1.一种铜基铌三锡薄膜的制备方法，包括如下步骤：
1）利用磁控溅射的方法，在铜基底上沉积隔离层；
所述隔离层为铌隔离层；
所述磁控溅射之前，所述方法还包括如下步骤：
对溅射室进行抽真空至本底真空低于10-4Pa后，通入氩气至所述溅射室的压强为0.1Pa~10Pa；
所述方法还包括将所述氩气电离成氩等离子体的步骤；
所述方法还包括在所述铜基底上施加负偏压的步骤；
所述负偏压为-200V ~-50V；
所述磁控溅射的时间为5~60min；
2）利用磁控溅射的方法溅射铌原子和锡原子，在所述隔离层上得到铌三锡前驱体；
所述磁控溅射的时间为1~10小时；
3）所述铌三锡前驱体经退火即得所述铜基铌三锡薄膜；
所述退火的温度为500℃~1000℃，时间为10小时~10天。
2.权利要求1所述方法制备的铜基铌三锡薄膜。