一种多功能立式连续磁控溅射镀膜系统的制作方法

本实用新型涉及磁控溅射镀膜技术领域，尤其涉及一种多功能立式连续磁控溅射镀膜系统。

背景技术：

上世纪80年代开始，磁控溅射技术得到迅猛发展，其应用领域得到了极大的推广，现在磁控镀膜技术在镀膜领域有着举足轻重的地位，在工业生产和科学领域发挥着极大的作用，在TP及显示行业，立式连续磁控溅射镀膜作为TP sensor加工的上游显得尤为重要。

现有技术如附图1所示，图中编号1-4依次为进口室、一级转换室、二级转换室、镀膜前变速室，编号5-19为工艺室，编号20-23依次为镀膜后变速室、一级转换室、二级转换室、出口室，MP：molecular pump，即分子泵；Nb：铌的化学式；Si：硅的化学式；ITO：indium tin oxside ，氧化铟锡，此图为双面消影ITO立式连续镀膜线。具体流程如下：1.玻璃原片清洗：纯水电阻率不低于18兆欧，清洗机为双平面玻璃清洗机；2.镀膜装片：装片室要求无尘等级为百级，即大于等于0.5μm的尘粒数大于350粒/m³（0.35粒/L）到小于等于3500粒/m³（3.5粒/L）；大于等于5μm的尘粒数为0；3.玻璃原片经承载台车依次进入编号1-4完成粗真空到中低真空的转换；4.在编号5-19中完成消影与ITO连续镀；5.在编号20-23中，承载台车慢速变快速，中低真空转粗真空完成出片。

现有技术采用立式连续镀膜线双面配置Nb靶、Si靶通过反应溅射生成成Nb₂O₅+SiO₂（消影层）与ITO直流溅射完成双面消影ITO的功能，以满足TP双面ITO sensor的需求，但金属边框走线为TP sensor结构中不可或缺的部分，此镀膜线的配置并未达到多功能的要求，如能能够实用新型一种既能生产OGS，还能够生产单面消影ITO、双面消影ITO的连续磁控溅射镀膜系统，将个企业带来巨大的便利和利润。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题在于，旨在提供一种能在一条镀膜线上同时满足双面消影ITO镀膜、金属镀膜的多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，达到一机多用的功能。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，包括A功能区和B功能区、承载台车，还包括依次设置的进口室1、一号一级转换室2、一号二级转换室3、镀膜前变速室4、依次连续设置的十五个工艺室5-19、镀膜后变速室20、二号一级转换室21、二号二级转换室22、出口室23；所述十五个工艺室5-19在所述A功能区对应工艺室分别依次设置一号分子泵、二号铌靶、三号分子泵、二号硅靶、五号分子泵、四号硅靶、七号分子泵、八号分子泵、九号分子泵、十号分子泵、十一号分子泵、十二号分子泵、十三号分子泵、三号氧化铟锡靶、四号氧化铟锡靶，所述十五个工艺室5-19在所述B功能区对应工艺室分别依次设置一号铌靶、二号分子泵、一号硅靶、四号分子泵、三号硅靶、六号分子泵、一号钼靶材、一号铝靶材、二号铝靶材、三号铝靶材、二号钼靶材、一号氧化铟锡靶、二号氧化铟锡靶、十四号分子泵、十五号分子泵；所述承载台车（未图示）上设有镀膜装片室（未图示）。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述一号钼靶材和二号钼靶材分别包括两支钼靶。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述一号铝靶材、二号铝靶材、三号铝靶材分别包括两支铝靶。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述承载台车（未图示）从进口室1进入所述多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，镀膜完成后从出口室23出片。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述承载台车（未图示）变速通过所述多功能立式连续磁控溅射镀膜系统。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述镀膜装片室（未图示）无尘等级至少为百级。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述十五个工艺室5-19的每一支靶均设有开启和关闭两种模式。

作为对本实用新型所述技术方案的一种改进，所述A功能区和B功能区对应设置。

本实用新型提供的一种多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，增设了Mo（钼）+Al（铝）+Mo（钼）靶材，此种镀膜线的配置可生产OGS，单面消影ITO，双面消影ITO三种产品，产品多样化，相对原有技术而言，以OGS产品为例，只需要切换镀膜线中的靶材即可一条线满足镀膜的要求，节省了镀膜设备的投资，镀膜设备多功能化简化了工艺流程，缩减了人员用工成本，不用切换镀膜线，工艺更加稳定，减少调试及维护时间，提高了产量。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是现有技术的立式连续磁控溅射镀膜系统结构示意图；

图2是本实用新型具体实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

图2是本实用新型具体实施例的立式连续磁控溅射镀膜系统结构示意图，如图2所示，本实用新型具体实施例的立式连续磁控溅射镀膜系统，其包括A功能区和B功能区、承载台车，还包括依次设置的进口室1、一级转换室2、二级转换室3、镀膜前变速室4、依次连续设置的十五个工艺室5-19、镀膜后变速室20、一级转换室21、二级转换室22、出口室23；十五个工艺室5-19在A功能区对应工艺室分别依次设置一号分子泵、二号铌靶、三号分子泵、二号硅靶、五号分子泵、四号硅靶、七号分子泵、八号分子泵、九号分子泵、十号分子泵、十一号分子泵、十二号分子泵、十三号分子泵、三号氧化铟锡靶、四号氧化铟锡靶，十五个工艺室5-19在B功能区对应工艺室分别依次设置一号铌靶、二号分子泵、一号硅靶、四号分子泵、三号硅靶、六号分子泵、一号钼靶材、一号铝靶材、二号铝靶材、三号铝靶材、二号钼靶材、一号氧化铟锡靶、二号氧化铟锡靶、十四号分子泵、十五号分子泵；承载台车（未图示）上设有镀膜装片室（未图示）；一号钼靶材和二号钼靶材分别包括两支钼靶，一号铝靶材、二号铝靶材、三号铝靶材分别包括两支铝靶，承载台车（未图示）从进口室1进入多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，镀膜完成后从出口室23出片，承载台车（未图示）变速通过多功能立式连续磁控溅射镀膜系统，镀膜装片室（未图示）无尘等级至少为百级，十五个工艺室5-19的每一支靶均设有开启和关闭两种模式，A功能区和B功能区对应设置。

其中的A功能区和B功能区是指能够设置靶材和分子泵的区域，该区域所设置的靶材和分子泵能够根据需要设置成阴极位或者阳极位。

实施例一：

本实施例中可以生产一种触摸屏OGS结构，如图2所示，具体的实施步骤如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩阵，盖板玻璃黑色边框，防止漏光）丝印；（3）ITO镀膜：此步骤如图2所示，只要求开启全部氧化铟锡靶，而把铌靶、硅靶、钼靶、铝靶全部关闭，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成ITO镀膜，再从出口室23完成出片；（4）黄光：将完成ITO膜层的大板玻璃片进行图形化并PI(PI:一种负性光阻，作为金属搭桥的绝缘层；（5）PI工艺完成后再次流到图2中的镀膜线，此时需要镀Mo+Al+Mo膜层，关闭铌靶、硅靶、氧化铟锡靶，开启钼靶、铝靶，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成Mo+Al+Mo膜层镀膜，再从出口室23完成出片；（6）Mo+Al+Mo膜层图形化形成METAL JUMPER（金属点，接通ITO其中一个方向的电极）及边框走线；（7）passivation（金属钝化处理，防止金属氧化、划伤），将完成Mo+Al+Mo膜层镀膜的大板玻璃再次进入图2的镀膜线，此步骤中如图2所示，只要求开启全部铌靶、硅靶，关闭氧化铟锡靶、钼靶、铝靶，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成passivation膜层镀膜，再从出口室23完成出片。

本实施例中，本实用新型可以生产OGS产品，只需要切换镀膜线中的靶材即可一条线满足镀膜的要求，节省了镀膜设备的投资。

实施例二：

本实施例中可以生产单面消影ITO的镀膜产品，如图2所示，具体的实施步骤如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩阵，盖板玻璃黑色边框，防止漏光）丝印；（3）ITO镀膜：此步骤中如图2所示，只要求开启一号氧化铟锡靶、二号氧化铟锡靶，而把三号氧化铟锡靶、四号氧化铟锡靶关闭，或者只要求开启三号氧化铟锡靶、四号氧化铟锡靶，而把一号氧化铟锡靶、二号氧化铟锡靶关闭，以及把铌靶、硅靶、钼靶、铝靶全部关闭，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成ITO镀膜，再从出口室23完成出片；（4）黄光：将完成ITO膜层的大板玻璃片进行图形化并PI(PI:一种负性光阻，作为金属搭桥的绝缘层）；（5）passivation（金属钝化处理，防止金属氧化、划伤），将完成黄光镀膜的大板玻璃再次进入图2的镀膜线，此步骤中如图2所示，只要求开启全部铌靶、硅靶，关闭全部氧化铟锡靶，钼靶、铝靶，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成passivation膜层镀膜，再从出口室23完成出片。

本实施例中，本实用新型可以生产一种单面消影的ITO产品，这是本实用新型最基础的功能，也只需要用到本实用新型的部分靶材，不需要开启其他靶材，简化了工艺流程，缩减了人员用工成本。

实施例三：

本实施例中可以生产双面消影ITO的镀膜产品，如图2所示，具体的实施步骤如下：（1）大板玻璃清洗；（2）BM（黑矩阵，盖板玻璃黑色边框，防止漏光）丝印；（3）ITO镀膜：此步骤中如图2所示，只要求开启一号氧化铟锡靶、二号氧化铟锡靶，三号氧化铟锡靶、四号氧化铟锡靶，而把铌靶、硅靶、钼靶、铝靶全部关闭，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成ITO镀膜，再从出口室23完成出片；（4）黄光：将完成ITO膜层的大板玻璃片进行图形化并PI(PI:一种负性光阻，作为金属搭桥的绝缘层）；（5）passivation（金属钝化处理，防止金属氧化、划伤），将完成黄光镀膜的大板玻璃再次进入图2的镀膜线，此步骤中如图2所示，只要求开启全部铌靶、硅靶，关闭全部氧化铟锡靶、钼靶、铝靶，承载台车（未图示）装载大板玻璃片从进口室1进入，依次通过所有的工艺室，大板玻璃片完成passivation膜层镀膜，再从出口室23完成出片。

与生产单面消影ITO产品类似，不用切换镀膜线，工艺更加稳定，减少调试及维护时间，提高了产量。

本实用新型提供一种双面消影ITO与钼铝钼并存于一条立式连续镀膜的生产线，不仅满足TP双面ITO sensor的需求，同时满足金属边框走线可以为TP sensor得需求，此种镀膜线的配置可生产OGS，单面消影ITO，双面消影ITO，产品多样化，只需要切换镀膜线中的靶材即可一条线满足镀膜的要求，节省了镀膜设备的投资，镀膜设备多功能化简化了工艺流程，缩减了人员用工成本，不用切换镀膜线，工艺更加稳定，减少调试及维护时间，提高了产量。

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。