一种硅晶圆的激光剥离方法
【技术领域】
[0001]本发明属于激光微加工领域，尤其涉及一种硅晶圆的激光剥离方法。
【背景技术】
[0002]在硅晶圆半导体行业中，为了得到单片厚度较薄的晶圆片，目前传统的加工方法是将晶棒用线切割的方式先切开，然后研磨减薄成特定厚度。这种加工方式的缺点是浪费材料，相当一部分娃晶圆在研磨过程中被研磨掉而造成材料损失。
[0003]随着半导体行业的发展以及节能和绿色环保意识的不断推广，更加科学无损的加工方法有待产生，激光剥离技术已经开始运用到硅晶圆剥离行业中，但现有的技术剥离技术存在一定缺陷。如:
[0004]申请号201020626792.0提供的一种晶体硅片激光剥离设备，采用中空的旋转轴方式，使得穿过旋转轴的激光呈一定角度，对硅锭进行切割，既能使经聚焦镜的激光束聚焦于硅片待切割的表面，又不会使残留的硅锭运动时影响到激光聚焦头。其只是单纯的采用激光高能辐射加工，由于激光的高能量和硅锭的易碎性，易使得硅锭产生裂纹，从而整个硅锭存在很大的加工报废风险。
【发明内容】
[0005]本发明实施例的目的在于提供一种硅晶圆的激光剥离方法，以解决现有加工报废材料多和整体报废风险大的问题。
[0006]本发明实施例是这样实现的，一种硅晶圆的激光剥离方法，所述激光剥离方法包括步骤:
[0007]激光聚焦在硅晶圆内部的某一平面形成若干个炸点；
[0008]在低温条件下，沿相反方向拉伸硅晶圆的上下两个表面，将硅晶圆分离成两片。
[0009]进一步地，在沿相反方向拉伸硅晶圆之前，硅晶圆的上下两个表面分别粘连基板；然后通过沿相反方向拉伸两个所述基板，将硅晶圆分离成两片;最后分离基板和硅晶圆，并对两片硅晶圆进行清洗。
[0010]进一步地，所述硅晶圆内部的某一平面平行于所述硅晶圆的上下两个表面。
[0011]进一步地，若干个炸点均匀的分布在硅晶圆内部的某一平面内。
[0012]进一步地，若干个炸点之间的间距为1-20um。
[0013]进一步地，所述娃晶圆的厚度为0.l_2mm。
[0014]进一步地，所述激光为线偏振光，偏振比大于50:1。
[0015]进一步地，激光在所述娃晶圆内部形成的单个炸点的大小为0.l-10um。
[0016]进一步地，硅晶圆的上下两个表面与基板之间通过聚合物胶水粘连。
[0017]进一步地，沿相反方向拉伸硅晶圆时的温度范围为-400K至-OK。
[0018]本发明提供了一种硅晶圆的激光剥离方法，通过先在硅晶圆10的内部形成一系列的炸点19，然后在低温条件下沿相反的方向拉扯炸点所在平面两侧的硅晶圆，使得硅晶圆沿炸点分离，且由于在低温条件下，硅晶圆可更好的按照若干炸点形成的平面方向分离，不容易在其他方向上产生新的裂纹，最终实现了硅晶圆的无缝分离，分离后的硅晶圆表面平整，均匀，加工良率高，可适用于批量生产。
【附图说明】
[0019]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本发明实施例提供的硅晶圆的激光剥离方法的流程图；
[0021 ]图2a、2b、2c、2d是本发明实施例提供的硅晶圆的激光剥离方法加工顺序示意图；
[0022]图3是本发明实施例提供硅晶圆内部炸点剖视示意图。
【具体实施方式】
[0023]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0024]如图1所示，本发明实施例提供一种硅晶圆10的激光剥离方法，包括:
[0025]SI 10，激光聚焦在硅晶圆内部的某一平面形成若干个炸点；
[0026]S120，在低温条件下，沿相反方向拉伸硅晶圆的上下两个表面，将硅晶圆分离成两片。
[0027]本发明实施例提供的激光剥离方法先在硅晶圆10的内部形成一系列的炸裂点，然后在低温条件下沿相反的方向拉扯炸点19两侧的硅晶圆，使得硅晶圆10沿炸点19分离，且由于在低温条件下，使得硅晶圆按照若干炸点形成的平面方向分离，不容易在其他方向上产生新的裂纹，最终实现了硅晶圆的无缝分离，分离后的硅晶圆表面平整，均匀，加工良率高，可适用于批量生产。
[0028]具体的，拉伸并分裂硅晶圆的温度范围为-400K至-OK。
[0029]进一步地，在S120步骤之前，将硅晶圆的上下两个表面分别粘连基板15;
[0030]在S120步骤中，通过对两个所述基板15进行相反方向的拉伸，将硅晶圆10分离成两片;然后在将基板15和硅晶圆分离，并对两片硅晶圆进行清洗。
[0031 ]如图2a、2b和图3所示，将硅晶圆1水平放置在工作台(图未示)上，然后激光14经过聚焦镜13聚焦，焦点位于所述硅晶圆13的内部，并在所述硅晶圆13的内部形成若干个炸点19，所述若干个炸点19位于同一个平面20上，并通过所述炸点19形成的平面将所述硅晶圆10分成上下两个部分(硅晶圆11，12)。如图2c所示，在低温条件下，对形成有若干炸点19的硅晶圆10的上下两个表面分别沿相反的方向拉伸;在本实施例中，为了使得拉伸力在所述硅晶圆10上均匀分布，所述硅晶圆10的上下表面分别粘接有形状相同的基板15，然后通过对基板15施加外力，将得到如图2d所不的两个独立娃晶圆(11，12);最后将基板15与娃晶圆分离，并再对硅晶圆(11，12)进行清洗。
[0032]当然，在其他实施例中，也可以通过其他方式对形成有的炸点19的所述硅晶圆10的上下两个部分施加外力进行拉伸，如采用吸附方式，吸附硅晶圆10上下表面进行拉伸。
[0033]进一步