1.一种成膜方法，将被施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定的位置，所述成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此，使溅射粒子到达所述基板的表面进行堆积，并且进行使溅射等离子体中的离子撞击所述基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其特征在于，
在形成于具有排气系统的单一的真空槽内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后，使所述基板移动至反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击所述中间薄膜的等离子体再处理，形成所述薄膜，所述反应区域被配置成与成膜区域在空间上分离。
2.一种成膜方法，所述成膜方法是使用成膜装置在多个基板各自的表面上形成薄膜的方法，在所述成膜装置中，利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出溅射粒子的成膜区域、和产生溅射等离子体之外的其他等离子体的反应区域在具有排气系统的单一的真空槽内被配置成彼此在空间上分离，并且所述成膜装置构成为能够独立地控制各区域中的处理，其特征在于，
所述成膜方法具有：
在成膜区域内产生溅射放电的溅射等离子体的工序；
在反应区域内产生溅射等离子体之外的其他等离子体的工序；
对多个基板分别施加电压的工序；以及
使施加有电压的多个基板在成膜区域内的规定的位置和反应区域内的规定的位置之间移动的工序，所述成膜区域是利用溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，所述反应区域是被暴露于溅射等离子体之外的其他等离子体的区域，
使从靶材释放出的溅射粒子到达被导入到成膜区域中的基板进行堆积，同时进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成中间薄膜，然后，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击已经移动到反应区域中的基板的中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在成膜区域中，在工作气体的环境下，对由金属构成的靶材进行溅射，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理，形成由金属或金属的不完全反应物 构成的连续的中间薄膜或不连续的中间薄膜，
在反应区域中，使在含有反应性气体的环境下产生的等离子体中的、电中性的反应性气体的活性种与移动来的基板的中间薄膜接触而发生反应，将所述中间薄膜转换为由金属的完全反应物构成的连续的超薄膜。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，
将惰性气体作为工作气体导入到成膜区域中，在溅射等离子体中产生惰性气体的离子，将惰性气体、反应性气体、以及惰性气体和反应性气体的混合气体中的任意一种导入到反应区域中，在溅射等离子体之外的其他等离子体中产生导入气体的离子。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，
在将多个基板保持在外周面上后，一边施加电压一边使筒状的基板保持器旋转，由此使得施加有电压的多个基板在成膜区域的所述规定的位置与反应区域的所述规定的位置之间移动，由此反复执行中间薄膜的形成和向超薄膜的转换，从而形成薄膜。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，
作为用于对多个基板施加电压的电力供给源，采用了构成为能够与直流电源和高频电源的一方或双方连接的电力供给源。
7.根据权利要求6所述的成膜方法，其特征在于，
对多个基板分别施加的电压为5V～1000V，其中，在基于从直流电源供给的电力的情况下，对多个基板分别施加的电压为输出电压，在基于从高频电源供给的电力的情况下，对多个基板分别施加的电压是自偏电压。
8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的成膜方法，其特征在于，
通过从交流电源施加频率为10kHz～2.5GHz的交流电压而在反应区域内产生等离子体。
9.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具有：
真空槽，其具有排气系统；
成膜区域，其形成于真空槽内；
反应区域，其形成于真空槽内，并且被配置成与成膜区域在空间上分离；
阴极电极，其搭载靶材；
溅射电源，其使面对靶材的被溅射面的成膜区域内产生溅射放电；
等离子体产生单元，其使反应区域内产生溅射等离子体之外的其他等离子体，所 述溅射等离子体是通过在成膜区域内产生的溅射放电而形成的；
筒状的基板保持器，其将多个基板保持在外周面上；以及
驱动单元，其使基板保持器旋转，
通过驱动单元使基板保持器旋转，由此使基板在成膜区域内的规定的位置与反应区域内的规定的位置之间反复移动，所述成膜区域是利用溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，所述反应区域是被暴露于溅射等离子体之外的其他等离子体的区域，其中，
所述成膜装置还具备：
基板电极，其从背面搭载由基板保持器保持的基板；和
偏置电源，其向基板电极供给电力，
所述成膜装置构成为，将靶材搭载在阴极电极上并接通溅射电源，使等离子体产生单元工作，并且，将多个基板保持在基板保持器的外周面上，并且一边向基板电极供给电力从而对基板施加电压，一边使基板保持器旋转，由此使得从靶材释放出的溅射粒子到达已经移动到成膜区域中的基板进行堆积，同时，进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成中间薄膜，然后，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击已经移动到反应区域中的基板的中间薄膜的等离子体再处理，将所述中间薄膜转换为超薄膜，然后，使多层该超薄膜层叠而形成薄膜。
10.一种成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具有：
真空槽，其具有排气系统；
成膜区域，其形成于真空槽内；
反应区域，其形成于真空槽内，并且被配置成与成膜区域在空间上分离；
阴极电极，其搭载靶材；
溅射电源，其使面对靶材的被溅射面的成膜区域内产生溅射放电；
等离子体产生单元，其使反应区域内产生溅射等离子体之外的其他等离子体，所述溅射等离子体是通过在成膜区域内产生的溅射放电而形成的；
筒状的基板保持器，其将多个基板保持在外周面上；以及
驱动单元，其使基板保持器旋转，
通过驱动单元使基板保持器旋转，由此使基板在成膜区域内的规定的位置与反应 区域内的规定的位置之间反复移动，所述成膜区域是利用溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，所述反应区域是被暴露于溅射等离子体之外的其他等离子体的区域，其中，
所述成膜装置还具备：
基板电极，其从背面搭载由基板保持器保持的基板；和
偏置电源，其向基板电极供给电力。