蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法与流程

技术特征：

1.一种蚀刻液组合物，包含：

8重量％至20重量％的过硫酸盐；

0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸；

0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物；

0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物；

0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物；

0.1重量％至2重量％的唑类化合物；及

余量的水，

所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述蚀刻液组合物进一步包含0.1重量％至2重量％的三氮类环状化合物，

所述三氮类环状化合物为选自由5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑和3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇组成的组中的一种以上。

3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述磷酸盐化合物与所述磷酸的含量比或所述磷酸盐化合物与所述亚磷酸的含量比为1:1至1:2。

4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述过硫酸盐为选自由过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾组成的组中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述磷酸盐化合物为选自由磷酸三钠、磷酸二氢钠、磷酸氢钠、磷酸三钾、磷酸二氢钾、磷酸二钾、磷酸铵、磷酸二氢铵和磷酸二铵组成的组中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述单氮类环状化合物为选自由5-氧代脯氨酸和噻唑组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述磺酸类化合物为选自由甲磺酸、氨基磺酸、对甲苯磺酸和苯磺酸组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述唑类化合物为选自由氨基四唑、甲基四唑、咪唑和吡唑组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述蚀刻液组合物的铜蚀刻速度为130埃/秒以上。

10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，

所述蚀刻液组合物的透明电极蚀刻速度为2埃/秒以下。

11.一种薄膜晶体管显示面板的制造方法，包括以下步骤：

在基板上形成透明电极膜；

在所述透明电极膜上形成铜膜；以及

使用蚀刻液来选择性地蚀刻铜，

所述蚀刻液包含：

8重量％至20重量％的过硫酸盐；

0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸；

0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物；

0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物；

0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物；

0.1重量％至2重量％的唑类化合物；及

余量的水，

所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

在使用所述蚀刻液来选择性地蚀刻铜的步骤中，

所述铜被蚀刻的部分成为电场生成电极。

13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

在使用所述蚀刻液来选择性地蚀刻铜的步骤中，

所述蚀刻在局部设置有光致抗蚀剂的状态下执行，

设置有所述光致抗蚀剂而铜未被蚀刻的部分成为栅极线。

14.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述磷酸盐化合物与所述磷酸的含量比或所述磷酸盐化合物与所述亚磷酸的含量比为1:1至1:2。

15.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述过硫酸盐为选自由过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾组成的组中的一种以上。

16.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述磷酸盐化合物为选自由磷酸三钠、磷酸二氢钠、磷酸氢钠、磷酸三钾、磷酸二氢钾、磷酸二钾、磷酸铵、磷酸二氢铵和磷酸二铵组成的组中的一种以上。

17.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述单氮类环状化合物为选自由5-氧代脯氨酸和噻唑组成的组中的一种以上。

18.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述蚀刻液进一步包含0.1重量％至2重量％的三氮类环状化合物，

所述三氮类环状化合物为选自由5-巯基-3-氨基-1,2,4-三唑、3-氨基-1,2,4-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑和3-氨基-1,2,4-三唑-5-硫醇组成的组中的一种以上。

19.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述磺酸类化合物为选自由甲磺酸、氨基磺酸、对甲苯磺酸和苯磺酸组成的组中的一种以上。

20.根据权利要求11所述的薄膜晶体管显示面板的制造方法，其中，

所述唑类化合物为选自由氨基四唑、甲基四唑、咪唑和吡唑组成的组中的一种以上。