技术研发人员：宋林杰 刘天建 田应超
受保护的技术使用者：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
技术研发日：2022.08.12
技术公布日：2022/9/13