导电氧化层的沉积装置及方法与流程

本发明涉及导电氧化层的沉积装置及方法，更详细地说涉及根据溅射(Sputtering)的导电氧化层的沉积装置及方法。

背景技术：

导电氧化层正在被广泛利用于显示装置领域。诸如ITO的导电氧化层带有导电性并且透明，因此也能够以各种用途利用于显示画面的显示装置。例如，导电氧化层被利用成薄膜晶体管的活跃层材料，因此也可利用于实现透明显示装置，并且可被利用成有机发光显示装置的阳极(anode)材料。

如上所述的导电氧化层主要由溅射(Sputtering)工艺沉积于基板上。溅射工艺是利用如下的原理的沉积方法：使目标(Target)位于真空状态的腔室内之后通过等离子放电将离子碰撞于所述目标，进而构成所述目标的物质被弹出而沉积于基板上。

由如上所述的溅射工艺沉积导电氧化层的方法公开于韩国公开专利第2014-0099340号。

但是，现有的根据溅射工艺的导电氧化层的沉积方法具有如下的局限性。

由现有的溅射工艺形成的导电氧化层电阻大，因此作为要求优秀的导电性特性的显示装置的电极上是有局限的。

另外，为了减少获得的导电氧化层的电阻，考虑在溅射工艺时加热基板的方案，但是若加热基板，能够获取电阻低的导电氧化层，但是在这一情况下，伴随能够适用的应用范围被限定的制约。例如，被广泛利用为显示装置的有机发光显示装置的情况下，应该在形成有机发光层的状态下形成导电氧化层，但是所述有机发光层不耐热，因此在加热基板的状态下无法形成导电氧化层，因此，为了降低导电氧化层的电阻，在有机发光显示装置将无法适用加热基板的方法。

技术实现要素：

(要解决的问题)

本发明是为了解决上述现有技术的问题而提出的，本发明的目的在于提供在不加热基板的同时也能够沉积电阻低的导电氧化层的沉积装置及沉积方法。

(解决问题的手段)

为了达成上述目的，本发明提供如下的导电物质氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有从第一电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第一目标及与第一微波生成部连接的第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有从第二电力供应部施加DC或DC脉冲电压的第二目标及与第二微波生成部连接的第二导波管，所述第一微波生成部被设定为施加可将所述第一工艺气体等离子放电的功率。

本发明还提供如下的导电氧化层的沉积装置，包括：第一工艺腔室，与供应第一工艺气体的第一气体供应部连接，并且具有第一目标及第一导波管；及第二工艺腔室，与供应第二工艺气体的第二气体供应部连接，并且具有第二目标及与第二导波管；隔壁，具有用于在所述第一工艺腔室与第二工艺腔室之间移动基板的间隙；及吸气结构，用于防止所述第二工艺腔室内的第二工艺气体进入所述第一工艺腔室内。

本发明还提供如下的导电氧化层的沉积方法，包括：基板的表面处理及种子层形成工艺，在常温下将第一工艺气体供应于第一腔室内，并且将微波照射于所述第一工艺气体来等离子放电所述第一工艺气体，并将第一电压施加于第一目标；及导电氧化物沉积工艺，在常温下将第二工艺气体供应于第二腔室内，并将第二电压施加于第二目标来等离子放电所述第二工艺气体，并将微波照射于所述等离子，进而在所述种子层上沉积导电氧化物。

(发明的效果)

根据本发明一实施例，在沉积氧化物之前，对基板追加执行表面处理工艺及种子层形成工艺，进而具有在常温下执行工艺的同时也能够降低最终获取的氧化层的电阻的效果。

另外，根据本发明一实施例，相比于一般的溅射(sputter)，以低电压沉积氧化物薄膜，因此具有降低氧化层的电阻的效果。

附图说明

图1是根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

图2是根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积工艺的流程图。

图3是根据本发明另一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

图4a及图4b是图示本发明的各种形状的吸气结构的图面。

图5是根据本发明其他实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

图6是示出根据改变工艺条件而变化ITO薄膜的薄膜电阻的示意图。(附图标记说明)

10：腔室 20：目标

30：支撑架 40：电力供应部

50：微波生成部 60：气体供应部

具体实施方法

与附图一起参照详细后述的实施例可明确本发明的优点、特征及达成方法。但是本发明并不被以下公开的实施例限定，而是能够实现相互不同的形状，本实施例只是使本发明的公开更加完整，并且是为了对于在本发明所属技术领域具有通常知识的技术人员告知本发明的范畴而提供的，并且只用权利要求的范畴定义本发明。

在用于说明本发明的实施例的图面公开的形状、大小、比例、角度、个数等是示例性的，因此不限定于在本发明中被示出的。在说明书所有内容中相同参照符号称为相同构成要素。另外，在说明本发明时，在判断对相关公知技术的具体说明可使本发明的要点不清楚的情况下，将省略该详细说明。在本说明书上使用“包括”、“具有”、“构成”等的情况下，只要未使用“只”也可增加其他部分。用单数表示构成要素的情况下，只要没有特别明示的记载事项，还包括多数的情况。

在解释构成要素时，就算没有另外的明确记载，应该解释为包括误差范围。

在说明位置关系的情况下，例如“在～上”“在～上部”、“在～下部”、“在～旁边”等说明两个部分的位置关系的情况下，只要在未使用“直接”的情况下，在两个部分之间也可设置一个以上的另一部分。

在说明时间关系的情况下，例如“在～之后”“～接着”、“在～之前”等说明时间上先后关系的情况下，只要在未使用“直接”的情况下，也可包括在两个部分之间也可设置一个以上的另一部分的情况。

第一、第二等用语是为了说明多种构成要素而使用的，但是该多种构成要素并不被该用语限制。该用语只是为了将一个构成要素与其他构成要素区分而使用的。因此，在以下谈及的第一构成要素在本发明的技术思想内也可以是第二构成要素。

本发明的各种实施例的各个特征能够部分或全部相互结合或组合，并且能够在技术上进行各种连动及驱动，对于各个实施例也可独立实施并且也能够以相关关系一起实施。

以下，参照附图详细说明本发明的优选实施例。

图1是根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

在图1可以看出，根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积装置包括：腔室(Chamber)10、目标(Target)20、支撑架30、电力供应部40、微波生成部(Microwave Generator)50、导波管55及气体供应部60。

所述腔室10形成反应空间。因此，在所述腔室10内中可由溅射工艺在基板S上沉积导电氧化层。尤其是，根据本发明一实施例，由所述微波生成部50生成的微波通过所述导波管55入射于所述腔室10内，进而所述微波与等离子结合引起电子回旋共振(ECR:Electron Cyclotron Resonance)，进而可生成高密度的等离子。

所述目标20形成在所述腔室10内。所述目标20可导电氧化物构成，所述导电氧化物构成在所述基板S上沉积的导电氧化层。例如，所述沉积的导电氧化层由ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)构成的情况下，所述目标20也可由ITO构成。所述目标20执行用于溅射工艺的阴极(Cathode)的功能。根据本发明一实施例的目标20由导电性物质(即，导电氧化物)构成，因此可利用所述目标20本身作为阴极。但是，并不限定于此，而是也能够与所述目标20分开单独形成阴极。

所述目标20形成圆筒形并可旋转地设置，但是不必限定于此。另外，在所述圆筒形的目标20内部设置磁铁，进而通过所述磁铁在所述目标20周边形成磁场，以在所述目标20周边形成高密度的等离子。

在所述支撑30架安装所述基板S。根据本发明一实施例，根据溅射的薄膜沉积工艺在常温(15～25℃)下执行，因此所述支撑架30无需具有用于加热所述基板S的另外的加热器。

所述电力供应部40将电压施加于执行所述阴极功能的目标20，进而可使所述目标20放电，如上所述若使所述目标20放电，则加速等离子的同时碰撞于所述目标20表面执行溅射的沉积工艺。所述电力供应部40可由DC、脉冲DC或MF等电源构成。所述电力供应部40可通过电源线41连接于所述目标20。

所述微波生成部(Microwave Generator)50生成微波，进而在所述腔室10内的反应空间中引起电子回旋共振(ECR:Electron Cyclotron Resonance)。由所述微波生成部50中生成的微波通过所述导波管55向所述腔室10内的反应空间照射，向反应空间照射的微波与等离子结合引起电子回旋共振，据此生成高密度的等离子。所述微波生成部50通过微波管51连接于所述导波管55。

所述导波管55使由所述微波生成部50生成的微波向所述腔室10内的反应空间照射。为此，所述导波管55与所述微波生成部50连接，并且形成在所述腔室10内部。所述导波管55可向着目标20与所述基板S之间的反应空间进行设置。如图所示，所述导波管55只设置1个设置在所述目标20的一侧，但是也可设置2个导波管55各在所述目标20的一侧及另一侧设置1个。在配置2个所述导波管55的情况下，各个导波管55可与一个微波生成部50连接。

所述气体供应部60将工艺气体供应于所述腔室10内部。具体地说，所述气体供应部60与气体供应管61连接，因此通过所述气体供应管61将工艺气体供应于所述腔室10内部。所述工艺气体可由诸如氩(Ar)的惰性气体构成，也可由诸如氩(Ar)的惰性气体与氧气的组和气体构成。所述工艺气体由惰性气体与氧气的组和气体构成的情况下，可由供应惰性气体的第一气体供应部与供应氧气的第二气体供应部的组合来构成所述气体供应部60。

在以下说明根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积工艺。图2是根据本发明一实施例的导电氧化层的沉积工艺流程图。参照根据上述图1的沉积装置，如下说明根据图2沉积工艺。

首先，执行对基板的表面处理及种子层(seed layer)形成工艺(10S)。

对所述基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)，包括如下的工艺：将所述第一工艺气体供应于所述腔室10内，并使所述第一工艺气体等离子放电，之后施加DC或DC脉冲电压。如上所述对基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)可在常温(15～25℃)下执行。

所述第一工艺气体可由不包括氧气的惰性气体构成。例如，所述第一工艺气体可由氩(Ar)气构成，在将所述第一工艺气体供应于所述腔室10内之前，在所述腔室10已有基础压力(Base Pressure)。

使所述第一工艺气体等离子放电的工艺可由如下的工艺构成：将由所述微波生成部50生成的微波通过所述导波管55照射于所述腔室10内的第一工艺气体。如上所述，将微波照射于第一工艺气体，进而可使所述第一工艺气体等离子放电。因此，所述照射微波的功率可调节至能够使所述第一工艺气体等离子放电程度的功率。例如，利用氩(Ar)作为工艺气体的情况下，若照射1Kw的微波，则所述氩可被等离子放电。与此相同，根据本发明照射微波来使所述第一工艺气体等离子放电，并不是根据施加所述DC或DC脉冲电压来使所述第一工艺气体等离子放电。因此，将所述DC或DC脉冲电压设定为等离子放电电压以下的电压，进而可在常温(15～25℃)下可执行对基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)。

若在使所述第一工艺气体等离子放电的状态下施加所述DC或DC脉冲电压，第一，存在于等离子内的电子碰撞于基板S，进而对所述基板执行表面处理工艺，第二，存在于所述等离子内的阳离子碰撞于所述目标20，使构成所述目标20的导电氧化物的一部分沉积于所述基板S上，进而执行所述种子层(seed layer)形成工艺。

施加所述DC或DC脉冲的工艺，可由所述电力供应部40将第一电压施加于所述目标20的工艺实现。

若在所述目标20施加第一电压，则在所述目标20与所述基板S之间形成电场，因此存在于所述等离子内的电子碰撞于所述基板S，进而可执行对所述基板S的表面处理。另外，若在所述目标20施加第一电压，则在所述目标20与所述基板S之间形成电场，进而存在于所述等离子内的阳离子碰撞于所述目标20。如此，微量的导电氧化物在所述目标20弹出，进而可在所述基板S上形成数至数十厚度的种子层。

如上所述，根据所述施加DC或DC脉冲电压的工艺，可一同执行对基板S的表面处理工艺与种子层形成工艺，尤其是可同时执行对基板S的表面处理工艺与种子层形成工艺。

对基板S的表面处理工艺与种子层形成工艺(10S)，正式是在溅射工艺之前执行，如上所述，在所述表面处理及种子层形成工艺(10S)时施加的所述第一电压范围是在所述目标20与所述基板S之间形成磁场的同时，不在所述目标20引起放电的电压范围。即，所述第一电压是比能够在所述目标20引起放电的最小电压更低的电压。尤其是，所述第一电压是比在后述的薄膜沉积工艺(20S)施加的第二电压更低的电压。例如，若在所述目标20施加50V的DC电压，则不会在所述目标20引起放电的同时可执行对基板S的表面处理及种子层形成工艺(10S)。

结果，对所述基板的表面处理及种子层(seed layer)形成工艺(10S)可由如下的工艺构成：在常温(15～25℃)下将第一工艺气体供应于所述腔室10内，将由所述微波生成部50生成的微波照射于所述腔室10内的第一工艺气体来使所述第一工艺气体等离子放电，之后施加DC或DC脉冲电压。但是，不必限定于此，而是所述施加DC或DC脉冲电压的工艺也可在所述微波照射工艺之前执行，在这一情况下，在保持所述施加的DC或DC脉冲电压的状态下，执行所述微波照射工艺。

之后，在所述种子层上沉积导电氧化物(20S)。

在所述种子层上沉积导电氧化物的工艺(20S)包括如下的工艺：将第二工艺气体供应于所述腔室10内，施加DC或DC脉冲电压来使所述第二工艺气体等离子放电。与此相同，导电氧化物的沉积工艺(20S)可在常温(15～25℃)下执行。

所述第二工艺气体可由不包括氧气的惰性气体构成，例如可由氩(Ar)气构成，但是根据情况也可由氧气与惰性气体的混合气体构成。并且，调节所述氧气的含量，进而可调节最终获取的导电氧化物的电阻。

所述施加DC或DC脉冲电压的工艺可由如下的工艺构成：在所述电力供应部40将初期放电电压施加于所述目标20，之后保持低于所述初期放电电压的放电稳定化电压，之后施加低于所述放电稳定化电压的第二电压。若在所述目标20经过所述初期放电电压及所述放电稳定化电压施加所述第二电压，则在所述目标20与所述基板S之间形成电场的同时使所述第二工艺气体等离子放电。据此，使存在于所述等离子内的阳离子碰撞于所述目标20，进而实现将构成所述目标20的导电氧化物沉积于所述基板S上的溅射工艺。

这时，所述第二电压是能够在所述目标20引起放电的电压。例如，若在所述目标20施加170V的DC电压，则在所述目标20弹出导电氧化物来执行溅射工艺。

为了由所述电力供应部40将电压施加于所述目标20来等离子放电之后增加所述等离子的离子密度，可追加执行使由所述微波生成部50生成的微波通过所述导波管55照射于所述腔室10内的等离子的工艺。与此相同，若将微波照射于等离子，则所述微波与等离子结合引起电子回旋共振，进而可生成高密度的等离子。

尤其是，若照射所述微波，则可将所述第二电压降低至所述放电稳定化电压的30％至80％的电压。即，由所述微波的照射被调节至所述放电稳定化电压的30％至80％的电压的所述第二电压可被施加于所述目标20。

如上所述，并行所述DC或DC脉冲电压的施加与所述微波的照射，进而可生成高密度的等离子，因此可降低所述第二电压，尤其是，可将所述第二电压设定为比引起放电的放电稳定化电压更低的电压，具体地说，适当地调节所述微波的功率，进而能够将所述第二电压设定为放电稳定化电压的30％至80％的电压。

结果，在所述种子层上沉积导电氧化物的工艺(20S)可由如下的工艺构成：在常温(15～25℃)下将第二工艺气体供应于所述腔室10内，并施加DC或DC脉冲电压来使所述第二工艺气体等离子放电，并将微波照射于所述等离子。

这时，所述微波功率可与上述对基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)时相同地进行设定。即，为了增加所述等离子的离子密度而照射的微波的功率，可被调节至能够等离子放电所述第二工艺气体程度的功率，例如可由1Kw构成。

如上所述，本发明通过表面处理及种子层形成工艺与沉积工艺的2个步骤工艺，具有能够在比常温低的温度及比放电稳定化电压的更低的电压下，沉积具有薄膜电阻的导电氧化层的优点。

以上说明的导电氧化层的沉积方法可利用上述根据图1的沉积装置执行，在这一情况下，利用一个相同的腔室10及在该腔室10内部配置的相同的目标20，可执行所述表面处理及种子层形成工艺(10S)及所述导电氧化物沉积工艺(20S)。

只是，导电氧化层的沉积方法也可利用根据后述的图3及图4的沉积装置执行，在这一情况下，可在第一工艺腔室200内执行所述表面处理及种子层形成工艺(10S)，接着可在第二工艺腔室300内执行所述导电氧化物沉积工艺(20S)。

图3是根据本发明另一实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

在图3可以看出，根据本发明另一实施例的导电氧化层的沉积装置包括：装载腔室100、第一闸阀150、第一工艺腔室200、第二工艺腔室300、第二闸阀350、卸载腔室400及隔壁450。

所述装载腔室100配置在沉积装置的最前方。并且，能够以首次真空处理的用途使用所述装载腔室100，以使沉积装置内部在大气状态下转换为真空环境。因此，虽未在图面示出，但是所述装载腔室100与真空泵连接。

基板S通过所述装载腔室100被安装到沉积装置内之后进行后续工艺。具体地说，虽未在图面示出，但是所述基板S被诸如移送滚轮或输送带等移送工具，依次以所述装载腔室100、所述第一工艺腔室200、所述第二工艺腔室300及所述卸载腔室400顺序移送。

所述第一闸阀150位于所述装载腔室100与所述第一工艺腔室200之间。若所述第一闸阀150开启，则所述基板S在所述装载腔室100进入所述第一工艺腔室200。

所述第一工艺腔室200内配置有第一目标(Target)220与第一导波管255。

所述第一目标220通过第一电源线241连接于第一电力供应部240。所述第一目标220为在所述基板S上沉积的导电氧化层，例如可由ITO(Indium Tin Oxide)构成。所述第一目标220可起到用于溅射工艺的阴极(Cathode)功能，并且形成圆筒形可旋转地设置所述第一目标220。另外，所述圆筒形的第一目标220的内部可设置磁铁。所述第一电力供应部240可由DC、脉冲DC或MF等电源构成。

所述第一导波管255通过第一微波管251连接于第一微波生成部250。如图所示，所述第一导波管255也可只有1个配置在所述第一目标220的一侧，但是也可有总共2个所述第一导波管255个配置在所述第一目标220的一侧及另一侧。在所述第一导波管255配置有2个的情况下，各个第一导波管255可与一个第一微波生成部250连接。

另外，第一工艺腔室200内部通过第一气体供应管261与第一气体供应部260连接。所述第一气体供应部260可包括诸如氩(Ar)的惰性气体而构成。

在如上所述的第一工艺腔室200内执行上述图2的对基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)。

因此，在所述第一气体供应部260包括如氩(Ar)的惰性气体作为第一工艺气体，并不包括氧气。

另外，连接于所述第一目标(Target)220的所述第一电力供应部240施加DC或DC脉冲电压，由所述第一电力供应部240施加的DC或DC脉冲电压可设定在第一电压范围，该第一电压范围是在所述第一目标220与所述基板S之间形成电场的同时不向所述第一目标220引起放电。如上所述，所述第一电压被设定为比能够在所述第一目标220引起放电的最小电压更低的电压。

另外，连接于所述第一导波管255的所述第一微波生成部250构成为，施加能够使所述第一工艺气体等离子放电的功率。

在所述第二工艺腔室300内配置有第二目标320a、320b与第二导波板355a、355b。

所述第二目标320a、320b通过第二电源线341a、341b连接于第二电力供应部340a、340b。在图面上示出了所述第二目标320a、320b、所述第二电源线341a、341b及所述第二电力供应部340a、340b中的各每2个在线(in-line)连接的图面，但也可是分别每3个以上在线连接，也可各形成1个。所述第二目标320a、320b分别为在所述基板上S沉积的导电氧化层，例如可由ITO(Indium Tin Oxide)构成。所述第二目标320a、320b分别可起到阴极功能，并且形成圆筒形可旋转地设置所述第二目标320a、320b，并且在内部可设置有磁铁。所述第二电力供应部340a、340b分别可由DC、脉冲DC或MF等的电源构成。

所述第二导波管355a、355b分别通过第二微波管351a、351b连接于第二微波生成部350。在图面示出了在一个第二微波生成部350连接2个第二导波管355a、355b，但是不必限定于此，而是2个第二导波管355a、355b也能够分别连接于各个第二微波生成部350。如图所示，所述第二导波管355a、355b可只配置有一个分别在所述第二目标320a、320b的各一侧，但是也可配置有2个各配置在所述第二目标320a、320b的各一侧及另一侧。

另外，第二工艺腔室300内部通过第二气体供应管361与第二气体供应部360连接。所述第二气体供应部360也可由包括诸如氩(Ar)的惰性气体组成，也可包括诸如氩(Ar)的惰性气体及氧气而组成。

在如上所述的第二工艺腔室300内，执行在上述图2的种子层上沉积导电氧化物的工艺(20S)。

因此，所述第二气体供应部360可包括供应诸如氩(Ar)的惰性气体的气体供应部与供应氧气的气体供应部。

另外，连接于所述第二目标320a、320b的所述第二电力供应部340a、340b施加DC或DC脉冲电压，在所述第二电力供应部340a、340b施加的DC或DC脉冲电压设定为，在所述第二目标320a、320b引起放电的初期放电电压、放电稳定化电压及第二电压范围。如上所述，所述第二电压在通过所第二导波管355a、355b施加微波之后可被调节至放电稳定化电压的30％至80％的电压。

另外，连接于所述第二导波管355a、355b的所述第二微波生成部350施加能够使所述第二工艺气体等离子放电的功率。

根据本发明一实施例，在所述第一工艺腔室200内执行对上述图2的对基板的表面处理及种子层形成工艺(10S)，在所述第二工艺腔室300内执行在上述图2的种子层上沉积导电氧化物的工艺(20S)。因此，为了分离所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300，在所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300之间形成隔壁450。在所述隔壁450形成间隙451，通过所述间隙451基板S可在第一工艺腔室200移动至第二工艺腔室300。

另外，需要防止所述第二工艺腔室300内部的气体，尤其是氧气进入所述第一工艺腔室200内部。为此，所述第二工艺腔室300内部可通过泵管路471与真空泵470连接。所述真空泵470吸入所述第二工艺腔室300内部的气体，进而可防止所述第二工艺腔室300内部的气体进入所述第一工艺腔室200内部。

另外，在由箭头导出的扩大图可以看出，在所述间隙451周围的隔壁450设置吸气结构490，可防止所述第二工艺腔室300内部的气体进入所述第一工艺腔室200内部。

如右侧扩大图所示，所述吸气结构490也可由在所述隔壁450的表面凸出的形状构成，如左侧扩大图所示也可由插入所述隔壁450内部的形态构成。这时，所述隔壁450向所述第二工艺腔室300内部侧形成，以吸入所述第二工艺腔室300内部的气体。

图4a及图4b作为示出本发明的各种形态的吸气结构490的图面，是在第二工艺腔室300内部观察形成所述间隙451的隔壁450方向的图面。

在图4a及4b可以看出，在隔壁450形成用于移动基板的间隙451，在所述间隙451周围形成吸气结构490。

所述间隙451较长且横向形成，以使基板在水平方向可进入。

如图4a所示，所述吸气结构490可包括：形成在所述间隙451上侧的第一吸气结构490a；及形成在所间隙451下侧的第二吸气结构490b。所述第一吸气结构490a及所述第二吸气结构490b与所述间隙451并排横向延长形成，并且形成比所述间隙451的长度长能够更好地防止所述第二工艺腔室300内部的气体进入所述第一工艺腔室200内部。

如图4b所示，所述吸气结构490可包括：形成在所述间隙451上侧的第一吸气结构490a；形成在所述间隙451下侧的第二吸气结构490b；及连接所述第一吸气结构490a及第二吸气结构490b的第三吸气结构490c。所述第一吸气结构490a及所述第二吸气结构490b与上述图4a相同。所述第三吸气结构490c连接所述第一吸气结构490a的一端及所述第二吸气结构490b的一端，并且连接所述第一吸气结构490a的另一端及所述第二吸气结构490b的另一端。

如上所述，如图4b所示所述吸气结构490也可由围绕所述间隙451周围的密封型构造构成，如图4a所示也可由形成在所述间隙451的上侧与下侧的开放型构造构成。

所述第二闸阀350位于所述卸载腔室400与所述第二工艺腔室300之间。若所述第二闸阀350开启，则已完成工艺处理的基板S在所述第二工艺腔室300进入所述卸载腔室400。

所述卸载腔室400配置在沉积装置的最后方，将完成工艺的基板S在所述卸载腔室400卸载之后移动至后续工艺装置。

图5是根据本发明其他实施例的导电氧化层的沉积装置的概略图。

在图5可以看出，根据本发明其他实施例的导电氧化层的沉积装置包括：安装腔室100、第一闸阀150、第一工艺腔室200、第二工艺腔室300、第二闸阀350、卸载腔室400及第二闸阀480。

根据在图5示出的本发明其他实施例的导电氧化层的沉积装置，在去除隔壁450形成第三闸阀480的这一点上不同于上述图3示出的沉积装置。因此，对于与图3相同的构造赋予相同图面符号，在以下只说明不同的构成。

根据图5，所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300之间形成有所述第三闸阀480。因此如上述图3，为了分离所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300之间则无需隔壁450。

所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300之间形成有所述第三闸阀480，因此相比于根据上述图3的沉积装置，物理性地完全区分所述第一工艺腔室200与所述第二工艺腔室300之间。由于，不存在所述第二工艺腔室300内部的气体进入所述第一工艺腔室200内部的可能性，因此不需要在根据图3的沉积装置中构成的泵管路471及真空泵470。

图6是示出根据改变工艺条件而变化ITO薄膜的薄膜电阻的示意图。具体地说，示出以如下表1的工艺条件沉积的ITO薄膜的薄膜电阻(Sheet resistance)。在以下表1中各个工艺全部是在常温下执行的。

【表1】

第一实验例(No.1)为，将Ar气体供应于第一腔室内，之后照射1KW的微波(MW)，接着施加20V的DC执行表面处理工艺，在保持20V的DC的同时形成种子层，之后移动至第二腔室，之后将Ar与氧气的混合气体供应于第二腔室内，之后施加170V的DC并照射1KW的微波(MW)来沉积ITO薄膜。

第二实验例(No.2)为，将Ar与氧气的混合气体供应于第一腔室内，之后照射1KW的微波(MW)，接着施加20V的DC执行表面处理工艺，在保持20V的DC的同时形成种子层，之后移动至第二腔室，之后将Ar与氧气的混合气体供应于第二腔室内，之后施加170V的DC并照射1KW的微波(MW)来沉积ITO薄膜。

第三实验例(No.3)为，将Ar气体供应于第一腔室内，之后照射1KW的微波(MW)执行表面处理工艺，之后移动至第二腔室，之后将Ar与氧气的混合气体供应于第二腔室内，之后施加170V的DC并照射1KW的微波(MW)来沉积ITO薄膜。

第四实验例(No.4)为，不执行表面处理工艺与种子层形成工艺，而是将Ar与氧气的混合气体供应于第二腔室内，之后施加170V的DC并照射1KW的微波(MW)来沉积ITO薄膜。

在图6可以看出，相比于未执行种子层形成工艺的第三实验例(No.3)及表面处理工艺与种子层形成工艺都未执行的第四实验例(No.4)，可得知第一实验例(No.1)与第二实验例(No.2)情况下的ITO薄膜的薄膜电阻更小。另外，可以知道相比于供应Ar与氧气的混合气体第二实验例(No.2)，在表面处理工艺时只供应Ar气体的第一实验例(No.1)的ITO薄膜的薄膜电阻更小。

在以上说明的本发明并不被上述实施例及附图限定，而是在不超出本发明的技术思想范围内可进行各种替换、变形及改变，并且这对本发明所属技术领域的技术人员是显而易见的。因此，本发明的范围由权利要求范围体现，从权利要求范围的意义及范围还有等价概念导出的所有改变或变形的形态应该解释为包括在本发明的范围内。