1.一种真空蒸镀方法，包括以下步骤：
提供蒸发源及待镀基底，该蒸发源包括蒸发材料及碳纳米管膜结构，该碳纳米管膜结构为一载体，该蒸发材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；
将该蒸发源与待镀基底相对且间隔设置在真空室中并抽真空；以及
通过一电磁波信号输入装置向该碳纳米管膜结构中输入电磁波信号，使该蒸发材料气化，在该待镀基底的待镀表面形成蒸镀层。
2.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该蒸发源的制备方法包括以下步骤：
提供碳纳米管膜结构；以及
在该碳纳米管膜结构表面通过溶液法、沉积法、蒸镀、电镀或化学镀的方法担载该蒸发材料。
3.如权利要求2所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该蒸发材料通过溶液法担载在该碳纳米管膜结构表面，具体包括以下步骤：
将该蒸发材料溶于或均匀分散于一溶剂中，形成一溶液或分散液；
将该溶液或分散液均匀附着于该碳纳米管膜结构表面；以及
将附着在该碳纳米管膜结构表面的溶液或分散液中的溶剂蒸干，从而将该蒸发材料均匀的附着在该碳纳米管膜结构表面。
4.如权利要求3所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该蒸发材料包括多种材料，该多种材料在溶剂中按预定比例预先混合均匀，形成该溶液或分散液。
5.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该电磁波信号的平均功率密度在100mW/mm2~20W/mm2范围内。
6.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构在支撑结构之间悬空设置，该蒸发材料设置在悬空的碳纳米管膜结构表面。
7.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10-4焦耳每平方厘米开尔文，比表面积大于200平方米每克。
8.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构包括一个或相互层叠的多个碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管。
9.如权利要求8所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该碳纳米管膜中的碳纳米管基本平行于该碳纳米管膜表面，并沿同一方向延伸。
10.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该蒸发源的厚度小于或等于100微米。
11.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该待镀基底与该蒸发源的碳纳米管膜结构等间隔设置，间距为1微米~10毫米。
12.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该电磁波信号输入装置设置在该真空室中，并与该碳纳米管膜结构相对且间隔设置。
13.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，该电磁波信号输入装置设置在该真空室外，与该碳纳米管膜结构相对设置，该电磁波信号能够穿过该真空室的墙壁，到达该碳纳米管膜结构。
14.如权利要求1所述的真空蒸镀方法，其特征在于，进一步提供一栅网，并将该栅网设置在该蒸发源与待镀基底之间。