用以在蒸镀机台提升基板与光罩间的对位精度的对位方法与流程

本发明涉及一种对位方法，特别涉及一种用以在一蒸镀机台提升一基板与一光罩间的对位精度的对位方法。

背景技术：

在有机发光二极管的蒸镀制程中，主要将具有开口的光罩设置在基板前方，以使汽化后的发光分子通过光罩上的开口附着在基板上，为使发光分子能够准确地附着在基板上，光罩与基板间的对位精度需要达到1微米(μm)。当欲使用影像捕获设备进行光罩与基板间的对位时，由于影像捕获设备所撷取的影像的最小单位为1像素(pixel)，因此光罩与基板间的对位精度无法达到要求，进而造成产品良率降低，制造成本攀升。

技术实现要素：

因此，本发明提供一种用以在一蒸镀机台提升一基板与一光罩间的对位精度的对位方法，以解决上述问题。

根据本发明其中一实施例，本发明公开一种用以在一蒸镀机台提升一基板与一光罩间的对位精度的对位方法，所述蒸镀机台具有一处理单元及一第一影像捕获设备，所述第一影像捕获设备耦接所述处理单元，所述光罩具有对应所述第一影像捕获设备的一第一光罩记号，且所述对位方法包含所述第一影像捕获设备对所述第一光罩记号撷取一第一光罩影像；所述处理单元由所述第一光罩影像中撷取一第一光罩区域影像，其中所述第一光罩区域影像具有对应所述第一光罩记号的一第一光罩记号影像；所述处理单元在所述第一光罩记号影像的一周缘撷取多个第一光罩边界抽取范围；所述处理单元对各第一光罩边界抽取范围撷取复数列第一光罩边界抽取影像列，且各第一光罩边界抽取影像列具有多个第一光罩像素；所述处理单元将所述多个第一光罩像素转换为多个第一光罩强度值，其中各第一光罩强度值为对应的所述第一光罩像素的一第一光罩像素位置的函数；所述处理单元根据所述多个第一光罩强度值得出通过各第一光罩强度值的一第一光罩曲线方程式；以及所述处理单元将所述第一光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第一光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第一光罩曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第一光罩边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第一光罩边界抽取影像列的所述边界点计算所述第一光罩记号的一第一光罩记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述蒸镀机台还具有一第二影像捕获设备，所述第二影像捕获设备耦接所述处理单元，所述光罩还具有对应所述第二影像捕获设备的一第二光罩记号，且所述对位方法还包含所述第二影像捕获设备对所述第二光罩记号撷取一第二光罩影像；所述处理单元由所述第二光罩影像中撷取一第二光罩区域影像，其中所述第二光罩区域影像具有对应所述第二光罩记号的一第二光罩记号影像；所述处理单元在所述第二光罩记号影像的一周缘撷取多个第二光罩边界抽取范围；所述处理单元对各第二光罩边界抽取范围撷取复数列第二光罩边界抽取影像列，且各第二光罩边界抽取影像列具有多个第二光罩像素；所述处理单元将所述多个第二光罩像素转换为多个第二光罩强度值，其中各第二光罩强度值为对应的所述第二光罩像素的一第二光罩像素位置的函数；所述处理单元根据所述复数第二光罩强度值得出通过各第二光罩强度值的一第二光罩曲线方程式；以及所述处理单元将所述第二光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第二光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第二光罩强度曲线的所述反曲点定义为对应的所述第二光罩边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第二光罩边界抽取影像列的所述边界点计算出所述第二光罩记号的一第二光罩记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元连接所述第一光罩记号中心与所述第二光罩记号中心形成一第一光罩线段。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述蒸镀机台还具有一第三影像捕获设备，所述第三影像捕获设备耦接所述处理单元，所述光罩还具有对应所述第三影像捕获设备的一第三光罩记号，且所述对位方法还包含所述第三影像捕获设备对所述第三光罩记号撷取一第三光罩影像；所述处理单元由所述第三光罩影像中撷取一第三光罩区域影像，其中所述第三光罩区域影像具有对应所述第三光罩记号的一第三光罩记号影像；所述处理单元在所述第三光罩记号影像的一周缘撷取多个第三光罩边界抽取范围；所述处理单元对各第三光罩边界抽取范围撷取复数列第三光罩边界抽取影像列，其中各第三光罩边界抽取影像列具有多个第三光罩像素；所述处理单元将所述多个第三光罩像素转换为多个第三光罩强度值，其中各第三光罩强度值为对应的所述第三光罩像素的一第三光罩像素位置的函数；所述处理单元依据所述多个第三光罩强度值得出通过各第三光罩强度值的一第三光罩曲线方程式；以及所述处理单元将所述第三光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第三光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第三光罩曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第三光罩边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第三光罩边界抽取影像列的所述边界点计算所述第三光罩记号的一第三光罩记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述蒸镀机台还具有一第四影像捕获设备，所述第四影像捕获设备耦接所述处理单元，所述光罩还具有对应所述第四影像捕获设备的一第四光罩记号，且所述对位方法还包含所述第四影像捕获设备对所述第四光罩记号撷取一第四光罩影像；所述处理单元由所述第四光罩影像中撷取一第四光罩区域影像，其中所述第四光罩区域影像具有对应所述第四光罩记号的一第四光罩记号影像；所述处理单元在所述第四光罩记号影像的一周缘撷取多个第四光罩边界抽取范围；所述处理单元对各第四光罩边界抽取范围撷取复数列第四光罩边界抽取影像列，且各第四光罩边界抽取影像列具有多个第四光罩像素；所述处理单元将所述多个第四光罩像素转换为多个第四光罩强度值，其中各第四光罩强度值为对应的所述第四光罩像素的一第四光罩像素位置的函数；所述处理单元根据所述多个第四光罩强度值得出通过各第四光罩强度值的一第四光罩曲线方程式；以及所述处理单元将所述第四光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第四光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第四光罩曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第四光罩边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第四光罩边界抽取影像列的所述边界点计算所述第四光罩记号的一第四光罩记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元连接所述第三光罩记号中心与所述第四光罩记号中心形成一第二光罩线段。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元计算所述第一光罩线段与所述第二光罩线段的一交点；以及所述处理单元依据所述第一光罩线段与所述第二光罩线段的所述交点定义对应所述光罩的一光罩中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述基板具有对应所述第一影像捕获设备的一第一光罩记号，且所述对位方法还包含所述第一影像捕获设备对所述第一基板记号撷取一第一基板影像；所述处理单元由所述第一基板影像中撷取一第一基板区域影像，其中所述第一基板区域影像具有对应所述第一基板记号的一第一基板记号影像；所述处理单元在所述第一基板记号影像的一周缘撷取多个第一基板边界抽取范围；所述处理单元对各第一基板边界抽取范围撷取复数列第一基板边界抽取影像列，且各第一基板边界抽取影像列具有多个第一基板像素；所述处理单元将所述多个第一基板像素转换为多个第一基板强度值，其中各第一基板强度值为对应的所述第一基板像素的一第一基板像素位置的函数；所述处理单元根据所述多个第一基板强度值得出通过各第一基板强度值的一第一基板曲线方程式；以及所述处理单元将所述第一基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第一基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第一基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第一基板边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第一基板边界抽取影像列的所述边界点计算所述第一基板记号的一第一基板记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述基板还具有对应所述第二影像捕获设备的一第二基板记号，且所述对位方法还包含所述第二影像捕获设备对所述第二基板记号撷取一第二基板影像；所述处理单元由所述第二基板影像中撷取一第二基板区域影像，其中所述第二基板区域影像具有对应所述第二基板记号的一第二基板记号影像；所述处理单元在所述第二基板记号影像的一周缘撷取多个第二基板边界抽取范围；所述处理单元对各第二基板边界抽取范围撷取复数列第二基板边界抽取影像列，且各第二基板边界抽取影像列具有多个第二基板像素；所述处理单元将所述多个第二基板像素转换为多个第二基板强度值，其中各第二基板强度值为对应的所述第二基板像素的一第二基板像素位置的函数；所述处理单元根据所述复数第二基板强度值得出通过各第二基板强度值的一第二基板曲线方程式；以及所述处理单元将所述第二基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第二基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第二基板强度曲线的所述反曲点定义为对应的所述第二基板边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第二基板边界抽取影像列的所述边界点计算出所述第二基板记号的一第二基板记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元连接所述第一基板记号中心与所述第二基板记号中心形成一第一基板线段。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述基板还具有对应所述第三影像捕获设备的一第三基板记号，且所述对位方法还包含所述第三影像捕获设备对所述第三基板记号撷取一第三基板影像；所述处理单元由所述第三基板影像中撷取一第三基板区域影像，其中所述第三基板区域影像具有对应所述第三基板记号的一第三基板记号影像；所述处理单元在所述第三基板记号影像的一周缘撷取多个第三基板边界抽取范围；所述处理单元对各第三基板边界抽取范围撷取复数列第三基板边界抽取影像列，其中各第三基板边界抽取影像列具有多个第三基板像素；所述处理单元将所述多个第三基板像素转换为多个第三基板强度值，其中各第三基板强度值为对应的所述第三基板像素的一第三基板像素位置的函数；所述处理单元依据所述多个第三基板强度值得出通过各第三基板强度值的一第三基板曲线方程式；以及所述处理单元将所述第三基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第三基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第三基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第三基板边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第三基板边界抽取影像列的所述边界点计算所述第三基板记号的一第三基板记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述基板还具有对应所述第四影像捕获设备的一第四基板记号，且所述对位方法还包含所述第四影像捕获设备对所述第四基板记号撷取一第四基板影像；所述处理单元由所述第四基板影像中撷取一第四基板区域影像，其中所述第四基板区域影像具有对应所述第四基板记号的一第四基板记号影像；所述处理单元在所述第四基板记号影像的一周缘撷取多个第四基板边界抽取范围；所述处理单元对各第四基板边界抽取范围撷取复数列第四基板边界抽取影像列，且各第四基板边界抽取影像列具有多个第四基板像素；所述处理单元将所述多个第四基板像素转换为多个第四基板强度值，其中各第四基板强度值为对应的所述第四基板像素的一第四基板像素位置的函数；所述处理单元根据所述多个第四基板强度值得出通过各第四基板强度值的一第四基板曲线方程式；以及所述处理单元将所述第四基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第四基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第四基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第四基板边界抽取影像列的一边界点。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元依据各第四基板边界抽取影像列的所述边界点计算所述第四基板记号的一第四基板记号中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元连接所述第三基板记号中心与所述第四基板记号中心形成一第二基板线段。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元计算所述第一基板线段与所述第二基板线段的一交点；以及所述处理单元依据所述第一基板线段与所述第二基板线段的所述交点定义所述基板的一基板中心。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元判断所述光罩中心与所述基板中心沿一第一方向的一投影距离是否小于一第一距离精确值。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元判断所述光罩中心与所述基板中心沿垂直于所述第一方向的一第二方向的一投影距离是否小于一第二距离精确值。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元判断所述第一光罩线段与所述第一基板线段所夹的一第一角度与一第一预定角度的差是否小于一第一角度精确值。

根据本发明其中一实施例，本发明另公开所述对位方法还包含所述处理单元判断所述第二光罩线段与所述第二基板线段所夹的一第二角度与一第二预定角度的差是否小于一第二角度精确值。

综上所述，本发明的对位方法利用处理单元来判断所计算出来的光罩中心与基板中心是否同时满足以下条件，光罩中心与基板中心沿第一方向的投影距离小于第一距离精确值，光罩中心与基板中心沿垂直于第一方向的第二方向的投影距离小于第二距离精确值，第一光罩线段与第一基板线段所夹的第一角度与第一预定角度的差小于第一角度精确值，且第二光罩线段与第二基板线段所夹的第二角度与第二预定角度的差小于第二角度精确值，当上述条件均满足时，光罩与基板间的对位精度可小于1像素(pixel)，故本发明的对位方法可有效地提升光罩与基板间的对位精度。有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。

附图说明

图1为本发明实施例蒸镀机台的外观示意图。

图2为本发明实施例光罩的外观示意图。

图3为本发明实施例基板的外观示意图。

图4a至图4i为本发明实施例光罩与基板的对位方法流程图。

图5为本发明实施例第一光罩影像的示意图。

图6为本发明实施例第一光罩边界抽取范围的示意图。

图7为本发明实施例第一光罩曲线方程式的示意图。

图8为本发明实施例第一光罩曲线方程式的一次微分方程式的示意图。

图9为本发明实施例第一光罩曲线方程式的二次微分方程式的示意图。

图10为本发明实施例光罩与基板的对位示意图。

其中，附图标记说明如下：

1蒸镀机台

11壳体

12腔室

13影像撷取模块

131第一影像捕获设备

132第二影像捕获设备

133第三影像捕获设备

134第四影像捕获设备

14处理单元

2光罩

20光罩本体

200开口

21第一光罩记号

22第二光罩记号

23第三光罩记号

24第四光罩记号

3基板

30基板本体

31第一基板记号

32第二基板记号

33第三基板记号

34第四基板记号

4发光分子

mi1第一光罩影像

mr1第一光罩区域影像

mb1第一光罩边界抽取范围

mir1第一光罩边界抽取影像列

mp1第一光罩像素

ms1第一光罩强度值

ms1’第一光罩强度值的一次微分值

ms1”第一光罩强度值的二次微分值

mx1第一光罩像素位置

mq1第一光罩曲线方程式

mq1’第一光罩曲线方程式的一次微分方程式

mq1”第一光罩曲线方程式的二次微分方程式

mip1反曲点

mbp1边界点

mo1第一光罩记号中心

mo2第二光罩记号中心

mo3第三光罩记号中心

mo4第四光罩记号中心

ml1第一光罩线段

ml2第二光罩线段

mc光罩中心

so1第一基板记号中心

so2第二基板记号中心

so3第三基板记号中心

so4第四基板记号中心

sl1第一基板线段

sl2第二基板线段

sc基板中心

θ1第一角度

θ2第二角度

o原点

x第一方向

y第二方向

△x、△y投影距离

s0～s77步骤

具体实施方式

以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。请参阅图1，图1为本发明实施例一蒸镀机台1的外观示意图。蒸镀机台1利用一光罩2将一发光分子4蒸镀在一基板3，蒸镀机台1包含有一壳体11、一腔室12、一影像撷取模块13以及一处理单元14，腔室12形成在壳体11内，用以容置光罩2与基板3，影像撷取模块13包含有一第一影像捕获设备131、一第二影像捕获设备132、一第三影像捕获设备133以及一第四影像捕获设备134。第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133以及第四影像捕获设备134分别安装在壳体11上，用以进行光罩2与基板3的对位，处理单元14耦接于第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134。在本实施例中，蒸镀机台1用在蒸镀有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)，且第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133以及第四影像捕获设备134分别设置在壳体11的四个角落，而本发明不局限在此。

请参阅图2与图3，图2为本发明实施例光罩2的外观示意图，图3为本发明实施例基板3的外观示意图。如图2所示，光罩2包含有一光罩本体20、一第一光罩记号21、一第二光罩记号22、一第三光罩记号23以及一第四光罩记号24，光罩本体20上形成有至少一开口200，以使发光分子4穿过开口200附着在基板3上。在本实施例中，第一光罩记号21、第二光罩记号22、第三光罩记号23以及第四光罩记号24分别以蚀刻的方式形成在光罩本体20的四个角落。如图3所示，基板3包含有一基板本体30、一第一基板记号31、一第二基板记号32、一第三基板记号33以及一第四基板记号34。在本实施例中，第一基板记号31、第二基板记号32、第三基板记号33以及第四基板记号34分别以蚀刻的方式形成在基板本体30的四个角落，然本发明第一光罩记号21、第二光罩记号22、第三光罩记号23、第四光罩记号24、第一基板记号31、第二基板记号32、第三基板记号33以及第四基板记号34的形状以及设置位置并不局限在本发明实施例附图所绘示。

请参阅图4a至图4i，图4a至图4i为本发明实施例光罩2与基板3的对位方法流程图。所述对位方法包含有以下步骤︰

s0︰将光罩2放置腔室12内，且将第一光罩记号21、第二光罩记号22、第三光罩记号23与第四光罩记号24分别对应第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134。

s1︰第一影像捕获设备131对第一光罩记号21撷取一第一光罩影像mi1。

s2︰处理单元14由第一光罩影像mi1中撷取一第一光罩区域影像mr1，其中第一光罩区域影像mr1具有对应第一光罩记号21的一第一光罩记号影像m1。

s3︰处理单元14在第一光罩记号影像m1的一周缘撷取多个第一光罩边界抽取范围mb1。

s4︰处理单元14对各第一光罩边界抽取范围mb1撷取复数列第一光罩边界抽取影像列mir1，且各第一光罩边界抽取影像列mir1具有多个第一光罩像素mp1。

s5︰处理单元14将多个第一光罩像素mp1转换为多个第一光罩强度值ms1，其中各第一光罩强度值ms1为对应的第一光罩像素mp1的一第一光罩像素位置mx1的函数。

s6︰处理单元14根据多个第一光罩强度ms1值得出通过各第一光罩强度值ms1的一第一光罩曲线方程式mq1。

s7︰处理单元14将第一光罩曲线方程式mq1作二次微分，以得出第一光罩曲线方程式mq1的一反曲点mip1，并将第一光罩曲线方程式mq1的反曲点mip1定义为对应的第一光罩边界抽取影像列mir1的一边界点mbp1。

s8︰处理单元14依据各第一光罩边界抽取影像列mir1的边界点mbp1计算第一光罩记号21的一第一光罩记号中心mo1。

s9︰第二影像捕获设备132对第二光罩记号22撷取一第二光罩影像。

s10︰处理单元14由所述第二光罩影像中撷取一第二光罩区域影像，其中所述第二光罩区域影像具有对应第二光罩记号22的一第二光罩记号影像。

s11︰处理单元14在所述第二光罩记号影像的一周缘撷取多个第二光罩边界抽取范围。

s12︰处理单元14对各第二光罩边界抽取范围撷取复数列第二光罩边界抽取影像列，且各第二光罩边界抽取影像列具有多个第二光罩像素。

s13︰处理单元14将所述多个第二光罩像素转换为多个第二光罩强度值，其中各第二光罩强度值为对应的所述第二光罩像素的一第二光罩像素位置的函数。

s14︰处理单元14根据所述复数第二光罩强度值得出通过各第二光罩强度值的一第二光罩曲线方程式。

s15︰处理单元14将所述第二光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第二光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第二光罩强度曲线的所述反曲点定义为对应的所述第二光罩边界抽取影像列的一边界点。

s16︰处理单元14依据各第二光罩边界抽取影像列的所述边界点计算出第二光罩记号22的一第二光罩记号中心mo2。

s17︰处理单元14连接第一光罩记号中心mo1与第二光罩记号中心mo2形成一第一光罩线段ml1。

s18︰第三影像捕获设备133对第三光罩记号23撷取一第三光罩影像。

s19︰处理单元14由所述第三光罩影像中撷取一第三光罩区域影像，其中所述第三光罩区域影像具有对应第三光罩记号23的一第三光罩记号影像。

s20︰处理单元14在所述第三光罩记号影像的一周缘撷取多个第三光罩边界抽取范围。

s21︰处理单元14对各第三光罩边界抽取范围撷取复数列第三光罩边界抽取影像列，其中各第三光罩边界抽取影像列具有多个第三光罩像素。

s22︰处理单元14将所述多个第三光罩像素转换为多个第三光罩强度值，其中各第三光罩强度值为对应的所述第三光罩像素的一第三光罩像素位置的函数。

s23︰处理单元14依据所述多个第三光罩强度值得出通过各第三光罩强度值的一第三光罩曲线方程式。

s24︰处理单元14将所述第三光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第三光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第三光罩曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第三光罩边界抽取影像列的一边界点。

s25︰处理单元14依据各第三光罩边界抽取影像列的所述边界点计算第三光罩记号23的一第三光罩记号中心mo3。

s26︰第四影像捕获设备134对第四光罩记号24撷取一第四光罩影像。

s27︰处理单元14由所述第四光罩影像中撷取一第四光罩区域影像，其中所述第四光罩区域影像具有对应第四光罩记号24的一第四光罩记号影像。

s28︰处理单元14在所述第四光罩记号影像的一周缘撷取多个第四光罩边界抽取范围。

s29︰处理单元14对各第四光罩边界抽取范围撷取复数列第四光罩边界抽取影像列，且各第四光罩边界抽取影像列具有多个第四光罩像素。

s30︰处理单元14将所述多个第四光罩像素转换为多个第四光罩强度值，其中各第四光罩强度值为对应的所述第四光罩像素的一第四光罩像素位置的函数。

s31︰处理单元14根据所述多个第四光罩强度值得出通过各第四光罩强度值的一第四光罩曲线方程式。

s32︰处理单元14将所述第四光罩曲线方程式作二次微分，以得出所述第四光罩曲线方程式的一反曲点，并将所述第四光罩曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第四光罩边界抽取影像列的一边界点。

s33︰处理单元14依据各第四光罩边界抽取影像列的所述边界点计算第四光罩记号24的一第四光罩记号中心mo4。

s34︰处理单元14连接第三光罩记号中心mo3与第四光罩记号中心mo4形成一第二光罩线段ml2。

s35︰处理单元14计算第一光罩线段ml1与第二光罩线段ml2的一交点。

s36︰处理单元14依据第一光罩线段ml1与第二光罩线段ml2的所述交点定义对应光罩2的一光罩中心mc。

s37︰将基板3放置腔室12内，并调整基板3与光罩2的一相对位置，且将第一基板记号31、第二基板记号32、第三基板记号33与第四基板记号34分别对应第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134。

s38︰第一影像捕获设备131对第一基板记号31撷取一第一基板影像。

s39︰处理单元14由所述第一基板影像中撷取一第一基板区域影像，其中所述第一基板区域影像具有对应所述第一基板记号31的一第一基板记号影像。

s40︰处理单元14在所述第一基板记号影像的一周缘撷取多个第一基板边界抽取范围。

s41︰处理单元14对各第一基板边界抽取范围撷取复数列第一基板边界抽取影像列，且各第一基板边界抽取影像列具有多个第一基板像素。

s42︰处理单元14将所述多个第一基板像素转换为多个第一基板强度值，其中各第一基板强度值为对应的所述第一基板像素的一第一基板像素位置的函数。

s43︰处理单元14根据所述多个第一基板强度值得出通过各第一基板强度值的一第一基板曲线方程式。

s44︰处理单元14将所述第一基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第一基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第一基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第一基板边界抽取影像列的一边界点。

s45︰处理单元14依据各第一基板边界抽取影像列的所述边界点计算所述第一基板记号31的一第一基板记号中心so1。

s46︰第二影像捕获设备132对第二基板记号32撷取一第二基板影像。

s47︰处理单元14由所述第二基板影像中撷取一第二基板区域影像，其中所述第二基板区域影像具有对应所述第二基板记号32的一第二基板记号影像。

s48︰处理单元14在所述第二基板记号影像的一周缘撷取多个第二基板边界抽取范围。

s49︰处理单元14对各第二基板边界抽取范围撷取复数列第二基板边界抽取影像列，且各第二基板边界抽取影像列具有多个第二基板像素。

s50︰处理单元14将所述多个第二基板像素转换为多个第二基板强度值，其中各第二基板强度值为对应的所述第二基板像素的一第二基板像素位置的函数。

s51︰处理单元14根据所述复数第二基板强度值得出通过各第二基板强度值的一第二基板曲线方程式。

s52︰处理单元14将所述第二基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第二基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第二基板强度曲线的所述反曲点定义为对应的所述第二基板边界抽取影像列的一边界点。

s53︰处理单元14依据各第二基板边界抽取影像列的所述边界点计算出第二基板记号32的一第二基板记号中心so2。

s54︰处理单元14连接第一基板记号中心so1与第二基板记号so2中心形成一第一基板线段sl1。

s55︰第三影像捕获设备133对第三基板记号33撷取一第三基板影像。

s56︰处理单元14由所述第三基板影像中撷取一第三基板区域影像，其中所述第三基板区域影像具有对应所述第三基板记号33的一第三基板记号影像。

s57︰处理单元14在所述第三基板记号影像的一周缘撷取多个第三基板边界抽取范围。

s58︰处理单元14对各第三基板边界抽取范围撷取复数列第三基板边界抽取影像列，其中各第三基板边界抽取影像列具有多个第三基板像素。

s59︰处理单元14将所述多个第三基板像素转换为多个第三基板强度值，其中各第三基板强度值为对应的所述第三基板像素的一第三基板像素位置的函数。

s60︰处理单元14依据所述多个第三基板强度值得出通过各第三基板强度值的一第三基板曲线方程式。

s61︰处理单元14将所述第三基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第三基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第三基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第三基板边界抽取影像列的一边界点。

s62︰处理单元14依据各第三基板边界抽取影像列的所述边界点计算第三基板记号33的一第三基板记号中心so3。

s63︰第四影像捕获设备134对第四基板记号34撷取一第四基板影像。

s64︰处理单元14由所述第四基板影像中撷取一第四基板区域影像，其中所述第四基板区域影像具有对应第四基板记号34的一第四基板记号影像。

s65︰处理单元14在所述第四基板记号影像的一周缘撷取多个第四基板边界抽取范围。

s66︰处理单元14对各第四基板边界抽取范围撷取复数列第四基板边界抽取影像列，且各第四基板边界抽取影像列具有多个第四基板像素。

s67︰处理单元14将所述多个第四基板像素转换为多个第四基板强度值，其中各第四基板强度值为对应的所述第四基板像素的一第四基板像素位置的函数。

s68︰处理单元14根据所述多个第四基板强度值得出通过各第四基板强度值的一第四基板曲线方程式。

s69︰处理单元14将所述第四基板曲线方程式作二次微分，以得出所述第四基板曲线方程式的一反曲点，并将所述第四基板曲线方程式的所述反曲点定义为对应的所述第四基板边界抽取影像列的一边界点。

s70︰处理单元14依据各第四基板边界抽取影像列的所述边界点计算第四基板记号34的一第四基板记号中心so4。

s71︰处理单元14连接第三基板记号中心so3与第四基板记号中心so4形成一第二基板线段sl2。

s72︰处理单元14计算第一基板线段sl1与第二基板线段sl2的一交点。

s73︰处理单元14依据第一基板线段sl1与第二基板线段sl2的所述交点定义基板3的一基板中心sc。

s74︰处理单元14判断光罩中心mc与基板中心sc沿一第一方向x的一投影距离△x是否小于一第一距离精确值；若是，执行步骤s75，若否，回到步骤s37。

s75︰处理单元14判断光罩中心mc与基板中心sc沿垂直于第一方向x的一第二方向y的一投影距离△y是否小于一第二距离精确值；若是，执行步骤s76，若否，回到步骤s37。

s76︰处理单元14判断第一光罩线段ml1与第一基板线段sl1所夹的一第一角度θ1与一第一预定角度的差是否小于一第一角度精确值；若是，执行步骤s77，若否，回到步骤s37。

s77︰处理单元14判断第二光罩线段ml2与第二基板线段sl2所夹的一第二角度θ2与一第二预定角度的差是否小于一第二角度精确值；若是，则完成基板3与光罩2间的所述相对位置调整，若否，回到步骤s37。

以下针对上述方法进行说明，请同时参阅图1、图4a至图4i与图5，图5为本发明实施例第一光罩影像mi1的示意图。当使用者欲在蒸镀机台1中调整对位光罩2与基板3间的所述相对位置时，首先用户可将光罩2放置腔室12内，且将第一光罩记号21、第二光罩记号22、第三光罩记号23与第四光罩记号24分别对应第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134(步骤s0)，接着用户可操作第一影像捕获设备131对第一光罩记号21撷取如图5所示的第一光罩影像mi1(步骤s1)。当第一影像撷取模块131撷取第一光罩影像mi1后，处理单元14进一步地由第一光罩影像mi1中撷取具有对应第一光罩记号21的第一光罩记号影像m1的第一光罩区域影像mr1(步骤s2)，并且在第一光罩记号影像m1的一周缘撷取多个第一光罩边界抽取范围mb1(步骤s3)。在本实施例中，步骤s2所述的第一光罩区域影像mr1优选地为一感兴趣区域(regionofinterest)，其目的是为了缩小处理单元14的搜寻范围且减少处理单元14的计算量，以提升处理单元14的执行速度，然本发明并不局限在此实施例。

举例来说，当第一影像捕获设备131对第一光罩记号21撷取第一光罩影像mi1(步骤s1)后，处理单元14可以不必由第一光罩影像mi1中撷取具有对应第一光罩记号21的第一光罩记号影像m1的第一光罩区域影像mr1(即跳过步骤s2)，径而在第一光罩影像mi1上的第一光罩记号影像m1的所述周缘撷取多个第一光罩边界抽取范围mb1(步骤s3)。

请参阅图6至图9，图6为本发明实施例第一光罩边界抽取范围mb1的示意图，图7为本发明实施例第一光罩曲线方程式mq1的示意图，图8为本发明实施例第一光罩曲线方程式mq1的一次微分方程式mq1’的示意图，图9为本发明实施例第一光罩曲线方程式mq1的二次微分方程式mq1”的示意图。如图6所示，处理单元14对各第一光罩边界抽取范围mb1撷取复数列具有多个第一光罩像素mp1的第一光罩边界抽取影像列mir1(步骤s4)，处理单元14将多个第一光罩像素mp1转换为多个第一光罩强度值ms1，各第一光罩强度值ms1为对应的第一光罩像素mp1的第一光罩像素位置mx1的函数(步骤s5)，处理单元14根据多个第一光罩强度值ms1得出通过各第一光罩强度值ms1的第一光罩曲线方程式mq1(步骤s6)，如图7所示，其中图7中纵轴为第一光罩强度值ms1，横轴为第一光罩像素位置mx1。

接着，处理单元14将第一光罩曲线方程式mq1作二次微分，其中第一光罩曲线方程式mq1、第一光罩曲线方程式mq1的一次微分方程式mq1’与第一光罩曲线方程式mq1的二次微分方程式mq1”分别如图7、图8与图9所绘示，以得出第一光罩曲线方程式mq1的反曲点mip1，并将第一光罩曲线方程式mq1的反曲点mip1定义为对应的第一光罩边界抽取影像列mir1的边界点mbp1(步骤s7)，其中图8中纵轴为第一光罩强度值的一次微分值ms1’，横轴为第一光罩像素位置mx1，图9中纵轴为第一光罩强度值的二次微分值ms1”，横轴为第一光罩像素位置mx1，处理单元14依据各第一光罩边界抽取影像列mir1的边界点mbp1计算如图5所示的第一光罩记号中心mo1(步骤s8)。换句话说，本发明是利用二次微分计算出对应各第一光罩边界抽取影像列mir1的第一光罩曲线方程式mq1的反曲点mip1作为各第一光罩边界抽取影像列mir1的边界点mbp1。借此，上述对位方法所计算出来的精确度单位小于第一影像捕获设备131所能达到的最小精确度单位(像素(pixel))。

再者，用户可操作第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134分别对第二光罩记号22、第三光罩记号23与第四光罩记号24撷取第二光罩影像、第三光罩影像与第四光罩影像，处理单元14可分别计算出如图2所示的第二光罩记号22的第二光罩记号中心mo2、第三光罩记号23的第三光罩记号中心mo3与第四光罩记号24的第四光罩记号中心mo4，由于第二光罩记号中心mo2、第三光罩记号中心mo3与第四光罩记号中心mo4的计算步骤与前述第一光罩记号中心mo1的计算步骤(步骤s0～s8)类似，为求简洁，在此不再赘述。当处理单元14计算出第一光罩记号中心mo1、第二光罩记号中心mo2、第三光罩记号中心mo3与第四光罩记号中心mo4时，如图2所示，处理单元14连接第一光罩记号中心mo1与第二光罩记号中心mo2，以形成第一光罩线段ml1(步骤s17)，且接连第三光罩记号中心mo3与第四光罩记号中心mo4，以形成第二光罩线段ml2(步骤s34)，借此，处理单元14便可计算第一光罩线段ml1与第二光罩线段ml2的所述交点(步骤s35)，且依据第一光罩线段ml1与第二光罩线段ml2的所述交点定义对应光罩2的光罩中心mc(步骤s36)，如图2所示。

同理，在计算出光罩中心mc之后，使用者可再将基板3放置腔室12内，并调整基板3与光罩2的所述相对位置，且将第一基板记号31、第二基板记号32、第三基板记号33与第四基板记号34分别对应第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134(步骤s37)，使得用户可操作第一影像捕获设备131、第二影像捕获设备132、第三影像捕获设备133与第四影像捕获设备134分别对第一基板记号31、第二基板记号32、第三基板记号33与第四基板记号34撷取第一基板影像si1、第二基板影像si2、第三基板影像si3与第四基板影像si4，进而使处理单元14计算出第一基板记号31的第一基板记号中心so1、第二基板记号32的第二基板记号中心so2、第三基板记号33的第三基板记号中心so3与第四基板记号34的第四基板记号中心so4，从而计算出对应基板3的基板中心sc，如图3所示。而基板中心sc的计算步骤(步骤s37～s73)与前述光罩中心mc的计算步骤(步骤s0～s36)类似，为求简洁，在此不再赘述。

请参阅图10，图10为本发明实施例光罩2与基板3的对位示意图。当处理单元14分别计算出光罩中心mc与基板中心sc后，处理单元14便可判断光罩中心mc与基板中心sc是否符合下列条件，光罩中心mc与基板中心sc沿第一方向x的投影距离△x是否小于所述第一距离精确值；光罩中心mc与基板中心sc沿垂直于第一方向x的第二方向y的投影距离△y是否小于所述第二距离精确值；第一光罩线段ml1与第一基板线段sl1所夹的第一角度θ1与所述第一预定角度的差是否小于所述第一角度精确值；以及第二光罩线段ml2与第二基板线段sl2所夹的第二角度θ2与所述第二预定角度的差是否小于所述第二角度精确值。其中，所述第一预定角度与所述第二预定角度为分别为在理想状态下(即基板3与光罩2完全对齐的状态下)第一光罩线段ml1与第一基板线段sl1所夹的角度与第二光罩线段ml2与第二基板线段sl2所夹的角度。当上述条件均符合时，光罩2与基板3彼此对齐，当上述任一条件不符合时，则回到步骤s37，重新调整光罩2与基板3间的所述相对位置，此外，在本实施例中，所述第一距离精确值与所述第二距离精确值优选地可分别为1微米，所述第一角度精确值与所述第二角度精确值优选地可分别为0.0003度，以使光罩2与基板3的对位精度可达到蒸镀制成所要求的1微米，而本发明的所述第一距离精确值、所述第二距离精确值、所述第一角度精确值与所述第二角度精确值并不局限在此实施例，而可依照实际需求而定。

相较现有技术，本发明的对位方法利用处理单元来判断所计算出来的光罩中心与基板中心是否同时满足以下条件，光罩中心与基板中心沿第一方向的投影距离小于第一距离精确值，光罩中心与基板中心沿垂直于第一方向的第二方向的投影距离小于第二距离精确值，第一光罩线段与第一基板线段所夹的第一角度与第一预定角度的差小于第一角度精确值，且第二光罩线段与第二基板线段所夹的第二角度与第二预定角度的差小于第二角度精确值，当上述条件均满足时，光罩与基板间的对位精度可小于1像素(pixel)，故本发明的对位方法可有效地提升光罩与基板间的对位精度。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。