本实用新型主要涉及内圈沟道超精机的技术领域，具体涉及一种空调轴承内圈沟道超精机的摆头压力改进装置。
背景技术：
内圈沟道超精机主要是用于打磨轴承内圈用的磨光设备，主要用于轴承的打磨、抛光。
在现有的内圈沟道超精机中，都是将气缸侧置，利用杠杆的远离，顶住油石，当轴承通过旋转轴的作用高速转动时，油石会对轴承进行打磨作用，这种结构，使得气缸只能起到顶住油石的作用，在油石打磨轴承的过程中，不仅影响了轴承打磨时的精度和平滑度，进一步的，影响了轴承表面的均匀度。
技术实现要素：
本实用新型提供一种空调轴承内圈沟道超精机的摆头压力改进装置，用以解决上述技术背景中提出的，现有的内圈沟道超精机中的气缸采用侧置导致被打磨轴承料内圈表面精度和均匀度不够的技术问题。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案为：一种空调轴承内圈沟道超精机的摆头压力改进装置，包括第一气缸和旋转轴，所述旋转轴的输出轴的顶端固定有轴承料，所述轴承料的垂直上方固定有油石，所述油石固定在第二气缸的底端，所述第二气缸相对于轴承料垂直安装。
优选的，所述第一气缸上固定有控制器，所述控制器与所述第二气缸电性连接。
优选的，所述第一气缸靠近所述轴承料的一端顶部固定有支撑板，所述第二气缸固定在所述支撑板上，且所述第二气缸的气动摆杆贯穿所述支撑板与所述油石固定连接。
优选的，所述第二气缸为回旋摆动式气缸。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：本实用新型结构简单，操作方便，通过将油石垂直作用于轴承料的上方，且将与所述油石连接的第二气缸垂直安装在轴承上方，从而可使得油石在轴承料高速旋转时，来回摆动，不仅可有效的提高了轴承内圈的精度和光滑度，进一步的，提高了轴承内圈避免的均匀度。
以下将结合附图与具体的实施例对本实用新型进行详细的解释说明。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图中：1-第一气缸；2-输出轴；3-控制器；4-第二气缸；5-支撑板；6-油石；7-旋转轴。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更加全面的描述，附图中给出了本实用新型的若干实施例，但是本实用新型可以通过不同的形式来实现，并不限于文本所描述的实施例，相反的，提供这些实施例是为了使对本实用新型公开的内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上也可以存在居中的元件，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件，本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常连接的含义相同，本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语知识为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型，本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
实施例，请参照附图1，一种空调轴承内圈沟道超精机的摆头压力改进装置，包括第一气缸1和旋转轴7，所述旋转轴7的输出轴的顶端固定有轴承料，所述轴承料的垂直上方固定有油石6，所述油石6固定在第二气缸4的底端，所述第二气缸4相对于轴承料垂直安装。
在本实施例中，通过将第二气缸4垂直安装在轴承的正上方，且所述油石6垂直与所述轴承，固定在所述第二气缸4的输出轴上，从而不仅提高了轴承内圈的精度和光滑度，进一步的，提高了轴承内圈的均匀度。
请着重参照附图1，所述第一气缸1上固定有控制器3，所述控制器3与所述第二气缸4电性连接。在本实施例中，通过控制器3可同时控制第一气缸1和第二气缸4，从而可使第一气缸1和第二气缸4同步工作。
请再次着重参照附图1，所述第一气缸1靠近所述轴承料的一端顶部固定有支撑板5，所述第二气缸4固定在所述支撑板5上，且所述第二气缸4的气动摆杆贯穿所述支撑板5与所述油石6固定连接，所述第二气缸4为回旋摆动式气缸。
在本实施例中，所述的第二气缸4采用回旋式摆动气缸，从而可实现油石的摆动，进而可实现提高轴承内圈精度和均匀度的目的。
本实用新型的实施例，当需要利用该超精机进行工作时，取出轴承，将其固定在旋转轴7的输出端顶端，打开旋转轴7的电控开关，同时，打开控制器3，第一气缸1和第二气缸4同时开启，第一气缸1的输出轴作用在轴承料上，对轴承料进行固定；进一步的，油石在第二气缸4的作用下，来回摆动，从而增加了轴承内圈的精度和光滑度，进一步的增加了轴承内圈的均匀度。
综上所述，通过在将第二气缸4垂直与轴承安装，且所述油石固定在所述第二气缸4的底端，通过利用第二气缸4实现对油石的摆动，不仅有效的提高了轴承内圈的精度和光滑度，进一步的，提高了轴承内圈表面的均匀度。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的某种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。