磁瓦成型模具的制作方法

文档序号:11648459阅读:4882来源:国知局

本实用新型涉及磁瓦成型技术领域,尤其是一种磁瓦成型模具。



背景技术:

湿压法磁场成型的瓦形产品生产工艺不同于干法生产,磁瓦以浆料的形式在液压机上通过模具压制成型,然后烧结,在生产制作过程中,会同时出现多种形式的裂纹缺陷,如轴高裂(端裂)、侧面裂纹、不规则的条形裂纹、龟裂纹、内弧暗裂和端面层裂等不同程度的裂纹缺陷,严重磁瓦生产的成品率。

在生产过程中特别是磁瓦的弧顶到其两端的高度差越大、弧面越大的磁瓦或内弧圆形角越大,这类磁瓦发生裂纹的现象就严重。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是:为了解决现有技术中磁瓦在制作过程中易发生裂纹的问题,现提供一种磁瓦成型模具,该成型模具用于解决大瓦内弧面开裂的问题,大瓦指宽度在120mm以上的磁瓦。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种磁瓦成型模具,包括上模头、下模头、凹模及用于充磁、退磁的线圈,所述上模头、下模头及凹模之间围合成型腔,所述线圈位于型腔的外侧,所述下模头的上端具有隔磁层,所述隔磁层的上表面为向上突出的圆弧面,所述隔磁层的下表面包括平面及位于平面两端的两个斜面,两个斜面相互对称,所述斜面均由外至内向上倾斜,所述斜面与平面的夹角为α,其中,α的取值范围为60°-70°。

本方案中隔磁层的上表面设置成圆弧面,下表面设置成平面及两个斜面,使得隔磁层中间平面所在的一段磁阻较大,斜面所在一段的磁阻较低,由于线圈内部的磁场由内向外逐渐变弱,线圈内部的中间部位磁感线最密,线圈内部的边缘磁感线相对稀疏,磁瓦的中间部位位于线圈的磁感线最密的部位,对应在此段设置的隔磁层较厚,磁阻较大,磁瓦的两侧部位位于线圈的磁感线逐渐稀疏部位,对应隔磁层逐渐变薄,磁阻逐渐变小,从而实现整个磁瓦的内弧面磁性原料分布均匀,内弧面的密度保持较好的均匀性,从而避免磁瓦收缩发生开裂。

进一步地,所述隔磁层的材料为7Mn15Cr2Al3V2WMo(无磁钢)或1Cr18Ni9Ti(不锈钢)。

本实用新型的有益效果是:本实用新型的磁瓦成型模具通过在下模头上设置隔磁层,隔磁层的中间有一厚段对应线圈中间部位的强磁场,隔磁层的两侧各有逐渐变薄段对应线圈内两侧磁感线逐渐变弱部位,从而实现整个磁瓦的内弧面磁性原料分布均匀,内弧面的密度保持较好的均匀性,从而避免大瓦收缩发生开裂的现象,提高大瓦的成品率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型磁瓦成型模具的示意图。

图中:1、上模头,2、下模头,3、凹模,4、线圈,5、隔磁层,501、平面,502、斜面,6、磁瓦;

α:斜面与平面之间的夹角。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成,方向和参照(例如,上、下、左、右、等等)可以仅用于帮助对附图中的特征的描述。因此,并非在限制性意义上采用以下具体实施方式,并且仅仅由所附权利要求及其等同形式来限定所请求保护的主题的范围。

实施例1

如图1所示,一种磁瓦成型模具,包括上模头1、下模头2、凹模3及用于充磁、退磁的线圈4,所述上模头1、下模头2及凹模3之间围合成型腔,所述线圈4位于型腔的外侧,所述下模头2的上端具有隔磁层5,所述隔磁层5的上表面为向上突出的圆弧面,所述隔磁层5的下表面包括平面501及位于平面501两端的两个斜面502,两个斜面502相互对称,所述斜面502均由外至内向上倾斜,所述斜面502与平面501的夹角为α,其中,α的取值范围为60°-70°。

所述隔磁层5的材料为7Mn15Cr2Al3V2WMo(无磁钢)或1Cr18Ni9Ti(不锈钢)。

上述磁瓦成型模具使用过程如下:

将磁性原料(磁性浆料)放入型腔中,线圈4通电充磁,同时液压机施加压力,通过上模头1将型腔中的磁性原料挤压成型,线圈4中通入反向电流,使得型腔内的磁瓦6退磁,其中隔磁层5的上表面设置成圆弧面,下表面设置成平面501及两个斜面502,使得隔磁层5中间平面501所在的一段磁阻较大,斜面502所在一段的磁阻较低,由于线圈4内部的磁场由内向外逐渐变弱,线圈4内部的中间部位磁感线最密,线圈4内部的边缘磁感线相对稀疏,磁瓦6的中间部位位于线圈4的磁感线最密的部位,对应在此段设置的隔磁层5较厚,磁阻较大,磁瓦6的两侧部位位于线圈4的磁感线逐渐稀疏部位,对应隔磁层5逐渐变薄,磁阻逐渐变小,从而实现整个磁瓦6的内弧面磁性原料分布均匀,内弧面的密度保持较好的均匀性,从而避免磁瓦6收缩发生开裂。

上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

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