发光结构和用于沉积发光结构的电极部分的设备的制作方法

本公开内容涉及一种发光结构和用于沉积发光结构的电极部分的设备。特别地，本公开内容涉及一种用于在基板上形成至少一层溅射材料以用于显示器制造的设备。

背景技术：

在许多应用中，使用在基板上(例如在玻璃基板上)沉积薄层。常规地，在涂布设备的不同腔室中涂布基板。对于一些应用来说，使用气相沉积技术在真空中涂布基板。已知用于在基板上沉积材料的数种方法。例如，可通过物理气相沉积(pvd)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺或类似工艺来涂布基板。通常，工艺在待涂布的基板所在的处理设备或处理腔室中执行。

在过去几年内，电子器件且特别是光电子器件的成本表现出显著降低。另外，在显示器中的像素密度不断增加。例如，发光二极管(led)显示器使用发光二极管阵列作为像素。led显示器的高亮度产生对led显示器的逐渐地增加的需求。在有机发光二极管(oled)中，电致发光材料是有机化合物。oled的潜在优点包括具有低驱动电压、宽视角和高对比度和色域的低成本的薄显示器。然而，在oled中的不同的层可能是易于出错的，从而引起例如阴极短路或氧化还原反射。

因此，一直需要提供用于在制造期间改善发光结构的性质、特别是关于高质量和低成本的方法和设备。

技术实现要素：

鉴于上述情况，提供根据独立权利要求的一种发光结构和用于沉积发光结构的电极部分的设备。另外，提供一种电子器件，所述电子器件包括通过根据本文所述的实施方式的制造层的方法制造的层。另外的优点、特征、方面和细节由从属权利要求、说明书和附图显而易见。

根据本公开内容的一方面提供一种发光结构。所述发光结构具有第一反射电极部分、在第一反射电极部分上的发射器层和在发射器层上的第二电极部分。第一反射电极部分包括第一透明导电金属氧化物层、反射金属层和第二透明导电金属氧化物层。反射金属层由第二透明导电金属氧化物层覆盖。第一反射电极部分对入射光具有小于6％的光吸收率。

将第一反射电极部分的光吸收性质设定为对入射光的小于6％的光吸收率能有助于提高第一反射电极的质量。

根据本公开内容的实施方式，第一透明导电金属氧化物层和第二透明导电金属氧化物层中的至少一者对入射光具有93％至100％的吸收率。

降低透明导电金属氧化物层的吸收率和反射金属层的反射率能提高发光结构的效率并能产生更多从发光结构发射的光。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分的粗糙度小于2nm。

较低的表面粗糙度能造成第一反射电极部分的较高的反射率。例如，较薄的反射金属层能沉积为具有较低的表面粗糙度。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分中的o2含量在约1％与约5％之间；且第一反射电极部分中的h2含量在0％与3％之间。

根据本公开内容的进一步实施方式，发光结构是顶发射结构，特别是顶发射oled结构。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分被布置成比第二电极部分更靠近基板。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分是阳极。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分中的金属是ag或ag合金。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分中的透明导电金属氧化物是ito和izo中的至少一种。

根据本公开内容的进一步实施方式，第一反射电极部分的反射金属层的厚度在与之间并且对入射光具有大于93％的反射率。

根据另一方面提供一种用于沉积发光结构的电极部分的设备。所述设备包括：真空腔室；一个或多个含氧化铟的靶，所述靶在所述真空腔室内，用于溅射透明导电氧化物层；气体分配系统，所述气体分配系统用于在所述真空腔室内提供处理气体；和控制器，所述控制器连接到所述气体分配系统并且经构造以使所述设备：形成第一反射电极部分，在第一反射电极部分之上形成发射器层，以及在发射器层之上形成第二电极部分。形成第一反射电极部分包括在包括工艺气体的工艺气氛中沉积第一透明导电金属氧化物层、反射金属层和第二透明导电金属氧化物层。反射金属层由第二透明导电金属氧化物层覆盖。通过控制工艺气体的o2含量与h2含量的比率来将第一反射电极部分的光吸收性质设定为对入射光的小于6％的光吸收率。

根据本公开内容的进一步实施方式，将第一反射电极部分的光吸收率设定为小于6％的光吸收率包括根据工艺气体的o2含量与h2含量的比率来将第一反射电极部分的第一透明导电金属氧化物层和第二透明导电金属氧化物层中的至少一者的光吸收率设定为小于6％。

根据本公开内容的进一步实施方式，通过控制o2含量与h2含量的比率来设定第一反射电极部分的吸收率包括在减少h2含量时减少o2含量。

根据本公开内容的进一步实施方式，沉积第一透明导电金属氧化物层和第二透明导电金属氧化物层包括在溅射工艺中沉积第一透明导电金属氧化物层和第二透明导电金属氧化物层。

根据本公开内容的进一步实施方式，溅射工艺以在4kw与9kw之间的功率执行。

附图说明

为了能详细地理解本文描述的本公开内容的实施方式的上述特征，可通过参考实施方式获得在上文简要概述的更特定的描述。附图涉及本公开内容的实施方式，并且描述于下：

图1示出根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构的设备的示意图；

图2示出绘示根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构的方法的流程图；

图3示出根据本文描述的实施方式的发光结构的示意图；

图4示出绘示根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构的方法的流程图；和

图5示出根据本文描述的实施方式的发光结构的第一反射电极部分的示意图。

具体实施方式

现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示出于附图中。在下文对附图的描述中，相同标号表示相同部件。在下文中，仅描述了关于各别实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不意为对本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的一部分的特征可以用于其他实施方式或与其他实施方式结合而产生又一实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。

在本公开内容中，表述“工艺气氛”可理解为在处理腔室内、特别是在用于沉积层的设备的真空处理腔室内的气氛。“工艺气氛”可以具有由处理腔室内的容积确定的体积。

在本公开内容中，缩写“h2”代表氢，特别是气态氢。

另外，在本公开内容中，缩写“o2”代表氧，特别是气态氧。

术语“电极部分”可理解为包括一个或多个层的层序列。本文所使用的电极部分可用作电极，特别是阴极或阳极。例如，本文描述的电极部分可用作发光结构(诸如led、oled或类似发光结构)中的阴极或阳极。根据一些实施方式，“反射电极部分”可理解为具有反射性质的电极部分，尤其是针对在反射电极部分上的入射光具有反射性质的电极部分。根据一些实施方式，作为反射电极部分的电极部分可意味着反射电极部分具有小于100％的光反射率，典型地大于85％的反射率，更典型地大于90％的反射率，并且甚至更典型地大于95％的反射率。这同样适用于本文提到的反射层。根据一些实施方式，本文所使用的反射电极部分或反射层可理解为其中反射光量大于透射光量的层或部分。

术语“透明导电金属氧化物层”可理解为具有至少部分地导电和透明性质的金属氧化物层。例如，透明导电金属氧化物层中的金属可产生相应层的限定的导电率。根据一些实施方式，透明导电金属氧化物层可对入射光、特别是可见光具有透射性质。例如，透明导电金属氧化物层可具有小于100％的光透射率，诸如典型地大于85％、更典型地大于90％、并且甚至更典型地大于95％。根据一些实施方式，被描述为透明的层也可具有反射性质，诸如通过反射第一量的入射光和透射第二量的入射光。根据本文描述的实施方式，透明层可理解为具有低吸收率的层。特别地，透明层可理解为其中透射光量大于反射光量的层。

在图1中，示出根据本文描述的实施方式的用于在基板上沉积发光结构的一个或多个层的设备200的示意图。根据本文描述的实施方式，发光结构的层沉积可用于显示器制造。根据本文描述的实施方式，用于沉积用于显示器制造的层的设备包括真空腔室210。在真空腔室中，定位一个或多个靶220a、220b。例如，靶可包括用于在基板上形成反射电极部分的一种或多种材料。在一些实施方式中，靶可包括用于在基板上形成金属氧化物层、特别是透明导电氧化物层(诸如氧化铟，特别是氧化铟锡(ito))的材料。靶适于溅射靶材料(例如，透明导电金属氧化物层)于基板300上。设备200进一步包括气体分配系统230，所述气体分配系统230用于将工艺气体提供到真空腔室。控制器240被提供为连接到气体分配系统230并且经构造以执行程序代码。在执行程序代码时，可进行本文所描述的用于形成例如用于显示器制造的发光结构的方法。

如图1示例性地所示，根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，真空腔室210受腔室壁211限制，并且可在用于h2的第一气体入口231和用于o2的第二气体入口232处连接到气体分配系统230。如图1所示，第一气体入口231可经由具有第一质量流量控制器234的第一导管连接到气体分配系统230，第一质量流量控制器234经构造以用于控制提供到工艺气氛的h2的量，第一质量流量控制器234例如是第一阀。第二气体入口232可经由具有第二质量流量控制器235的第二导管连接到气体分配系统230，第二质量流量控制器235经构造以用于控制提供到工艺气氛的o2的量，第二质量流量控制器235例如是第二阀。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括用于提供h2的第一气源和用于提供o2的第二气源。因此，本文所描述的设备可经构造以用于彼此独立地提供h2和o2，使得在真空腔室210内的工艺气氛222的h2含量、o2含量和/或h2含量与o2含量的比率可被控制。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括用于提供惰性气体的第三气源。第三气源可经构造以用于例如通过将真空腔室与气体分配系统的第三气源连接的单独的第三气体入口将惰性气体(诸如ar)与h2和/或o2分开地提供到工艺气氛。根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统可包括惰性气体流量控制器(未示出)，所述惰性气体流量控制器经构造以用于控制提供到工艺气氛的惰性气体的量。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，第三气源可用于提供惰性气体/h2混合物，所述惰性气体/h2混合物可通过第一气体入口提供到真空腔室内的工艺气氛。另外或替代地，第三气源可用于提供惰性气体/o2混合物，所述惰性气体/o2混合物可通过第二气体入口提供到真空腔室内的工艺气氛。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，气体分配系统230可包括用于在真空腔室内提供工艺气氛的限定压力的泵和/或压缩机。特别地，根据本文描述的实施方式，气体分配系统可包括用于提供h2的相应压力和/或用于提供o2的相应压力和/或用于提供惰性气体的相应压力的泵和/或压缩机。

示例性地参考图1，根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，真空腔室210可包括出口端口233，出口端口233连接到出口导管，出口导管与出口泵236流体连接以在真空腔室210中提供真空。

如图1所示，在真空腔室210内，可设有第一沉积源223a和第二沉积源223b。沉积源可以例如是具有待沉积在基板上的材料的靶的可旋转阴极。特别地，靶可以是含金属氧化物的靶，特别是含透明导电金属氧化物的靶，并且进一步特别是含氧化铟锡(ito)的靶，特别是含ito90/10的靶。根据本文描述的实施方式，ito90/10包括氧化铟(in2o3)和氧化锡(sno2)，其比率为in2o3:sno2＝90:10。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，阴极可以是其中有磁体组件221a、221b的可旋转阴极。利用本文所描述的设备，可进行磁控溅射以沉积用于发光结构的层。如图1示例性所示，第一沉积源223a和第二沉积源223b的阴极可连接到电源250。电源250可连接到控制器240，使得电源可由控制器控制，如图1示例性所示。根据沉积工艺的性质，阴极可连接到ac(交流)电源或dc(直流)电源。例如，从氧化铟靶溅射(例如用于透明导电金属氧化物膜)可进行为dc溅射。在dc溅射的情况中，第一沉积源223a可连接到第一dc电源，并且第二沉积源223b可连接到第二dc电源。对于dc溅射，第二沉积源223b和第二沉积源223b可具有单独的dc电源。根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，dc溅射可包括脉冲dc溅射，特别是双极脉冲dc溅射。因此，电源可经构造以用于提供脉冲dc，特别是双极脉冲dc。特别地，用于第一沉积源223a的第一dc电源和用于第二沉积源223b的第二dc电源可经构造以用于提供脉冲dc功率。在图1中，示出了沉积源和待涂布的基板300的水平布置。在可与本文公开的其他实施方式结合的一些实施方式中，可使用沉积源和待涂布的基板300的竖直布置。

示例性地参考图1，根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，在真空腔室210中可设有传感器270以用于测量工艺气氛222的组分。特别地，传感器270可经构造以用于测量在本文所规定的相应的含量范围内的惰性气体、h2、o2和残余气体的含量。在一些实施方式中，传感器270可连接到控制器240以根据真空腔室210中感测到的组分来调节工艺气体的量。

如图1所示，根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，传感器270、包括第一质量流量控制器234和第二质量流量控制器235的气体分配系统230、以及出口泵236可连接到控制器240。控制器240可控制第一质量流量控制器234、第二质量流量控制器235、惰性气体流量控制器和出口泵236，使得真空腔室210中形成并维持具有本文所描述的组分的气氛。因此，具有本文所描述的组分的选定的工艺气氛的所有成分可被控制，尤其是彼此独立地控制。特别地，控制器可经构造以用于控制气体分配系统，使得h2的流量、o2的流量和惰性气体的流量可被彼此独立地控制以用于建立具有本文所描述的选定的组分的工艺气氛。因此，可非常准确地调节选定的工艺气氛的组分。

当本文所描述的用于沉积用于发光结构的层的设备200用来进行根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构的方法时，基板300可设置在沉积源下方，如图1示例性所示。基板300可布置在基板支撑件310上。根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，用于待涂布的基板的基板支撑装置可设置在真空腔室中。例如，基板支撑装置可包括输送滚筒、磁体引导系统和另外特征。基板支撑装置可包括基板驱动系统以用于驱动待涂布的基板进或出真空腔室210。

因此，根据本文所描述的实施方式的设备经构造以用于通过采用根据本文描述的实施方式的制造层的方法来制造用于发光结构(诸如例如led、oled和类似发光结构)的一个或多个层。

图2示出图示根据本文所描述的实施方式的用于在基板上形成发光结构的方法的方框图。特别地，发光结构可以是oled结构，并且在一些实施方式中可以是顶发射oled结构。方法100包括在方框101中形成第一反射电极部分，在第一反射电极部分上或之上形成发射器层，以及在发射器层之上形成第二电极部分。例如，可通过在工艺气氛中溅射、特别地包括溅射透明导电金属氧化物层(例如从含氧化铟的靶)来形成第一反射电极部分、发射器层和第二电极部分。特别地，靶可以是含氧化铟锡(ito)的靶或含氧化铟锌(izo)的靶。根据本文描述的实施方式，第一反射电极部分、发射器层和第二电极部分可相继地一个形成在另一个之上。

根据本文描述的实施方式，形成第一反射电极部分和/或第二电极部分包括在包括工艺气体的工艺气氛中沉积第一透明导电金属氧化物层、反射金属层和第二透明导电金属氧化物层。根据一些实施方式，发射器层可以是电致发光发射层，例如，含有机化合物的电致发光发射层。有机化合物是响应于电流而发光的化合物。根据一些实施方式，有机化合物可以是有机半导体。发射器层布置在第一反射电极部分与第二电极部分之间，尤其是用于产生显示器。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，工艺气氛包括h2、o2和惰性气体。惰性气体可选自由氦、氖、氩、氪、氙或氡组成的群组。特别地，惰性气体可以是氩(ar)。可理解，根据本文描述的实施方式的工艺气氛的成分的含量可加起来达100％。特别地，h2、o2和惰性气体的含量可加起来达工艺气氛的100％。

根据本文描述的实施方式的方法100在方框102中包括通过控制工艺气体的o2含量与h2含量的比率将第一反射电极部分的光吸收性质设定为对入射光的典型地小于6％、更典型地小于5％、甚至更典型地小于3％、甚至更典型地小于2％的光吸收率。除了第一反射电极部分的吸收率之外或作为其替代，可通过控制工艺气体的o2含量与h2含量的比率将第一透明导电金属氧化物层和/或第二透明导电金属氧化物层的吸收性质设定为对入射光为小于6％、更典型地小于5％、甚至更典型地小于3％、甚至更典型地小于2％。特别地，第一透明导电层和/或第二透明导电层的吸收率可小于入射光的4％。除了第一反射电极部分的吸收性质之外或作为其替代，反射金属层可具有典型地至少95％、更典型地至少96％、甚至更典型地至少98％的反射率。

例如，o2含量和h2含量的控制可通过图1示例性图示的气体入口231和232来进行。根据一些实施方式，第一质量流量控制器234和第二质量流量控制器235可控制用于h2和o2的单独的气体入口。在一些实施方式中，第一质量流量控制器234和第二质量流量控制器235可连接到控制器240。控制器240可经构造以用于调节h2入口和o2入口的质量流量以用于影响发光结构的第一反射电极部分的光吸收率，例如，这通过执行程序代码、通过调节h2和o2的质量流量、通过处理真空腔室内的传感器的结果、通过将传感器结果与阈值或表进行比较、通过处理对先前制造的发光结构执行的测试的结果、通过将测试结果与阈值或表进行比较、通过监测工艺、通过向操作人员发出工艺气体组分不在限定范围内的警告及类似手段来进行。

根据本文描述的一些实施方式，第一反射电极的光吸收率定义可以是第一反射电极的透射率和反射率的总和的对应物(counterpart)。本文所使用的光吸收率可理解为通过入射光引入第一反射电极的能量，特别是电磁辐射能量。在一些实施方式中，吸收的入射光的能量可转换成第一反射电极的内部能量(例如热能、工作能量、无功(reactive)能量等)。根据一些实施方式，对入射光的光吸收率可理解为入射光的未被第一反射电极反射或透射的量或部分。换句话说，对入射光的光吸收率可理解为入射光的停留在第一反射电极内的量或部分。

根据本文描述的一些实施方式，将第一反射电极部分的光吸收性质设定为对入射光的小于6％的光吸收率有助于提高第一反射电极的质量。在一些实施方式中，小于6％的光吸收率是指对可见光(诸如在约380nm与约780nm之间的范围内的光)的光吸收率。特别地，小于6％的光吸收率可以是指对具有约550nm的波长的光的光吸收率。

特别地，根据本文描述的实施方式的使吸收率降低和/或最小化为小于6％的值通过优化并调整沉积工艺的工艺气体中的h2和o2含量的比率来进行。氧在透明导电金属氧化物层工艺期间对结晶度有影响并有助于降低透明导电金属氧化物层的吸收率。相对高的氢含量(即比本文中的一些实施方式中描述的更高的含量)使透明导电金属氧化物层更无定形。增加第二透明导电金属氧化物层的无定形性质对于入射光的低吸收率来说是不利的。

根据一些实施方式，工艺气体中的h2和o2的比率对单个层的表面粗糙度有影响。特别地，第二透明导电金属氧化物层的较低吸收率允许在第一透明导电金属氧化物层与第二透明导电金属氧化物层之间使用较薄的反射金属层，尤其是相较已知的发光结构中使用的金属层厚度来说。较薄的反射金属层能沉积为具有较低的表面粗糙度。相较已知的发光结构来说，较低的表面粗糙度造成第一反射电极部分的较高的反射率。

根据本文描述的一些实施方式，由根据本文描述的实施方式的方法形成的发光结构可以是顶发射结构，特别是顶发射oled结构。图3示出根据本文描述的实施方式的发光结构500的示例。在发光结构500中，使用基板501。例如，在顶发射oled结构中，使用具有低透明度或不透明的基板。在一些应用中，可使用反射或不透明基板。可用于顶发射oled的基板范围很大。基板的范围可从玻璃或塑料基板到金属箔或甚至诸如硅晶片或类似物的硅基板。

在发光结构500的基板501上，可形成第一反射电极部分400。在一些实施方式中，第一反射电极部分400可用作阳极。在第一反射电极上或之上，形成发射器层502。特别地，发射器层(或发射层)可包括响应于电流而发光的有机化合物(诸如有机半导体)。在一些实施方式中，根据本文描述的实施方式的发光结构可包括紧邻发射器层502形成的导电层503(例如与发射器层一起形成为双层结构)。

根据本文描述的一些实施方式且如图3所示的发光结构500包括在发射器层502之上或上的第二电极部分504。根据一些实施方式，第二电极部分504可用作阴极。在一些实施方式中，发光结构500包括在第二电极部分之上的密封层505。例如，密封层可以是透明材料，诸如玻璃密封层。

在一些实施方式中，第一反射电极可以是比发光结构的第二电极更靠近基板的电极。根据一些实施方式，第一反射电极可以是在基板上或直接与基板相邻的电极。

根据一些实施方式，并特别是在顶发射oled用作发光结构的情况中，在基板上形成为第一电极的阳极有利地为反射阳极。具有反射阳极(诸如发光结构(特别是顶发射结构)中的第一反射电极部分)有助于沿正确方向集中并引导入射光。降低透明导电金属氧化物层的吸收率和反射金属层的反射率提高发光结构的效率并产生了更多从发光结构发射的光。

在图3中，从发光结构500发射的光如箭头506所示。可从图3示例性地看出，从发光结构500发射的光在远离基板501的方向上离开发光结构500。

根据一些实施方式，将第一反射电极部分的第一和/或第二透明导电金属氧化物层的光吸收率设定为小于6％、更典型地小于5％、甚至更典型地小于3％、甚至更典型地小于2％取决于工艺气体的o2含量与h2含量的比率。如上所述，工艺气体的o2含量与h2含量的比率被调节以用于降低光吸收率，并特别是使第一反射电极部分的光吸收率最小化。例如，工艺气体的o2含量和h2含量可设定为在典型地小于2％的h2含量之间的范围内。根据一些实施方式，在工艺气氛中将o2含量调节为典型地在1％与约5％(或典型地小于5％)之间的值。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，h2含量可被控制为典型地在约0.01％与约3％之间，更典型地在0.01％与约2％之间，并且甚至更典型地在约0.1％与约1.5％之间。根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，o2含量被控制为典型地在0.5％与约6％之间，更典型地在约1％与约5％之间，并且甚至更典型地在约1.5％与约4％之间的值。在一个实施方式中，o2含量为约2.5％，并且h2含量为0％。根据一些实施方式，h2含量与o2含量之间的比率可适于相应应用。在一个实施方式中，当减少h2含量时减少o2含量。根据一些实施方式，当使用更少的h2和更多的o2时，吸收率可降低。在一些实施方式中，可使h2含量增加多达约20％。

图4示出根据本文描述的一些实施方式的用于形成发光结构的方法100的流程图。方法100可具有与关于图2描述的相同的特征，尤其是关于方框101和102。图4的方法100包括在方框103中，通过将限定流量的h2和o2提供到工艺气体以控制工艺气体的o2含量与h2含量的比率来将第一反射电极层的光吸收性质设定为对入射光的小于6％的光吸收率。例如，所述方法可包括典型地在约1sccm与约10sccm之间、更典型地在约2sccm与约10sccm之间、并且甚至更典型地在约2sccm与约8sccm之间的氧流量，尤其是在沉积透明导电金属氧化物层期间。这些氧流量值可导致透明导电金属氧化物层的低吸收率。根据一些实施方式，可使用高达10sccm的氧流量来例如由透明导电金属氧化物的较高的结晶度而改善反射电极的电阻。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，发光结构(或发光结构的部分，诸如第一反射电极部分)可出于退火目的而经受升高的温度(相较于环境温度而升高)。例如，发光结构或发光结构的部分可经受典型地约150℃至约300℃、更典型地约200℃至约280℃、并且甚至更典型地约200℃与约260℃的温度。在一个示例中，根据本文描述的实施方式的发光结构或根据本文描述的实施方式的发光结构的部分被加热到约200℃、230℃或260℃的温度。

图5示出根据本文描述的实施方式的第一反射电极部分400的实施方式。第一反射电极部分400包括第一(透明)导电金属氧化物层401、反射金属层402和第二透明导电金属氧化物层403。

根据一些实施方式，第一透明导电层和/或第二透明导电层的吸收率典型地小于入射光的7％，更典型地小于5％，甚至更典型地小于3％，并且甚至更典型地小于2％。特别地，第一透明导电层和/或第二透明导电层的吸收率小于入射光的4％。反射金属层可具有典型地至少95％、更典型地至少96％、并且甚至更典型地至少98％的反射率。根据一些实施方式，反射金属层的反射率可受到用于沉积反射金属层的溅射功率的影响。例如，反射金属层的沉积可以典型地在4kw与15kw之间、更典型地在5kw与15kw之间、并且甚至更典型地在6kw与12kw之间的溅射功率执行。在一些实施方式中，溅射工艺以在4kw与9kw之间的功率执行。根据一些实施方式，较高功率可促成较低的吸收率。

在图5中，箭头指示在第一反射电极部分400上的入射光410。特别地，入射光410可来自发光结构的发射器层。可从图5的示例看出，入射光410被第二透明金属氧化物层403部分地反射为第一反射光411。箭头的大小是光量的指示。例如，少量的入射光410被第二透明导电金属氧化物层403反射。大量(或较大量)的入射光410透射穿过第二透明金属氧化物层403而成为透射光412。透射光412碰到反射金属层402并且被反射为第二反射光413。如图5中可见，入射光410的大小与第一反射光411和第二反射光413的大小的总和是近似相同的。在图5所示的示例中，第一反射电极部分400的吸收率为约0％。

图5示出第二透明金属氧化物层403对入射光具有部分反射性质和部分透射性质。特别地，第二透明金属氧化物层403主要具有透射性质，而具有小的反射部分。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，反射金属层402可具有通常在约与约之间、更典型地在约与约之间、并且甚至更典型地在约与约之间的厚度420。在一个示例中，反射金属层402的层厚度可选择为相较已知的发光结构来说是较小的。例如，反射金属层402的厚度420可在与之间。例如第一反射电极400的反射金属层的厚度可在与之间并且对入射光具有大于93％的反射率。在一个实施方式中，反射金属层的厚度可小于在一个实施方式中，根据本文描述的实施方式的反射金属层可在约的厚度下提供大于94％的反射率。与已知结构的金属层相比，根据本文描述的实施方式的反射金属层的较低的厚度是可能的，特别是由于鉴于工艺气体的上述比率而改善的反射性质而是可能的。

在一些实施方式中，根据本文描述的实施方式的发光结构中的反射金属层可包括金属合金。特别地，第一电极部分的反射金属层中的金属可以是ag，和/或包括ag的合金，诸如含ta、al、pd、au、cu、ti、cr、mo、ni、nb、ru和类似物的ag。在一些实施方式中，金属包括约0.1重量％至约3重量％之间的量的合金金属。

根据一些实施方式，透明导电金属氧化物层可以选自由以下组成的群组：氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化氟锡(fto)、铝掺杂氧化锌(azo)和氧化锑锡(ato)。或者，在一些实施方式中，透明导电金属氧化物层可由导电聚合物、金属栅格、碳纳米管、石墨烯、纳米线网、超薄金属膜和类似物代替。

根据一些实施方式，第一反射电极部分的层(诸如第一透明金属氧化物层和/或第二透明金属氧化物层和/或反射金属层)可具有限定的粗糙度。例如，所述粗糙度可例如因反射金属层的较小的厚度(例如，由于通过控制工艺气体中的h2含量和o2含量的比率提高反射金属层的反射率而是可能的)而小于已知的发光结构中的粗糙度。在一些实施方式中，反射金属层的粗糙度r最大小于第一透明金属氧化物层和/或第二透明金属氧化物层、特别是第二透明金属氧化物层的粗糙度。例如，第一反射电极的反射金属层的粗糙度r最大可典型地小于2nm，更典型地小于1.5nm。根据一些实施方式，向反射金属层的金属添加合金可对表面粗糙度有有益的效果，诸如降低反射金属层的表面粗糙度。

在一些实施方式中，透明金属氧化物层对反射金属层的良好覆盖可增加反射金属层与透明金属氧化物层之间的有益的反射性质。特别地，对反射金属层的良好覆盖可防止金属氧化，金属氧化可能是造成一些缺陷的原因，并尤其是造成反射金属层的反射率降低的原因。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，工艺气氛中的惰性气体的含量可来自在85％的下限、特别是90％的下限、更特别地95％的下限与97％的上限、特别是98.0％的上限、更特别是99％的上限之间的范围。通过在其中工艺气氛中的惰性气体的含量已选自本文描述的下限与上限之间的范围的工艺气氛中溅射透明金属氧化物层(尤其是从含氧化铟的靶)，可确保透明导电氧化物层的质量。特别地，通过提供具有本文所描述的惰性气体的工艺气氛，可降低或甚至消除工艺气氛中的h2的易燃和爆炸的风险。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，工艺气氛由h2、o2、惰性气体和残余气体组成。由h2、o2和惰性气体组成的工艺气氛中的h2、o2和惰性气体含量可选自在本文所描述的相应下限与相应上限之间的范围。残余气体可能是工艺气氛中的任何杂质或任何污染物。在由h2、o2、惰性气体和残余气体组成的工艺气氛中，残余气体含量可以是工艺气氛的从0.0％至1.0％。根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，残余气体含量为工艺气氛的0.0％。可理解，根据本文描述的实施方式的工艺气氛的成分的含量可加起来达100％。特别地，在工艺气氛中存在残余气体的情况下或在工艺气氛不含残余气体(即残余气体的含量为0.0％)的情况下，h2、o2、惰性气体和残余气体含量可加起来达工艺气氛的100％。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，工艺气氛的总压力可来自在0.2pa的下限、特别是0.3pa的下限、更特别是0.4pa的下限与0.6pa的上限、特别是0.7pa的上限、更特别是0.8pa的上限之间的范围。特别地，工艺气氛的总压力可以为0.3pa。通过在其中工艺气氛的总压力已选自本文所描述的下限至上限之间的范围的工艺气氛中溅射透明导电金属氧化物层(尤其是从含氧化铟的靶)，可调节氧化物层的无定形结构的程度。特别地，通过增加工艺气氛的总压力，可提高氧化物层中的无定形结构的程度。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，可在真空腔室中建立工艺气氛之前将工艺气氛的所有成分气体混合。因此，在溅射透明导电氧化物层之前或期间，工艺气氛的所有组成气体可通过相同的气体喷淋器供应到真空腔室。特别地，取决于本文所描述的工艺气氛的选定的组分，可通过相同的气体喷淋器将h2、o2和惰性气体供应到真空腔室。例如，选定的工艺气氛的气态成分可在选定的工艺气体的气态成分经由气体喷淋器提供到真空腔室中之前在混合单元中混合。因此，根据可与本文描述的其他实施方式结合的一些实施方式，用于沉积层的设备可包括混合单元以用于在将选定的工艺气体的气态成分经由气体喷淋器提供到真空腔室中之前将选定的工艺气体的气态成分混合。因此，可在真空腔室中建立非常均匀的工艺气氛。

根据实施方式，在层沉积之后，可执行退火程序，例如在从200℃至260℃的温度范围内执行。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，可以惰性气体/h2混合物的形式向工艺气氛提供h2。通过以惰性气体/h2混合物的形式向工艺气氛提供h2，可减少或甚至消除气体分配系统中的h2的易燃和爆炸的风险。根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，以惰性气体/o2混合物的形式向工艺气氛提供o2。

根据可与本文描述的其他实施方式结合的实施方式，制造发光结构的方法，尤其是制造用于显示器制造的发光结构的方法可进一步包括例如通过蚀刻、特别是湿法化学蚀刻来图案化沉积层。另外，根据本文描述的实施方式的制造层的方法可包括例如在图案化之后对层进行退火。

根据本文描述的实施方式，通过根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构的方法制造的发光结构可被应用于电子装置、特别是光电子装置中。因此，通过提供具有根据本文描述的实施方式的发光结构的电子装置，可改善电子装置的质量。特别地，将理解，根据本文描述的实施方式的用于形成发光结构(例如用于显示器制造)的方法及用于所述方法的设备允许在制造期间调整tft显示器性质，特别是关于高质量和低成本。

虽然前述内容针对实施方式，但是也可在不脱离本公开内容的基本范围的情况下设想其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由随附权利要求书确定。