化学气相沉积反应器过程室清洁方法与流程

技术特征：
1.一种用于清洁CVD－反应器(1)的过程室(4)的方法，该过程室具有由加热装置(7)加热的基座(6)作为过程室底部(5)和与过程室底部(5)对置的过程室盖罩(3)，在CVD过程中在过程室底部(5)和过程室盖罩(3)上形成的寄生覆层通过借助加热装置(7)加热基座(6)并在两个相继的清洁步骤中输入腐蚀气体加以清除，其特征在于，在第一清洁步骤中在第一清洁温度下主要对过程室底部(5)进行清洁，接着将基座(6)从过程室中取出，然后在第二清洁步骤中在第二清洁温度下清洁过程室盖罩(3)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基座(6)在第一个清洁步骤后和第二个清洁步骤前被辅助基座(6′)更换。3.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，第一清洁温度低于第二清洁温度。4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一清洁温度位于600至650摄氏度之间。5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第二清洁温度位于800至1000摄氏度之间或者高于1000摄氏度。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，辅助基座(6′)是之前多次用于涂覆过程的废旧基座。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，辅助基座(6′)具有比基座(6)更高的耐热性。8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在不同的清洁步骤中使用不同的清洁气体。9.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第二清洁步骤包含多个在不同的温度下和/或使用不同的腐蚀气体进行实施的子清洁步骤。10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在清洁步骤前的涂覆过程为MOCVD－过程，在该过程中，安放在基座(6)上的基材被涂覆半导体涂层，其中，将第III或者第II主族元素的金属有机化合物以及第V或者第VI主族元素的氢化物作为过程气体输入过程室中。11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述清洁步骤之一中，腐蚀气体和载气一起输送至过程室中。12.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，使用卤素化合物和/或氯气或者也能使用氢气作为腐蚀气体。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述卤素化合物是氯化氢。