蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法及有机半导体元件的制造方法与流程

本发明关于一种蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法，尤其关于一种具有积层有树脂层及金属层的结构的蒸镀遮罩、蒸镀遮罩的制造方法、及使用了蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。

背景技术

近年来，作为下一代显示器，有机电致发光(el，electroluminescence)显示设备受到关注。目前量产的有机el显示设备中，主要使用真空蒸镀法形成有机el层。

作为蒸镀遮罩，一般而言为金属制的遮罩(金属遮罩)。然而，随着有机el显示设备的高清晰化发展，更加难以使用金属遮罩精度良好地形成蒸镀图案。其原因在于：在目前的金属加工技术中，在成为金属遮罩的金属板(例如厚度100μm左右)上，难以以较高精度形成对应于短像素间距(例如10～20μm左右)的较小开口部。

因此，作为用以形成清晰度较高的蒸镀图案的蒸镀遮罩，提出有具有积层有树脂层及金属层的结构的蒸镀遮罩(以下，也称为“积层型遮罩”)。

例如，专利文献1揭示了具有积层有树脂膜和作为金属磁体的保持构件(厚度：30μm～50μm)的结构的蒸镀遮罩。在树脂膜，形成有对应于所需蒸镀图案的多个开口部。在保持构件，以使树脂膜的开口部露出的方式形成有多个尺寸大于树脂膜开口部的开口部。因此，在使用专利文献1的蒸镀遮罩的情况下，蒸镀图案为对应于树脂膜的多个开口部形成。在比一般金属遮罩用的金属制的保持构件薄的树脂膜中，即便为较小的开口部也能够以高精度形成。根据专利文献1，蒸镀遮罩的保持构件是以热膨胀系数小于6ppm/℃的金属磁体，例如以镍钢形成。

使用以镍钢等金属磁体形成的保持构件的遮罩难以大型化。例如，难以制造一边超过1m的遮罩。其原因在于用以制作金属磁体片材的辊轧加工的成本增多。

因此，专利文献2揭示了具备包含磁性粉末的磁性层代替金属磁体片材的蒸镀遮罩。磁性层是通过将包含软磁体的粉末、黏合剂、溶剂及分散剂等添加剂的磁性分散涂布材涂布于基底膜，并进行干燥而形成。作为软磁体粉末，可列举：fe、ni、fe-ni合金、fe-co合金或fe-ni-co合金。记载有软磁体粉末的粒径为3μm以下，优选为1μm以下。作为黏合剂，可例示硅氧烷聚合物及聚酰亚胺。未记载软磁体粉末与黏合剂的调配比率。此外，蒸镀遮罩的开口部是在基底膜上形成磁性层之后形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2013-124372号公报

专利文献2：日本专利特开2014-201819号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，根据专利文献2所记载的技术，难以稳定地制造用于制造例如250ppi以上的高清晰度的有机el显示设备的高清晰度的蒸镀遮罩。

本发明鉴于上述情况而完成，其目的在于提供一种可较佳地用于形成高清晰度的蒸镀图案的大型积层型蒸镀遮罩、及其制造方法。此外，本发明的另一目的在于提供一种使用此种蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。

解决问题的方法

本发明的实施形态的蒸镀遮罩具有：基底膜，其具有多个第一开口部且包含高分子；复合磁体层，其形成于上述基底膜上，且具有实心部及非实心部；及框架，其接合于上述基底膜的周缘部；上述多个第一开口部形成于对应上述非实心部的区域，上述复合磁体层包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。

在某实施形态中，上述实心部包含离散地配置的多个岛状部。

在某实施形态中，上述多个岛状部包含岛状部对，该岛状部对配置于以上述多个第一开口部中任意一个第一开口部为中心点而对称的位置。

在某实施形态中，上述软肥粒铁的保磁力为100a/m以下。

在某实施形态中，上述软肥粒铁的居里温度小于250℃。

在某实施形态中，上述复合磁体层中的上述软肥粒铁的粉末的体积分数为15体积％以上且80体积％以下。

在某实施形态中，上述树脂包含热硬化性树脂。

在某实施形态中，上述基底膜包含聚酰亚胺，上述树脂包含与上述基底膜所含聚酰亚胺相同种类的聚酰亚胺。

在某实施形态中，上述框架由非磁性材料形成。例如，上述框架由高分子材料形成。

本发明实施形态的蒸镀遮罩的制造方法为上任意的蒸镀遮罩的制造方法，其包括：步骤a，其准备包含高分子的基底膜及框架；步骤b，其将上述基底膜固定于上述框架；步骤c，其在上述基底膜形成多个第一开口部；及步骤d，在上述步骤c之后，在上述基底膜上形成包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂的复合磁体层。上述步骤b例如包括使用粘着剂将上述基底膜粘着于上述框架的步骤。

在某实施形态中，上述步骤b包含拉紧上述基底膜的步骤。

在某实施形态中，在上述步骤c与上述步骤d之间，还包含将上述基底膜洗净的步骤。

在某实施形态中，上述步骤d通过喷墨法进行。

本发明的有机半导体元件的制造方法包括使用上述任意的蒸镀遮罩，在工件上蒸镀有机半导体材料的步骤。有机半导体元件例如为有机el元件。

发明的效果

根据本发明的实施形态，可提供一种能够较佳地用于形成高清晰度的蒸镀图案的大型积层型蒸镀遮罩、及其制造方法。此外，根据本发明的实施形态，可提供一种使用此种蒸镀遮罩的有机半导体元件的制造方法。

附图说明

图1(a)为示意性地表示本发明实施形态的蒸镀遮罩100a的俯视图，(b)为沿着(a)中的1b-1b'线的剖面图。

图2为本发明实施形态的蒸镀遮罩的制造方法的流程图。

图3(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100a的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图，(b)为沿着(a)中3b-3b'线的剖面图。

图4(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100a的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图，(b)为沿着(a)中的4b-4b'线的剖面图。

图5(a)为示意性地表示本发明实施形态的另一蒸镀遮罩100b的俯视图，(b)为沿着(a)中的5b-5b'线的剖面图。

图6(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100c的俯视图，(b)为沿(a)中的6b-6b'线的剖面图。

图7(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100d的俯视图，(b)为沿着(a)中的7b-7b'线的剖面图。

图8(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100e的俯视图，(b)为沿(a)中的8b-8b'线的剖面图。

图9(a)及(b)分别为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100f及100g的俯视图。

图10(a)及(b)分别为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩300a及300b的俯视图。

图11(a)及(b)分别为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩300c及300d的俯视图。

具体实施方式

本发明实施形态的蒸镀遮罩具有：基底膜，其具有界定蒸镀区域的多个第一开口部，且包含高分子；复合磁体层，其形成于基底膜上；及框架，其接合于基底膜的周缘部。

复合磁体层具有实心部及非实心部。所谓实心部为实际上存在复合磁体的部分，所谓非实心部为不存在复合磁体的部分，即除了实心部以外的部分。基底膜所具有的多个第一开口部形成于对应复合磁体层的非实心部的区域。

非实心部例如具有多个第二开口部，基底膜所具有的多个第一开口部的每一个形成于对应多个第二开口部的任一个的区域。多个第一开口部也可与多个第二开口部一对一地对应。

实心部例如包含离散地配置的多个岛状部。此时，优选为，多个岛状部包含配置于以多个第一开口部内的任意一个第一开口部为中心点对称的位置的岛状部对。优选为，作用于复合磁体层的岛状部的磁铁的吸引力相对于各第一开口部对称地发挥作用。其原因在于，若吸引力不对称，则有第一开口部变形的可能。为了使作用于各第一开口部的吸引力对称，例如，配置有配置于相对于第一开口部的中心水平方向点对称的位置的一对岛状部(两个岛状部)、及配置于相对于第一开口部的中心垂直方向点对称的位置的一对岛状部(两个岛状部)。第一开口部例如为于垂直方向较长的长方形时，配置于水平方向的一对岛状部间的距离大于配置于垂直方向的一对岛状部间的距离。也可代替其，或与其一同，在第一开口部对角线方向，配置两对岛状部。

本发明实施形态的蒸镀遮罩所具有的复合磁体层包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂。

为了形成例如250ppi以上的高清晰度的有机el显示设备的像素，需要具有例如40μm左右的开口部的蒸镀遮罩。为了以较高的尺寸精度形成此种开口部，如专利文献2所记载般，粒径为1μm以下的限制并不充分，优选为使用平均粒径小于500nm、进而优选为平均粒径为300nm以下的软肥粒铁的粉末，且优选为构成粉末的粒子的最大粒径小于500nm。软肥粒铁的粉末的平均粒径优选为10nm以上。构成软肥粒铁的粉末的粒子的最小粒径并无特别限定，优选为1nm以上。若软肥粒铁的粉末的粒径较小，则有产生粒子的分散性降低，或者，用以形成复合磁体层的分散液的流动性降低等问题的情况。再者，平均粒径小于500nm的粉末也取决于制造方法，但粒度分布相对较窄。

软肥粒铁是指肥粒铁内显示软磁性的肥粒铁，包含氧化铁(fe2o3及/或fe3o4)作为主成分。目前，软肥粒铁广泛地用于各种用途。主要的软肥粒铁例如为mn-zn系、cu-zn系、ni-zn系、cu-zn-mg系。例如，在芯片电感器用方面使用有粒径为0.5μm(500nm)左右的mn-zn系肥粒铁。

在本发明实施形态的蒸镀遮罩中，相对于专利文献2所记载的蒸镀遮罩使用金属粉末，为使用软肥粒铁的粉末。由于软肥粒铁为氧化物，故而即便为平均粒径小于500nm的粒子，相比于金属粒子化学上也较稳定，可安全地操作。此外，氧化物与树脂(例如，聚酰亚胺或环氧树脂等)的亲和性较高，稳定地分散，树脂硬化或固化后软肥粒铁的粒子与树脂的界面的粘着性也优异。再者，通过将软肥粒铁的粉末与树脂分散至溶剂中，将该分散液赋予至基底膜上，去除溶剂并将树脂硬化(或固化)，而形成复合磁体层。为了提高分散液中的软肥粒铁的粉末的分散性，也可混合界面活性剂或分散剂。此外，为了改善复合磁体层中的软肥粒铁的粒子与树脂的界面的粘着性，也可混合硅烷偶合剂等。或者，也可利用界面活性剂或硅烷偶合剂对软肥粒铁的粒子的表面预先进行处理(被覆)。

优选为使用保磁力为100a/m以下的软肥粒铁的粉末，进而优选为40a/m以下。再者，目前用于复合磁体层的镍钢的保磁力约为32a/m。再者，由于复合磁体层与镍钢相比刚性较低，故而容易变形。即，若复合磁体层磁化，且具有剩余磁化，则有因磁力而使复合磁体层及基底膜变形的可能。因此，为了防止因复合磁体层的剩余磁化而产生的变形，优选为去除复合磁体层的剩余磁化(进行脱磁)。脱磁可通过各种方法进行。例如，可使用交变衰减磁场进行脱磁。此外，也可通过将软肥粒铁的粉末加热至居里温度而进行脱磁。通过加热而进行的脱磁方法是简便的。若考虑到基底膜及复合磁体层所含的树脂的耐热性，优选为软肥粒铁的居里温度小于250℃。

由于难以对软肥粒铁的粉末测定保磁力及居里温度等物性值，故而以具有相同组成的软肥粒铁的块材(块)的物性值，对粉末的物性值进行评价。

作为复合磁体层所含的树脂，也可使用热塑性树脂，优选为热硬化性树脂。热硬化性树脂与基底膜的粘着性优异。热硬化性树脂于耐热性及/或化学稳定性方面也较热塑性树脂优异。作为热硬化性树脂，例如可列举：环氧树脂、聚酰亚胺、聚对二甲苯、双马来酰亚胺、二氧化硅混合聚酰亚胺、酚系树脂、聚酯树脂、及聚硅氧树脂。尤其是，就粘着性的观点而言，优选为环氧树脂及聚酰亚胺。

再者，作为聚酰亚胺，不仅可较佳地利用热硬化性聚酰亚胺(通过涂布作为聚酰亚胺的前驱物的聚酰胺酸的溶液，将溶剂加热去除并进行加热硬化而获得者)，也可较佳地利用可溶性聚酰亚胺(通过涂布溶解于溶剂的聚酰亚胺，将溶剂加热去除而获得者)。在利用聚酰亚胺形成基底膜时，复合磁体层所含的树脂优选为包含与基底膜所含的聚酰亚胺相同种类的聚酰亚胺。此时，聚酰亚胺既可为热硬化性也可为可溶性。通过将复合磁体层所含的树脂、与基底膜所含的聚酰亚胺设为相同种类的聚酰亚胺，可提高复合磁体层与基底膜的粘着性。此外，作为聚酰亚胺，通过使用较小的热膨胀系数(例如6ppm/℃左右)，可缩小与工件(蒸镀对象物，例如玻璃)的热膨胀系数之差。若缩小与工件的热膨胀系数之差，则即便于蒸镀时温度上升，也可减小所产生的热应力，抑制蒸镀遮罩的变形。此外，作为复合磁体层，通过使用实心部包含离散的岛状部的复合磁体层，可减小热应力。再者，近年来，也开发有抑制温度上升的蒸镀装置，但为了以高清晰度的图案进行蒸镀，进行预备性的实验，考虑到因蒸镀时的热所产生的变形，优选为形成有开口部。

复合磁体层所含的软肥粒铁的粉末的体积分数例如为15体积％以上且80体积％以下。复合磁性层用以表现磁铁的吸附力，只要能够表现充分的吸附力即可。由于通过计算难以求出磁铁的吸附力，故而最终，进行预备性的实验，确定由磁铁产生的磁场的强度、及蒸镀遮罩的构成。吸附力受磁场的强度、软肥粒铁的磁导率、及与复合磁体层的厚度相关的反磁场的强度影响。因此，作为优化的蒸镀遮罩的构成，有蒸镀遮罩(框架内的区域)的复合磁体层(实际上复合磁体存在的实心部)的厚度、面积率、及体积率以及复合磁体层所含的软肥粒铁的粉末的体积分数。再者，为了使蒸镀遮罩密接于工件而施加于复合磁体层的磁场例如为10mt(毫特斯拉)以上且100mt以下。若小于10mt则有无法获得充分的吸附力的情况，若大于100mt则有吸附灰尘的情况。作为磁铁，可使用稀土类磁铁等永久磁铁或电磁铁。在使用永久磁铁的情况下，优选为以均匀的吸附力作用于复合磁体层的方式，对应实心部的配置，配置多个永久磁铁。

本发明实施形态的蒸镀遮罩具有接合于基底膜的周缘部的框架。框架不隔着复合磁体层，接合于基底膜上。基底膜与框架例如通过粘着剂而接合。优选为，粘着剂包含热硬化性树脂，优选为具有250℃左右的耐热性。

框架无需利用磁性材料形成，利用非磁性材料形成即可。框架例如也可由丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(abs，acrylonitrile-butadiene-styrene)、聚醚醚酮(peek，polyetheretherketone)、聚酰亚胺等树脂形成。为了提高框架的机械特性(例如刚性)，例如也可使用纤维强化复合材料(例如碳纤维增强复合材料(cfrp，carbonfiberreinforcedpolymer))。优选为将聚酰亚胺作为基质树脂的cfrp。

以下，一面参照图式一面对本发明的实施形态进行说明。再者，本发明并不限定于以下实施形态。

参照图1(a)及(b)，对本发明实施形态的蒸镀遮罩100a进行说明。图1(a)及(b)分别为示意性地表示蒸镀遮罩100a的俯视图及剖面图。图1(b)表示沿着图1(a)中的1b-1b'线的剖面。再者，图1为示意性地表示蒸镀遮罩100a的一个例子的图，当然各构成要素的尺寸、个数、配置关系、长度的比率等并不限定于图示的例子。在下述其他图式中也相同。

如图1(a)及(b)所示，蒸镀遮罩100a具有基底膜10a、及形成于基底膜10a上的复合磁体层20a。即，蒸镀遮罩100a具有积层有基底膜10a及复合磁体层20a的结构，将其称为积层体30a。

基底膜10a包含高分子，典型而言，由高分子形成。作为高分子，优选为聚酰亚胺。基底膜10a也可包含高分子及填充材。基底膜10a具有多个第一开口部13a。将除了基底膜10a的第一开口部13a以外的部分，即膜实际上存在的部分称为实心部12a。

蒸镀遮罩100a在将基底膜10a密接于工件(蒸镀对象物)进行配置时，在以多个第一开口部13a界定的区域内，例如，蒸镀有机半导体材料。多个第一开口部13a例如排列为具有列及行的矩阵状。此处，将列方向设为水平方向，将行方向设为垂直方向，但不限定于此。多个第一开口部13a形成为对应于应形成于工件的蒸镀图案的尺寸、形状及位置。第一开口部13a典型而言为四边形，例如为长方形，但并不限定于此，可为任意形状。

复合磁体层20a在框架40a的内侧的区域形成于基底膜10a上。复合磁体层20a具有实心部22a及非实心部23a。此处，非实心部23a为多个第二开口部23a。复合磁体层20a的多个第二开口部23a与基底膜10a所具有的第一开口部13a一对一地对应。复合磁体层20a的第二开口部23a与基底膜10a的第一开口部13a自行对准地形成。

基底膜10a的厚度并无特别限定。但是，若基底膜10a过厚，则有蒸镀膜的一部分比所需厚度薄地形成的情况(称为“遮蔽”)。就抑制遮蔽的产生的观点而言，基底膜10a的厚度优选为25μm以下。此外，就基底膜10a本身的强度及耐清洗性的观点而言，基底膜10a的厚度优选为3μm以上。

关于复合磁体层20a的构成，如上所述，以可通过磁场获得充分的吸附力的方式，与由磁铁产生的磁场的强度一同进行优化。由于复合磁体层20a的第二开口部23a以对准基底膜10a的第一开口部13a的方式形成，故而就抑制遮蔽的产生的观点而言，优选为以基底膜10a的厚度与复合磁体层20a的厚度的合计不超过25μm的方式进行设定。

框架40a不隔着复合磁体层20a，接合于基底膜10a的周缘部。基底膜10a与框架40a例如通过粘着剂(未图示)接合。框架40a可由非磁性材料，例如树脂形成。

继而，参照图2，对本发明实施形态的蒸镀遮罩的制造方法进行说明。图2为本发明实施形态的蒸镀遮罩的制造方法的流程图。

首先，准备基底膜及框架(步骤sa)。

继而，将基底膜固定于框架(步骤sb)。基底膜例如使用粘着剂接合于框架。此时视需要，也可拉紧基底膜。拉紧例如在水平方向及垂直方向进行。在本发明的实施形态中，由于仅拉紧基底膜，故而无需如习知的大型拉紧装置，框架的机械强度的刚性也可较习知低。因此，无需利用磁性金属材料形成框架，例如可使用以高分子形成的框架。

继而，在基底膜形成多个第一开口部(步骤sc)。此时，使液体存在地将基底膜密接于玻璃基板的表面。在该状态下，通过照射激光，在规定位置形成规定形状及大小的多个第一开口部。为了将通过激光剥蚀法产生的残渣去除，优选为将基底膜洗净。若在形成复合磁体层的前进行洗净，则不存在在复合磁体层与基底膜之间产生剥离的可能，可更可靠地将残渣去除。尤其是为了将接合在被称为毛边的第一开口部的周缘的膜残渣去除而机械地擦(擦拭)基底膜的表面时，有将复合磁体层剥离的情况。

继而，在基底膜上，形成包含平均粒径小于500nm的软肥粒铁粉末及树脂的复合磁体层(步骤sd)。如上所述，准备包含软肥粒铁的粉末及树脂(包含前驱物)及溶剂的分散液，将其赋予至基底膜上，进行溶剂的去除及树脂的硬化(或固化)，由此形成复合磁体层。分散液的赋予例如可通过网版印刷法、狭缝印刷法、喷墨法进行。例如，图1所示的蒸镀遮罩100a的复合磁体层20a若调整分散液的浓度等，则可利用分散液的表面张力防止分散液渗入至基底膜10a的第一开口部13a，可形成具有与第一开口部13a自行对准地形成的第二开口部23a的复合磁体层。

如下所述，在形成具有以各种图案配置的多个岛状部的复合磁体层的情况下，优选为使用喷墨法。

参照图3及图4，对蒸镀遮罩100a的制造方法进行说明。图3(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100a的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图(步骤sb)。图4(a)及(b)分别为例示蒸镀遮罩100a的制造方法的步骤俯视图及步骤剖面图(步骤sc)。

如图3(a)及(b)所示，将基底膜10a固定于框架40a。基底膜10a例如使用粘着剂(未图示)接合于框架40。此处，仅框架40a的一部分与基底膜10a重叠，也可为框架40a整体与基底膜10a重叠。此时视需要，也可拉紧基底膜10a。为了在拉紧状态下对粘着剂进行加热使其硬化，优选为框架40a的高分子材料也为具有耐热性的材料。此外，优选为在真空中使用蒸镀遮罩100a时，以有机物不从粘着剂挥发的方式，在加热硬化时设为减压状态。也取决于加热温度，为了加热时也可拉紧，框架40优选为例如由聚酰亚胺形成，在需要刚性的情况下，可较佳地使用聚酰亚胺的cfrp。

根据本发明的实施形态，在形成复合磁体层20a之前，仅拉紧基底膜10a，因此可避免产生于拉紧时将复合磁体层20a剥离的问题。

继而，如图4(a)及(b)所示，在基底膜10a形成多个第一开口部13a(步骤sc)。

此时，在基底膜10a的下侧(与配置有框架40a侧相反侧)，例如配置玻璃基板(未图示)，在玻璃基板与基底膜10a之间介置液体(例如乙醇)，利用液体的表面张力，使基底膜10a密接于玻璃基板的表面。在该状态下，通过从基底膜10a的上侧照射激光，在规定位置形成规定形状及大小的多个第一开口部13a。

其后，为了将通过激光剥蚀法产生的残渣去除，优选为将基底膜10a的表面洗净。尤其是在基底膜10a的下侧的面产生接合于第一开口部13a的周缘部的毛边的情况下，为了将毛边去除，优选为擦拭基底膜10a的下侧的面。

其后，对基底膜10a的上侧的面，赋予包含软肥粒铁的粉末及树脂(包含前驱物)及溶剂的分散液，进行溶剂的去除及树脂的硬化(或固化)，藉此可获得复合磁体层20a。溶剂的去除、加热硬化的步骤可使用电炉进行。

继而，参照图5至图9，对本发明实施形态的其他蒸镀遮罩100b至100g的结构进行说明。这些蒸镀遮罩100b至100g也可通过上述说明的制造方法制造。但是，蒸镀遮罩100b至100g的复合磁体层20b至20g所具有的非实心部23b至23g大于基底膜10b至10g所具有的第一开口部13b至13g，故而即便增厚复合磁体层20b至20g的厚度也不易产生遮蔽。因此，复合磁体层20b至20g的厚度可大于蒸镀遮罩100a的复合磁体层20a的厚度。

图5(a)为示意性地表示本发明实施形态的另一蒸镀遮罩100b的俯视图，图5(b)为沿着图5(a)中的5b-5b'线的剖面图。

蒸镀遮罩100b具有基底膜10b及形成于基底膜10b上的复合磁体层20b(积层体30b)、及接合于基底膜10b的周缘部的框架40b。

基底膜10b具有实心部12b及多个第一开口部13b。复合磁体层20b具有实心部22b及非实心部23b。实心部22b包含离散地配置的多个岛状部22b。多个岛状部22b具有配置于第一开口部13b对角线方向的两对岛状部22b。即，在各第一开口部13b的对角线方向配置有4个岛状部22b。因此，作用于复合磁体层20b的岛状部22b的磁铁的吸引力相对于各第一开口部13b对称地发挥作用。

此处，岛状部22b例示了圆柱状的例子，但也可为棱柱，又可具有锥形形状，例如又可为圆锥台。

图6(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100c的俯视图，图6(b)为沿着图6(a)中的6b-6b'线的剖面图。蒸镀遮罩100c具有基底膜10c及形成于基底膜10c上的复合磁体层20c(积层体30c)、及接合于基底膜10c的周缘部的框架40c。基底膜10c具有实心部12c及多个第一开口部13c。复合磁体层20c具有实心部22c及非实心部23c。非实心部23c为多个第二开口部(狭缝)23c，多个沿行方向延伸的狭缝23c排列于列方向。实心部22c连续地形成于除了非实心部23c以外的区域。从蒸镀遮罩100c的法线方向观察时，各狭缝23c具有大于基底膜10c的各第一开口部13c的尺寸，在各狭缝23c内存在两个以上第一开口部13c(当然不限定于图6中所例示的个数)。

图7(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100d的俯视图，图7(b)为沿着图7(a)中的7b-7b'线的剖面图。

蒸镀遮罩100d具有基底膜10d及形成于基底膜10d上的复合磁体层20d(积层体30d)、及接合于基底膜10d的周缘部的框架40d。基底膜10d具有实心部12d及多个第一开口部13d。复合磁体层20d具有实心部22d及非实心部23d。非实心部23d为一个内包所有第一开口部13d的第二开口部23d。实心部22d连续地形成于除了非实心部23d以外的区域。

图8(a)为示意性地表示本发明实施形态的又一蒸镀遮罩100e的俯视图，图8(b)为沿着图8(a)中的8b-8b'线的剖面图。

蒸镀遮罩100e具有基底膜10e及形成于基底膜10e上的复合磁体层20e(积层体30e)、及接合于基底膜10e的周缘部的框架40e。基底膜10e具有实心部12e及多个第一开口部13e。复合磁体层20e具有实心部22e及非实心部23e。非实心部23e为多个第二开口部23e，在各第二开口部23e内配置有一个第一开口部13e。第二开口部23e具有大于第一开口部13e的尺寸。实心部22e连续地形成于除了非实心部23e以外的区域。

图9(a)及图9(b)分别为示意性地表示本发明实施形态的其他蒸镀遮罩100f及100g的俯视图。

图9(a)所示的蒸镀遮罩100f具有基底膜10f及形成于基底膜10f上的复合磁体层20f(积层体30f)、及接合于基底膜10f的周缘部的框架40f。基底膜10f具有实心部12f及多个第一开口部13f。复合磁体层20f具有实心部22f及非实心部23f。非实心部23f为两个第二开口部23f。实心部22f包含连续地形成于第二开口部23f的周围的周边部分、及离散地配置于第二开口部23f内的岛状部22f。

图9(b)所示的蒸镀遮罩100g具有基底膜10g及形成于基底膜10g上的复合磁体层20g(积层体30g)、及接合于基底膜10g的周缘部的框架40g。基底膜10g具有实心部12g及多个第一开口部13g。复合磁体层20g具有实心部22g及非实心部23g。非实心部23g为一个内包所有第一开口部13g的第二开口部23g。实心部22g包含连续地形成于第二开口部23g的周围的周边部分、及离散地配置于第二开口部23g内的岛状部22g。

本实施形态的蒸镀遮罩也可对应于一个元件(例如有机el显示器)的单位区域具有二维地排列的结构。具有此种结构的蒸镀遮罩可较佳地用以于一块蒸镀对象基板上形成多个元件。

图10(a)、(b)及图11(a)、(b)分别为例示本实施形态的又一蒸镀遮罩300a、300b、300c、及300d的俯视图。从法线方向观察时，这些蒸镀遮罩具有隔开间隔排列的多个(此处为六个)单位区域ua～ud。蒸镀遮罩300a的单位区域ua具有与蒸镀遮罩100a相同的图案，蒸镀遮罩300b的单位区域ub、蒸镀遮罩300c的单位区域uc、及蒸镀遮罩300d的单位区域ud具有与蒸镀遮罩100b相同的图案。蒸镀遮罩300b的实心部22b不具有形成于单位区域ub之间的部分。相对于此，蒸镀遮罩300c的复合磁体层20c的实心部22c具有连续地形成于单位区域uc之间的部分。蒸镀遮罩300d的复合磁体层20d的实心部22d具有配置于单位区域ud之间的岛状部22d。

本发明实施形态的蒸镀遮罩由于具有如上所述的复合磁体层，故而容易大型化，且，可形成高清晰度的图案。因此，例如可较佳地用于高清晰度的有机el显示设备的量产。

产业上的可利用性

本发明实施形态的蒸镀遮罩可较佳地用于以有机el显示设备为代表的有机半导体元件的制造，可尤佳地用于需形成高清晰度的蒸镀图案的有机半导体元件的制造。

符号说明

10a基底膜

12a实心部

13a第一开口部(非实心部)

20a复合磁体层

22a实心部

23a非实心部

40a框架

100a蒸镀遮罩

ua单位区域