高光倒角的加工方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及壳体加工技术领域，特别是设及高光倒角的加工方法。
【背景技术】
[0002] 电子设备的外壳一般采用金属制成，金属制成的外壳质感较佳，且较塑料耐磨，使 用寿命较长。在对外壳的加工过程中，需要对外壳进行切削形成高光镜面倒角，如果外壳是 纯金属制成，那么可W获得较佳的切削效果，但实际上外壳不能光由金属制成，金属外壳的 局部往往需要开设槽位，并填充塑胶，运样，在数控机床在对外壳进行整体切削时，刀具在 切削经过塑胶位时容易使得塑胶不能完全切断，刀具容易携带塑胶，使得刀具表面不平整， 那么携带了塑胶的刀具在对金属部分切削时，容易对高光镜面倒角造成损害，使得产品表 面受损，或者在高光镜面倒角表面产生白线，从而造成外壳的高光倒角加工的不良率较高， 提高了加工成本。
【发明内容】
[0003] 基于此，有必要针对现有含有塑胶位的金属壳体进行切削时，塑胶容易粘附在刀 具上，造成高光倒角表面磨损，使得壳体不良率较高的缺陷，提供一种有效避免塑胶粘附在 刀具上，避免带有塑胶的刀具对高光倒角表面造成磨损的加工方法，降低了产品的不良率。
[0004] -种高光倒角的加工方法，包括W下步骤：
[0005] 对壳体的塑胶位上的塑胶进行切削；
[0006] 对包括已切削的塑胶位的壳体整体进行切削。
[0007] 在一个实施例中，所述对壳体的塑胶位上的塑胶进行切削的步骤中，对所述塑胶 的切削量为0.03mm~0.05mm。
[000引在一个实施例中，所述对壳体的塑胶位上的塑胶进行切削的步骤中，对所述塑胶 的切削量为所述塑胶的长度的75%~85%。
[0009] 在一个实施例中，所述对壳体的塑胶位上的塑胶进行切削的步骤中，对所述塑胶 的切削量为所述塑胶的长度的80%。
[0010] 在一个实施例中，对所述塑胶的切削量为所述塑胶的长度的80%且每次对所述塑 胶的切削量为0.03mm~0.05mm。
[0011] 在一个实施例中，所述对包括已切削的塑胶位的壳体进行整体进行切削的步骤具 体为：
[0012] 对包括已切削的塑胶位的壳体沿所述壳体的圆周整体进行切削。
[0013] 在一个实施例中，所述对包括已切削的塑胶位壳体进行整体进行切削的步骤具体 为：
[0014] 采用数控机床的刀具对已切削的塑胶位的壳体整体进行切削。
[0015] 在一个实施例中，所述刀具的切削方式为旋转切削。
[0016] 在一个实施例中，所述刀具的切削方式为刀面切削。
[0017] 在一个实施例中，所述刀具的切削方式为刀面旋转切削。
[0018] 上述高光倒角的加工方法，通过首先对塑胶进行切削，避免刀具了在对壳体进行 整体切削时粘附塑胶，使得壳体的高光倒角切削效果更佳，降低了产品的不良率。
【附图说明】
[0019] 图1为本发明一实施例的高光倒角的加工方法的流程示意图。
【具体实施方式】
[0020] 为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中 给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可WW许多不同的形式来实现，并不限于本文所 描述的实施例。相反地，提供运些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻 全面。
[0021] 例如，如图1所示，一种高光倒角的加工方法，包括W下步骤：
[0022] 步骤S100,对壳体的塑胶位上的塑胶进行切削；
[0023] 在本实施例中，壳体为电子设备的外壳，外壳为金属材质，且金属外壳中设置有塑 胶位，塑胶位上设置有塑胶，在本步骤中，首先对塑胶进行切削，使得塑胶的长度减少，使得 在后续加工中减少塑胶对刀具的粘附，避免塑胶对高光镜面倒角的影响。优选的，采用两步 法进行切削，首先通过旋转刀头快速对壳体的塑胶位上的塑胶进行旋转切削，然后通过= 角刀头对壳体的塑胶位上的塑胶进行推移切削，W削除壳体的塑胶位上的塑胶的75%~ 85% ;例如，先通过旋转刀头快速对壳体的塑胶位上的塑胶进行旋转切削，W削除壳体的塑 胶位上的塑胶的70%~75%，然后通过=角刀头对壳体的塑胶位上的塑胶进行推移切削W 削除壳体的塑胶位上的塑胶的残余，使得两步法切削之后剩余15%~25%的塑胶。优选的， 在通过旋转刀头快速对壳体的塑胶位上的塑胶进行旋转切削之前或之后，还包括清理步 骤。
[0024] 例如，所述清理步骤包括:将壳体置于溫度为50~60°C的除油剂中进行除油处理3 ~5min。需要说明的是，此清理步骤主要是为了除去壳体表面的油脂及污物，其还可W在其 他条件下进行，在保证不腐蚀壳体的前提下，尽可能地除掉壳体表面上的油脂及污物，为下 一步处理做准备。
[0025] 例如，所述清理步骤中，或者所述清理步骤之前或之后，还包括除蜡步骤:例如，将 壳体置于溫度为80~100°C的除蜡剂中处理3~5min。又如，除蜡在揽拌或超声波的条件下 进行。具体的，除蜡剂包括如下组分:非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、横酸钢、二乙 醇胺。例如，非离子表面活性剂为烷基酪聚氧乙締酸(TX-IO)，阴离子表面活性剂为高级脂 肪基醇酷胺。例如，除蜡剂具体为：150~200g/L的油酸、150~200g/L的二乙醇胺、5~20g/L 的TX-IO，50~lOOg/L的横酸钢，50~lOOg/L的挪子油脂肪酸二乙醇酷胺，例如，除蜡剂具体 为：160g/L的油酸、180g/L的二乙醇胺、12g/L的TX-10,70g/L的横酸钢，80g/L的挪子油脂肪 酸二乙醇酷胺，质量比为1:2:2:1:4。运样，不仅可W除去蜡垢，避免蜡垢再沉淀，而且可W 有效抑制壳体被腐蚀。例如，将除油脱蜡处理后的所述壳体进行水洗处理，所述水洗处理在 室溫条件下进行，时间为5~10s。优选的，所述水洗处理采用充气水或者在超声波环境下进 行。例如，充气水为充入臭氧的自来水或纯净水。优选的，除蜡步骤之后，还包括整平步骤： 将除油脱蜡处理后的所述壳体置于溫度为50~70°C的整平剂中处理20~40s。具体的，整平 剂至少包括氨氧化钢、缓蚀剂、稀±添加剂及水。例如，缓蚀剂为=氮挫类惰性盐。又如，稀 ±添加剂为稀±金属的硫酸盐、硝酸盐或碳酸盐。又如，稀±添加剂为姉或钦的硫酸盐或碳 酸盐，它使壳体晶粒明显细化，并且比较均匀，降低了壳体中杂质相的电位，减少了微电池 引起的腐蚀。又如，水的质量为整平剂总质量的4/5。一个较好的例子是，整平剂包括200~ 300g/L的氨氧化钢、5~20g/L的水溶性苯拼S氮挫钢、35~45g/L的娃酸钢、30~50g/L的硫 酸姉。例如，整平剂包括240g/L的氨氧化钢、8g/L的水溶