用于蒸发目的的坩锅组件的制作方法

本公开内容通常涉及蒸发器、坩锅、源材料的沉积和用于沉积材料的系统、设备和方法，所述材料例如有机材料。特别是，本公开内容是涉及用于有机材料的蒸发坩锅，例如为在沉积系统中通过使用蒸发组件来制造装置，特别是包括有机材料在其中的装置。

背景技术：

有机蒸发器是例如为用于生产有机发光二极管(organiclight-emittingdiodes，oled)的器械。oled是发光二极管的一种特别形式，在oled中，发光层包括特定的有机化合物的薄膜。oled用在用于显示信息的电视屏幕、计算机屏幕、手机和其他手持装置等的制造中。oled也可以用于一般空间的照明。oled显示器可能的颜色、亮度和视角的范围比较传统的液晶显示器(lcd)大，因为oled像素是直接地发出光线而不使用背光。因此，oled显示器的能量损耗少于传统的液晶显示器的能量损耗。而且，oled可更容易地制造于挠性基板上的事实产生了进一步的应用。典型的oled显示器，例如，可包括位于两个电极之间的多个有机材料层，这些有机材料层以某种方式沉积于基板上，以形成具有单个可供能(energizable)像素的矩阵显示面板。oled通常置于两个玻璃面板之间，且玻璃面板的边缘被密封以将oled封装于其中。

带来多种相关挑战的制造oled显示器或oled发光应用中的一个阶段为沉积有机材料的工艺，以在基板上实现高程度的层均匀。而且，蒸发例如灵敏的有机材料的某些特定情况必须被考虑，例如为在真空中蒸发和沉积于基板上。

因此，对于用于形成多个装置的新的和改善的系统、设备和方法是有持续的需求的，所述多个装置例如是高质量oled显示设备。

技术实现要素：

基于以上内容，根据一个方面，提供一种坩锅。所述坩锅包括：壁，所述壁具有内表面，所述内表面围绕内部容积，所述内部容积用以容纳源材料和一个或多个热传输元件，所述一个或多个热传输元件排列在坩锅的内部容积中。

而且，提供一种用以蒸发源材料的蒸发组件。蒸发组件包括：如上所述的坩锅和至少一个分配组件，所述至少一个分配组件适用于将已蒸发的源材料从坩锅引导至将涂布的基板。

而且，提供一种用以利用从坩锅蒸发的源材料涂布基板的方法，所述坩锅具有壁，所述壁具有内表面，所述内表面围绕内部容积，所述内部容积用以容纳源材料且在坩锅的内部容积中包括至少一个热传输元件。所述方法包括：在坩锅内提供源材料；通过利用至少一个热传输元件提供坩埚内部容积的间接加热来将源材料加热至蒸发温度；以及引导将已蒸发的源材料引导至基板的表面。

本公开内容的进一步的方面、优点和特征在从属权利要求、说明书以及附图中是显而易见的。

附图说明

上述实施方式中的一些将参照以下附图更详细地说明于以下典型的实施方式的说明中：

图1示出了根据在此描述的实施方式的坩锅的示意图；

图2示出了根据在此描述的实施方式的进一步的坩锅的示意图；

图3示出了根据在此描述的实施方式的又一个进一步的坩锅的示意图；

图4示出了根据在此描述的实施方式的如图2中所示的坩锅的截面透视图；

图5示出了根据在此描述的实施方式的另一个坩锅的示意图；

图6示出了根据此处实施方式的另一个坩锅的示意图；

图7示出了根据此处实施方式的蒸发组件的示意图；

图8和图9示出了根据此处实施方式的蒸发组件的多个部分的示意图；

图10示出了根据此处实施方式的用于沉积源材料的沉积系统的示意图；以及

图11示出了根据此处实施方式的用以利用从坩锅蒸发的源材料涂布基板的方法的示意图。

具体实施方式

详细的参照将以本公开内容的各种实施方式来進行，实施方式的一个或多个实例绘示在附图中。在以下附图的说明中，相同参考编号指代相同部件。一般来说，仅针对个别实施方式的不同之处进行说明。各实例通过说明本公开内容的方式提供且不意味为本公开内容的限制。而且，被描绘或描述而做为一个实施方式的部分的特征可用于其他实施方式或与其他实施方式结合，以产生又进一步的实施方式。这意指本说明包括这些调整和变化。

根据此处的实施方式，oled制造的技术包括在基板上沉积源材料，源材料例如是有机材料。沉积工艺是在高真空状态下执行。包含有机材料的坩锅被加热以蒸发有机材料且产生的蒸汽被沉积于基板上。既然非均匀蒸发可能导致已蒸发粒子的沉积对沉积于基板上的薄膜有害，那么较近地监控和控制蒸发工艺是有利的。为了更好的调整沉积率，通过在蒸发坩锅中将温度缓慢地增加到有机材料的蒸发温度来顺利地蒸发有机材料可能是有利的。

在此处描述的实施方式中，于此处使用的术语“蒸发”应意指从液态蒸发成蒸汽和从固态升华成蒸汽的两种过程。

本公开内容的发明人已经发现，至源材料的不均匀的热输入可能发生在传统的坩锅中，这导致在坩锅的内侧的源材料不均匀的大量蒸发。不均匀的大量蒸发可能对沉积于基板上的薄膜的均匀性有负面的影响且可能降低已生产的装置的整体质量。

本公开内容通过提供用以在基板上均匀地沉积源材料的改善的系统、设备和方法且改善源材料的损耗率来处理这些问题，所述源材料例如是有机材料。特别是，本公开内容提供改善的坩锅用以在沉积系统中通过使用蒸发组件来制造装置。举例来说，根据此处的实施方式，包含源材料的坩锅可包括一个或多个热传输元件，所述一个或多个热传输元件经配置以均匀地重新分配被供应至坩锅的内部容积中的热。坩锅的内部容积的均匀加热改善了在坩锅中的源材料的均匀蒸发且对在涂布或装置制造工艺期间沉积的层的整体均匀有贡献。

图1示出了根据此处实施方式的坩锅100的实施方式，坩锅100包括壁，所述壁具有内表面，所述内表面围绕内部容积150，内部容积150用以容纳源材料。如图1中所示的坩锅被绘示成两个半部，所述两个半部相对于对称平面101镜像对称。根据在此描述的实施方式，坩锅可为蒸发组件的部分，所述蒸发组件可进一步包括一个或多个分配组件。所述一个或多个分配组件可例如包括一个或多个具有出口(例如为喷嘴)分配管，所述出口将已蒸发的源材料从坩锅引导至基板。根据如图1中所示的实施方式，坩锅100和分配管可经由连接件103彼此连接，连接件103例如提供型式适配(form-fit)连接。在此处的实施方式中，在坩锅和分配管之间的连接可额外或选择性包括凸缘单元。根据此处的实施方式，坩锅和分配管可提供成分离的单元，所述分离的单元可分离且连接或在凸缘单元处组装，例如为用于蒸发组件的操作。

根据此处的实施方式，坩锅100的壁可包括底部壁167和顶部壁168。底部壁和顶部壁167、168可经由侧壁161-166彼此连接。坩锅100的内部容积150可分别由底部壁167、顶部壁168和侧壁161-166或侧壁的对应部分包围。根据此处的实施方式，至少顶部壁168可包括开孔104，开孔104允许已蒸发的源材料从坩锅离开且进入例如分配组件。特别是，坩锅的开孔可连接至分配管，所述分配管将已蒸发的源材料引导至基板。

根据如图1中所示的实施方式，外部加热单元125可提供于坩锅100的壁处或壁中。在此处描述的实施方式中，加热单元可例如为一个或多个加热器。外部加热单元可至少沿着坩锅100的壁的一部分延伸。根据此处的一些应用，坩锅100可进一步包括屏蔽物127。屏蔽物127可被配置以将热能反射回到坩锅100的内部空间(enclosure)，所述热能由外部加热单元125提供。根据此处的实施方式，屏蔽物可支持在蒸发坩锅100的内部容积150中的有机材料的高效加热。

根据在此描述的一些实施方式，围绕坩锅的至少一部分的一个或多个加热单元不延伸至坩锅的内部容积中。根据在此描述的实施方式，提供以蒸发源材料的最多总热功率的3％至10％(例如是5％)在坩锅的内部容积中产生，所述源材料包含于坩锅中。在坩锅的内部容积中提供加热单元可能干扰在坩锅的外侧上、围绕着坩锅的至少一部分提供的加热单元的温度调整。

根据在此描述的一些实施方式，分配管还可包括加热单元，所述加热单元有助于已蒸发材料的准确的温度控制，已蒸发材料被从坩锅引导至基板。一个或多个热屏蔽物还可提供在分配管周围。所述一个或多个热屏蔽物可减少来自蒸发组件的能量损耗，这在涂布/制造工艺期间可减少整体的能量损耗。作为进一步的方面来说，特别是用于沉积有机材料，源自蒸发组件的热辐射可减少，特别是在沉积期间朝向基板的热辐射。对于显示器制造来说，基板与掩膜的温度的准确控制是特别有利的。通过应用一个或多个热屏蔽物，源自蒸发组件的热辐射可减少或避免。因此，在此描述的一些实施方式包括一个或多个热屏蔽物。

根据此处的实施方式，热屏蔽物可包括数个屏蔽层，以减少热辐射至坩锅和分配组件的外侧。作为进一步的选择来说，(此些)热屏蔽物可包括屏蔽层，所述屏蔽层通过流体积极地降温，所述流体例如是空气、氮、水或其他适合的冷却流体。根据可与在此描述的其他实施方式结合的又进一步的实施方式，提供而用于蒸发组件的所述一个或多个热屏蔽物可包括钣金(sheetmetals)，所述钣金围绕蒸发组件的对应部分，例如是分配管和/或蒸发坩锅100。举例来说，钣金可具有0.1mm至3mm的厚度，可选自由包括铁金属(ferrousmetals)(ss)和非铁金属(non-ferrousmetals)(cu、ti、al)的群组的至少一种材料，和/或可例如由0.1mm或更多的缝隙彼此分隔。

根据此处的实施方式，如图1中所示的坩锅100可包括一个或多个热传输元件170，一个或多个热传输元件170布置于坩锅100的内部容积150中。热传输元件170被配置以提供坩锅的内部容积的间接加热。于在此描述的实施方式中，来自一个或多个热传输元件170的热被直接地提供至在坩锅100的内部容积150中的源材料，所述源材料可为粉末、液体和/或小球(pellets)的形式。于在此描述的实施方式中，热传输元件经配置以被动地接收热且可不需直接连接至例如加热单元和/或电源。

根据此处的实施方式，热传输元件170可例如接收来自壁和/或来自坩锅的外侧的热。在oled沉积工艺期间，通过热传输元件170将来自壁和/或来自坩锅的外侧的热分配在坩锅的内部容积中，以确保更均匀的加热和后续源材料的蒸发。根据在此描述的一些实施方式，热传输元件被布置在坩锅的内部容积中，使得相较于预定的温度和/或相较于在坩锅的内部容积中的另一特定位置的温度，在坩锅的内部容积中的任何特定位置所測量的温度相差最大温度差异10℃或更少，例如为5℃或更少，例如是0.5℃至3℃。又进一步，最大温度差异可额外或选择性为4％或更少，例如为2％或更少，例如是0.2％至1.1％。

在如图1中所示的实施方式中，热传输元件170从壁突出进坩锅100的内部容积150中。特别是，如图1中所示的实施方式包括第一热传输元件171和第二热传输元件172。第一热传输元件171和第二热传输元件172为类杯状(cup-likeshaped)，用以在各自的第一和第二热传输元件中容纳液体。根据此处的实施方式，所述液体可为源材料。根据此处的实施方式，第一热传输元件171和第二热传输元件172被连接于坩锅100的任何一个或多个侧壁161-166的至少一部分。

第一热传输元件171和第二热传输元件172可提供于坩锅100的内部容积150中，使得第一热传输元件171被布置在第二热传输元件172的上方。在此特别的实施方式中，术语“上方(above)”旨在说明第一热传输元件171被布置得相较第二热传输元件172更靠近坩锅的开孔104。

第一热传输元件171和第二热传输元件172可具有相同的形状或第一和第二热传输元件可在几何形状和/或尺寸方面不同。特别是，根据此处的实施方式，热传输元件170具有类板(plate-like)部分171a、172a和类管(tube-like)部分171b、172b。类板部分171a、172a可至少沿着坩锅100的内表面的一部分连接于侧壁161-166。类管部分171b、172b可被布置在类板部分171a、172a的中心处。类管部分171b、172b可朝向坩锅100的开孔104延伸，这提供了用于在坩锅和分配组件之间(特别是在坩锅100和分配管之间)进行流体交换的连接件。在此处的实施方式中，第一热传输元件171和第二热传输元件172的类管部分171b、172b的开孔的中心与坩锅开孔104的中心可被布置成沿着坩锅100的中心轴105对准。

根据此处的实施方式，源材料，特别是液态源材料，可提供在壁的内表面、类板部分171a、172a和类管部分171b、172b之间的空间中。

在图1中所示的实施方式中，第一热传输元件171和第二热传输元件172将坩锅100的内部容积150分隔为内部容积150的三个不同的子空间，三个不同的子空间经由各自的第一热传输元件171和第二热传输元件172的类管部分171b、172b互连。根据此处的一些实施方式，坩锅100可只包括单个的热传输元件，所述热传输元件被布置在坩锅的内部容积中，将内部容积分隔成两个不同的子空间，所述两个不同的子空间通过热传输元件的类管部分互连。类似地，根据此处的进一步实施方式，坩锅可包括三个、四个或更多个热传输元件，将坩锅的内部容积分离成四个、五个或更多个不同的子空间。

根据在此描述的一些实施方式，坩锅100的壁的内表面可具有第一尺寸的第一区域且所述一个或多个热传输元件170可在第二尺寸的内部容积150中提供第二区域。根据此处的实施方式，第二区域可具有与第一区域相同的尺寸。根据在此描述的又进一步的实施方式，第一区域和第二区域的结合尺寸为第一尺寸的至少两倍。

根据此处的一些实施方式，所述一个或多个热传输元件可由包括具有高热传导性的金属或合金的材料制成。例如，热传输元件可包括下列中任何一个或多个元件：钛、不锈钢和类金刚石(diamond-likecarbon，dlc)。在此处的实施方式中，所述一个或多个热传输元件的材料可对源材料为惰性，使得热传输元件在蒸发工艺期间不与源材料反应。根据使用的源材料的蒸发温度，所述一个或多个热传输元件的材料应当稳定且至少对高达源材料的蒸发温度为惰性，所述源材料的蒸发温度可例如是150℃和650℃之间任意温度或更高的温度。

图2示出了根据在此描述的实施方式的进一步的坩锅的示意图。如图2中所示的坩锅被绘示成两个半部，所述两个半部相对于对称平面201为镜像对称。坩锅200可包括从壁突出至进坩锅200的内部容积250中的一个或多个热传输元件270。特别是，所述一个或多个热传输元件可从侧壁突出进坩锅的内部容积中。类似于如图1中所示的坩锅的几何形状，如图2中所示的坩锅200可包括经由侧壁261-266彼此连接的底部壁267和顶部壁268。坩锅200可包括开孔204，所述开孔允许已蒸发的源材料从坩锅离开且进入分配组件。

类似于在图1中所示的实施方式，分配组件可例如包括一个或多个分配管(未在图2中示出)，所述一个或多个分配管具有出口(例如为喷嘴)，所述出口将已蒸发的源材料从坩锅引导至基板。坩锅200和分配管可经由型式适配(form-fit)连接件203彼此连接。根据此处的实施方式，在坩锅和分配管之间的连接可额外或选择性包括凸缘单元。类似于图1中所示的实施方式，坩锅200和分配管提供成分离的单元，所述分离的单元可被分离和连接或于凸缘单元处组装，例如为用以蒸发源的操作。

根据此处实施方式的坩锅200可包括一个或多个热传输元件270，一个或多个热传输元件270布置在坩锅的内部容积250中。在如图2中所示的实施方式中，一个或多个热传输元件270被提供成六个板271-276。一般来说，所述六个板被布置在坩锅的内部容积250中，以引导已蒸发的源材料朝向分配组件。六个板271-276的各自从壁朝向坩锅200的内部容积250的中心突出。根据此处的实施方式和如图4更详细的显示，六个板271-276各自可被布置成垂直于坩锅200的对应侧壁261-266，图4示出了不同于图2中所示的坩锅的示意图。在此处的实施方式中，坩锅200可具有六角形的几何形状。然而，根据此处的进一步的实施方式，坩锅不限于六角形的几何形状，而可包括进一步的几何形状，例如矩形、圆形、椭圆形或三角形。

六个板271-276的任意一个或全部可延伸进入或穿过坩锅200的壁。根据如图2中所示的实施方式，六个板271-276的任意一个或多个可延伸穿过坩锅200的各对应侧壁261-266。然而，在此描述的实施方式中，六个板271-276的任意一个或多个可完全地穿过底部壁267、侧壁261-266和顶部壁268的至少一个延伸。

根据在此描述的实施方式，坩锅200的壁可包括多个狭缝，以容纳六个板271-276。狭缝可完全地延伸穿过坩锅200的壁。在此处的实施方式中，狭缝可简化组装程序并确保热从坩锅的外侧有效地传导至坩埚的内部容积。例如，在坩锅的组装期间，所述板可插入狭缝中且还从外侧焊接至坩锅。

根据此处的实施方式，六个板271-276的任意一个或多个可在纵向方向上延伸坩锅200的内部容积250的总长度269的约0％至约100％，所述纵向方向平行于坩锅200的中心轴205。例如，六个板271-276的任意一个或多个可延伸坩锅的内部容积的总长度的至少约90％。

在此处描述的实施方式中，所述板可布置在坩锅中，使得在两个相邻平面之间相交点的最小绝对角度为在约5°和约175°之间，例如是约30°、约45°或约60°，所述两个相邻平面的各自平面平行于板271-276的一个延伸。

图3示出了根据在此描述的进一步的实施方式的坩锅的示意图。坩锅300包括针对图2中所示的实施方式描述的所有特征。然而，相较于图2中所示的实施方式，如图3中所示的实施方式的一个或多个热传输元件370包括多个板371-388，在此特别的实例中在坩锅300的内部容积350中布置十八个板。类似于图2中所示的实施方式，板371-388各自延伸穿过坩锅300的壁。根据此处的实施方式，增加板的数量可增加在坩锅的内部容积中的一个或多个热传输元件的表面积。根据此处的实施方式，具有多个热传输元件可选择性提供坩锅成为模块化(modular)，意义在于根据考虑坩锅的内部容积中的热分配和空间的特别有利的应用，热传输元件可被加入和/或从坩锅的内部容积取出。

图4示出了沿着如图2中所示的接线a-a的坩锅200的截面透视图。图4示出了六个热传输元件，例如是板271-276，各自相对于对应的侧壁261-266以约90°的角度突出。所述一个或多个热传输元件各自可完全地延伸穿过坩锅的壁。如图4中所示，六个板271-276各自延伸至坩锅的外边缘290。在图4中所示的实施方式中，六个板的至少四个板272-273、275-276可在突出进坩锅的内部容积中相同距离。根据在此描述的一些实施方式，全部六个或更多个板可突出进坩锅的内部容积中相同距离或各突出不同距离。在此处描述的实施方式中，所述一个或多个热传输元件的特定配置可适用于特定用途且特别是适用于在坩锅的内部容积中的热有利地分配。

根据在此描述的实施方式，一个或多个加热器可围绕壁的至少一部分布置。将来自所述一个或多个加热器的热反射朝向坩锅的内部容积的屏蔽物可围绕所述一个或多个加热器而布置。

图5示出了根据在此描述的进一步的实施方式的坩锅的示意图。坩锅500具有由其壁560所定义的圆形几何形状。坩锅500可包括可以布置在坩锅500的内部容积550中的多个热传输元件，例如为板571-578。根据如图5中所示的实施方式，可为八个板的形式的热传输元件被布置在坩锅500的内部容积550中，使得在两个相邻平面的间相交点的最小绝对角度为约45°，两个相邻平面的各自平行于板571-578的一个延伸。所述热传输元件的对称布置可确保在坩锅的内部容积中的热分配均匀。根据如图5中所示的实施方式，八个板571-578完全地延伸穿过坩锅500的壁560。根据此处的进一步的实施方式，一个或多个板可连接于坩锅500的壁560的内表面。根据此处的一些实施方式，坩锅的内表面可包括凹部，所述一个或多个热传输元件连接于凹部。凹部可不完全地延伸穿过坩锅的壁。例如，在坩锅的组装期间，所述一个或多个热传输元件可从坩锅的顶部和/或底部布置在凹部中。

根据在此描述的一些实施方式，所述一个或多个热传输元件可布置在坩锅的内部容积中，使得在直径为580的测量为至少10mm的内部容积的中心内的空间不包括所述一个或多个热传输元件的任何部分。根据此处的实施方式，不包括热传输元件的任何部分的坩锅的中心内的空间可例如是球体的形状，所述球体具有从10mm至35mm的直径。

图6示出了根据在此描述的进一步的实施方式的坩锅的示意图。坩锅600可包括一个或多个热传输元件670，一个或多个热传输元件670从壁突出进坩锅600的内部容积650中。根据如图6中所示的实施方式，一个或多个热传输元件670被提供成一个或多个棒(rods)671-675。棒671-675各自可布置成相对于坩锅600的侧壁661-666的至少一个垂直。坩锅600具有六角形的几何形状。然而，类似于任何先前在此描述的实施方式，坩锅不限于六角形的几何形状，而可包括进一步的几何形状，例如是正方形、矩形、三角形、圆形或椭圆形。

根据如图6中所示的实施方式，一个或多个棒671-675各自可完全地延伸穿过坩锅600的内部容积650。各棒可例如互连坩锅600的两个相对的侧壁661-664、662-665、和663-666。在此处的实施方式中，棒被示出为直形棒，所述直形棒延伸穿过坩锅的至少两个侧壁。根据此处的一些实施方式，可提供为棒、板的形状或任何其他形状的所述一个或多个热传输元件可不为直形，但可为曲状，以进一步增加在坩锅的内部容积中的所述一个或多个热传输元件的表面积。

坩锅600的侧壁661-666各自可包括多个孔洞669，以容纳五个671-675棒。孔洞669完全地延伸贯穿坩锅600的壁。所述孔洞可简化组装程序并确保热有效地从外侧传输到坩锅的内部容积。例如，在组装坩锅期间，棒可从坩锅的外侧插入孔洞669且还从坩锅的外侧焊接。

根据此处的实施方式，坩锅可包括多于五个分配在坩锅的内部容积中的棒。特别是，根据此处的实施方式，棒可沿着坩锅的壁的内表面以一个在于另一个顶上的方式逆时针方向排列。在坩锅的内部容积中的棒的特定排列可变化，以用于相同或不同坩锅来达到热在坩锅的内部容积中的有利分配。

图7示出了根据此处实施方式的蒸发组件的示意图。蒸发组件可包括一个或多个分配组件和一个或多个蒸发坩锅，所述一个或多个分配组件例如是一个或多个分配管。一般来说，根据在此描述的实施方式，分配管可包括内部容积，以容纳且引导来自坩锅的已蒸发的源材料。特别是，如图7中所示的蒸发组件700包括至少一个分配管706和至少一个坩锅100，坩锅100例如是如图1中所示。然而，根据此处的进一步实施方式，蒸发组件可包括任意一个或多个坩锅，所述任意一个或多个坩锅包括在此描述的任意一个或多个热传输元件。

分配管706可为具有加热单元715的延长立方体。如针对图1中所示的坩锅的描述，坩锅100可为用于通过热来将有机材料蒸发的储存器(reservoir)，所述热经由一个或多个热传输元件170从加热单元125提供。根据在此描述的实施方式，分配管的加热单元可加热分配管并避免有机材料的蒸汽凝结于分配管706的壁的内部部分，所述有机材料的蒸汽由坩锅100所提供。

根据在此描述的实施方式，分配管可为中空圆柱。术语圆柱可理解为一般可接受的具有圆形底部形状和圆形顶部形状，和连接顶部圆形和底部圆形的曲面区域或壳。根据在此描述的实施方式，一个或多个热屏蔽物和/或冷却屏蔽物布置可提供而用于减少热传输到要涂布的基板和/或在涂布工艺期间使用的掩膜。例如，通过具有贯穿热屏蔽物和冷却屏蔽物布置的喷嘴，从蒸发源传输到基板和/或掩膜的热可减少，热屏蔽物和冷却屏蔽物布置围绕分配组件。根据可与在此描述的其他实施方式结合的额外或选择性的实施方式，术语圆柱可在数学意义(mathematicalsense)上进一步理解为具有任意底部形状、相同的顶部形状、和连接顶部形状和底部形状的曲面区域或壳。圆柱不一定必须具有圆形截面。相反，底部表面和顶部表面可具有不同于圆形的形状。

根据可与在此描述的其他实施方式结合的此处的实施方式，分配管706提供线性蒸发组件。分配管706包括多个开孔712，开孔712沿着分配管706的长度方向布置。根据可选的实施方式，可提供沿着分配管的长度方向延伸的一个延长开孔。例如，延长开孔可为狭缝。根据可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管实质上垂直地延伸。例如，分配管706的长度可至少对应于利用蒸发组件的将要被沉积的基板的高度。在许多情况中，分配管706的长度将相较将要被沉积的基板的高度长至少10％或甚至20％，这有助于在基板的上端和/或基板的下端均匀沉积。

根据可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式，分配管的长度可为1.3m或以上，例如2.5m或以上。根据一种配置，如图7中所示，坩锅100被提供于分配管706的下端。有机材料在坩锅100中蒸发。有机材料的蒸汽在分配管的底部进入分配管706且实质上被向上引导并接着实质上偏侧边地(sideways)通过在分配管706中的多个开孔712，例如是朝向实质上垂直的基板。

根据可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式，出口(例如为喷嘴)被布置为具有略微地向上定向的主要蒸发方向，略微地向上定向的主要蒸发方向例如为从水平向上15°的范围中，例如是向上3°至7°。基板可稍微倾斜，以基本上(举例为±10°)垂直于蒸发方向，这可减少产生不需要的粒子。为了说明的目的，在图7中的坩锅100和分配管706被示出而不具有热屏蔽物。加热单元715和加热单元125可见于图7中所示出的示意性透视图中。然而，根据此处的实施方式，坩锅和分配管两者均可包括一个或多个热屏蔽层，以将热能反射至坩锅的内部容积和/或分配管，所述热能由一个或多个加热单元提供。

在此处描述的实施方式中，热屏蔽物可减少来自蒸发组件的能量损耗并减少整个能量消耗。然而，作为进一步的方面，特别是对于沉积有机材料而言，源自蒸发组件的热辐射可减少，特别是朝向例如在沉积/涂布工艺期间使用的掩膜的热辐射。特别是对于将有机材料沉积于已掩蔽的基板上，且甚至更对于制造显示器来说，基板和掩膜的温度需要精准地控制。因此，源自蒸发组件的热辐射可减少或避免。

图8和图9示出了根据此处的实施方式的不同蒸发组件的顶视图。例如，图8示出了蒸发组件800的一部分，包括至少三个坩锅100。所述坩锅具有六角形的几何形状。如图9中所示的蒸发组件900的部分例如为具有至少两个三角形的坩锅901。根据此处的一些实施方式，蒸发组件可包括根据在此描述的任何实施方式的多个坩锅。例如，蒸发组件可包括两个、三个、四个或更多个坩锅，所述坩锅可连接于至少一个或多个分配组件。

图10示出了根据此处实施方式的用于将源材料沉积到基板上的沉积系统的示意图。沉积系统1000可例如包括蒸发组件700(类似针对图7所描述的沉积组件)。蒸发组件700包括例如针对图1所描述的坩锅100和例如针对图7所描述的分配管706。如图10中所示的分配管706由支座1020所支撑。而且，根据一些实施方式，坩锅100还可由支座1020支撑。根据如图10中所示的实施方式，两个基板1010被提供于真空腔室1050中。一般来说，用于掩蔽在基板上的层沉积的掩膜1030可提供在基板1010和蒸发组件700之间。有机材料从坩锅100蒸发并经由分配管706被引导至基板1010。

根据在此描述的实施方式，蒸发组件可包括一个或多个坩锅和一个或多个分配管，其中所述一个或多个分配管的一个对应分配管可流体流通于所述一个或多个坩锅的一个对应坩锅。用于oled装置制造的多种应用包括其中两种或多种有机材料被同时蒸发的多个处理阶段。因此，两个分配管和对应的蒸发坩锅可相邻于彼此提供。在此种实施方式中，多于一种有机材料可例如被同时蒸发。

根据在此描述的实施方式，基板在实质上垂直的位置以有机材料涂布。也就是说，如图10中所示的视角为包括蒸发组件700的沉积设备的顶视图。分配管706提供实质上垂直延伸的线性蒸发组件。根据可与在此描述的其他实施方式结合的此在此描述的实施方式，实质上垂直在指向基板方向时特别是理解为允许从垂直方向偏差20°或以下，例如为10°或以下。例如，此偏差可因基板支座具有从垂直方向的一些偏差而可能产生更稳定的基板位置来提供。然而，在沉积源材料期间的基板方向被认定为实质上垂直，这不同于水平基板方向。根据此处的实施方式，基板的表面通过蒸发组件涂布，蒸发组件在对应于基板维度和平移运动的方向中延伸，平移运动是沿着对应于其他基板维度的其他方向。

如图10中所示的沉积系统1000特别示出了用于在真空腔室1050中沉积有机材料的沉积系统的实施方式。蒸发组件700被提供在真空腔室1050中的轨道上，所述轨道例如是环状轨道或线性导件1025。轨道或线性导件1025经配置以用于蒸发组件700的平移运动。根据可与在此描述的其他实施方式结合的不同实施方式，用于平移运动的驱动器可提供于蒸发组件700中、提供于轨道或线性导件1025处、提供于真空腔室1050中或上述方式的组合。而且，图10示出了阀1060，阀1060例如为闸阀。阀1060可例如提供至相邻的真空腔室(未在图10中示出)的真空密封。阀可被开启以传送基板1010或掩膜1030分别进入真空腔室1050中或离开真空腔室1050。

根据可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式，例如是维护真空腔室1070的进一步真空腔室邻近于真空腔室1050而提供。真空腔室1050和维护真空腔室1070通过阀1080连接。阀1080经配置用以开启和关闭在真空腔室1050和维护真空腔室1070之间的真空密封。当阀1080为开启状态中时，蒸发组件700可被传送至维护真空腔室1070。之后，阀可被关闭以提供在真空腔室1050和维护真空腔室1070之间的真空密封。如果阀1080关闭，维护真空腔室1070可排气并开启以用以维护蒸发组件700而无需破坏真空腔室1050中的真空。

根据此处的实施方式，两个基板1010被支撑于在真空腔室1050中的相应传送轨道上。而且，两个用于在其上提供掩膜1030的轨道被提供。在涂布工艺期间，基板1010可由相应的掩膜1030所掩蔽。根据典型的实施方式，掩膜1030可被提供在掩膜框架1031中以保持掩膜1030在预定的位置中。

根据可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式，基板1010可由基板支座1026支撑，基板支座1026被连接于对准单元1012。对准单元1012可调整基板1010相对于掩膜1030的位置。图10示出了基板支座1026连接于对准单元1012的实施方式的示意图。因此，基板被相对于屏蔽1030移动，以提供在有机材料沉积期间基板和掩膜之间恰当的对准。根据可与在此描述的其他实施方式结合的进一步的实施方式，掩膜1030和/或保持掩膜1030的掩膜框架1031可选择性或额外地连接于对准单元1012。掩膜可相对于基板1010定位或掩膜1030和基板1010两者可相对于彼此定位。经配置以用以调整在基板1010和掩膜1030相对于彼此之间的位置的对准单元1012在沉积工艺期间提供恰当对准的掩蔽，这有利于高质量或oled显示器制造。

掩膜和基板相对于彼此对准的实例包括对准单元，对准单元提供在定义一个平面的至少两个方向中的相对对准，所述平面实质上平行于基板的平面和掩膜的平面。例如，对准可至少在x方向和y方向中进行，也就是说，定义上述平行的平面的两个直角坐标(cartesian)方向。一般来说，掩膜和基板可实质上彼此平行。特别是，对准可进一步在实质上垂直于基板的平面和掩膜的平面的方向中进行。因此，对准单元经配置以至少用于掩膜和基板相对于彼此的x-y对准，且特别是x-y-z对准。可与在此描述的其他实施方式结合的一个特定的实例是在x方向、y方向和z方向中将基板对准掩膜，掩膜可被静态保持在真空腔室1050中。

如图10中所示，线性导件1025提供蒸发组件700的平移运动的一个方向。掩膜1030可提供在蒸发组件700的任一侧上。根据在此描述的实施方式，掩膜1030可实质上平行于平移运动的方向延伸。而且，布置在蒸发源相对侧的基板1010还可实质上平行于平移运动的方向延伸，所述蒸发源例如为蒸发组件700。根据典型的实施方式，基板1010可经由阀1060移动进真空腔室1050中并离开真空腔室1050。沉积系统1000可包括用于传送各个基板1010的对应的传送轨道。例如，传送轨道可平行于如图10中所示的基板位置延伸并进入和离开真空腔室1050。

一般来说，提供进一步的轨道以用于支撑掩膜框架1031和掩膜1030。可与在此描述的其他实施方式结合的一些实施方式可包括在真空腔室1050中的四个轨道。为了移动其中一个掩膜1030离开腔室例如用于清洗掩膜，包括掩膜的掩膜框架1031可移动至基板1010的传送轨道上。各自的掩膜框架可在基板的传送轨道上接着离开或进入基板的传送轨道上的真空腔室1050。虽然提供用于掩膜框架1031的分离的传送轨道来进入和离开真空腔室1050是有可能的，但是如果只有两个轨道(即用于基板的传送轨道)延伸进入和离开真空腔室1050，且此外掩膜框架，例如与相应的掩膜1030一起，可通过适合的致动器或机械手移动到用于基板的传送轨道的相应一个传送轨道上，那么沉积系统1000的拥有成本(costofownership)可减少。

根据此处的实施方式，提供用于利用从坩锅蒸发的源材料涂布基板的方法1100。坩锅可为上述的任意一个或多个坩锅且一般包括壁，所述壁具有内表面，所述内表面围绕内部容积以用于容纳源材料和至少一个热传输元件，所述至少一个热传输元件被布置在坩锅的内部容积中。所述方法包括在坩锅中提供源材料1110，特别是在坩锅的内部容积中。根据此处的实施方式，源材料可为粉末、液态和/或小球(pellets)的形式。所述方法进一步包括通过提供坩锅的内部容积的间接加热来加热源材料至蒸发温度1120。特别是，电力可提供至加热器，所述加热器被至少沿着坩锅的壁的外部布置。此处使用的术语“外部(outerportion)”应意指不在坩锅的内部容积中的坩锅的任何部分。例如，壁的外部可例如由屏蔽物所覆盖，以使得加热器布置在壁的外部与屏蔽物之间。

加热源材料可在真空下完成，这有助于从粉末进行任何湿度的吸湿(desorption)且温度可逐渐地增加。根据在此描述的实施方式，温度可提升至待用(stand-by)温度，源材料的蒸发在接近待用温度时发生。待用温度可为例如是从蒸发温度的90％至95％的任意温度。根据此处的实施方式，温度可通过一个或多个传感器和一个温度控制器控制，上述温度控制器作用于电源，电源被连接于加热器。

在此处描述的实施方式中，温度可逐渐地从待用温度增加至蒸发温度，以更好地调整沉积率。

根据此处的实施方式，提供坩锅的内部容积的间接加热可进一步包括在坩锅的内部容积中产生最多总加热功率的5％1130。于在此描述的实施方式中，大部分的加热功率在坩锅的内部容积的外侧产生并间接地提供至坩锅的内部容积以蒸发源材料。通过所述一个或多个热传输元件，热可被动地提供进坩锅的内部容积中。特别是，来自加热器的热可经由坩锅壁和/或所述一个或多个热传输元件传输到坩锅的内部容积。

在此处的实施方式中，来自加热器的热经由壁和/或所述一个或多个热传输元件在坩锅的内部容积中被均匀地分配。一般来说，没有加热器被直接地提供在坩锅的内部容积中是因为此举可能会对坩锅的外侧上的加热器控制有所干扰。根据此处的实施方式，大部分的加热功率被应用到在坩锅的外侧上的加热器，且由加热器产生的热能通过壁和/或所述一个或多个热传输元件传导进坩锅的内部容积中。

根据此处的实施方式，源材料的加热可进一步包括将所述一个或多个热传输元件从至少第一位置移动至第二位置，以更均匀地在坩锅的内部容积中分配热。

用于利用源材料涂布基板的方法进一步包括将已蒸发的和/或已升华的源材料引导至基板而在基板的表面上产生源材料的薄膜1140。根据此处的实施方式，引导已蒸发的源材料可包括提供热能至已蒸发的源材料1150。而且，在此处的实施方式中，引导源材料可进一步包括在接近基板处冷却已蒸发的源材料1160，以促进源材料在基板的表面上的沉积。

虽然上述内容涉及本发明的实施方式，但是可以在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其他和进一步的实施方式。