技术特征：
技术总结
一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法，它涉及一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法。本发明为了解决采用常规热挤压处理使SiC纳米线定向排列过程中对SiC纳米线损伤严重的问题。一种在铝基复合材料中实现SiC纳米线低损伤定向排列的方法按照以下步骤进行：一、制备非定向SiC纳米线增强铝基复合材料；二、非定向SiC纳米线增强铝基复合材料预热；三、SiC纳米线低损伤定向排列处理。本发明提供了一种使SiC纳米线在铝基复合材料中低损伤定向排列的方法，工艺方法简单、易操作、复合材料性能优异，易于实现产业化生产及应用。
技术研发人员：杨文澍;武高辉;姜龙涛;张强;修子扬;陈国钦;乔菁;康鹏超;芶华松
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学
技术研发日：2017.05.05
技术公布日：2017.08.18