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用于改良BCD及蚀刻深度性能的源RF功率分裂式内线圈的制作方法
文档序号:14030442
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来源:国知局
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用于改良BCD及蚀刻深度性能的源RF功率分裂式内线圈的制作方法
技术特征:
技术总结
一种线圈组件,包含两个或更多个线圈,两个或更多个线圈的每一个从第一末端径向向外缠绕到第二末端,两个或更多个线圈的第一末端接合在一起,并且两个或更多个线圈的第二末端以等间隔安置。也提供了包含线圈组件的蚀刻反应器和使用蚀刻反应器形成沟槽的方法。
技术研发人员:
任睿哲;王荣平;乔恩·C·法尔;切斯安·曼加洛;彼得·德蒙特;帕斯班·巴拉克里斯南
受保护的技术使用者:
应用材料公司
技术研发日:
2015.06.15
技术公布日:
2018.03.27
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