技术特征：
1.一种碳化硅切割方法，其特征在于，包括：在碳化硅晶锭表面设置多条平行的加工路径；其中，每个加工路径具有多个加工点位；在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层；采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描，以实现碳化硅片的剥离。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光束对最顶层的氢离子注入层沿每个加工路径的每个加工点位依次进行扫描，以实现碳化硅片的剥离包括：沿一个加工路径按照多个加工点位的分布进行多次扫描，扫描完成后开始下一个加工路径的扫描。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在第一次扫描之后的各次扫描过程中，所述激光束的偏振方向垂直于碳化硅结晶生长方向，以使裂纹扩散方向与水平方向呈4
°
夹角。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，沿一个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描的次数为3-5次。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入包括：在每个加工路径的每个加工点位向单个氢离子注入层注入氢离子的剂量为5
×
10
16
/cm2至1
×
10
17
/cm2。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻两条加工路径之间的间隔为20-40μm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在采用激光束对每个加工路径的每个加工点位预定深度进行扫描时，所述激光束的脉冲宽度为5ns-50ns。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层包括：由最底层的氢离子注入层对应的深度依次向上完成每个氢离子注入层对应深度的氢离子注入，其中，在每个氢离子注入层对应的深度进行氢离子注入包括：向每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描，以实现碳化硅片的剥离包括：由最顶层的氢离子注入层依次向下完成每个氢离子注入层的激光束扫描，其中，每个氢离子注入层进行激光束扫描包括：沿每个加工路径按照加工点位分布进行激光束扫描。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，每次完成一个氢离子注入层的扫描之后，将碳化硅晶锭在完成扫描的氢离子注入层之上的部分剥离，并在完成剥离后，对剩余部分的碳化硅晶锭表面进行平坦化处理。
技术总结
本发明提供一种碳化硅切割方法，包括：在碳化硅晶锭表面设置多条平行的加工路径；其中，每个加工路径具有多个加工点位；在每个加工路径的每个加工点位进行氢离子注入，以形成在竖直方向上排列的至少一个氢离子注入层；采用激光束对氢离子注入层沿每个加工路径按照多个加工点位的分布进行扫描，以实现碳化硅片的剥离。本发明提供的碳化硅切割方法，能够减小碳化硅切割过程中的材料损耗，提升碳化硅晶片的均匀性和良率，有利于较薄的碳化硅晶片的制备。制备。制备。
技术研发人员：文志东 侯煜 张喆 张昆鹏 李曼 石海燕 张紫辰
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2022.10.26
技术公布日：2022/12/22