本实用新型涉及一种镀膜腔，具体涉及一种真空镀膜腔，属于真空镀膜技术领域。
背景技术：
原子层沉积(Atomic layer deposition，简称ALD)是一种将物质以单原子膜形式逐层依次的镀在基片表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入镀膜装置并在沉积基片上化学吸附并反应而形成沉积膜层。当前躯体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体，如氮气，对原子层沉积镀膜装置进行清洗，镀膜装置的内部形状对反应气物分布及流动特性起到较大的限制作用，会直接影响基片上沉积膜层的厚度均应性和致密性。另外，原子层沉积在基片镀膜的时候，会在镀膜装置内部残留粉状或应力崩裂的片状金属氧化物，从而生成颗粒污染源，影响基片的镀膜质量。
技术实现要素：
本实用新型为克服现有技术的缺陷，本实用新型目的是为了一种不仅排气效率高且使气体分布流动性更合理的真空镀膜腔。
本实用新型采用的技术方案是：一种真空镀膜腔，包括真空腔体，位于所述真空腔体内部上方设有蒸发源和位于所述蒸发源内部下方的用于承载被镀膜物的基台，所述真空腔体下设有与所述真空腔体一体成型的底壁；所述基台设置在所述底壁的上方且与所述底壁组合构成一与外部排气泵相通的燕尾槽。
作为本实用新型进一步改进的，所述基台与所述底壁之间为密封连接；所述基台上设有数个通孔；所述通孔一侧与所述真空腔体内部相通，另一侧与所述燕尾槽相通。
作为本实用新型进一步改进的，所述基台与所述底壁上端之间具有环形间隙。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型的真空镀膜腔，基台与底壁组合构成一与外部排气泵相通的燕尾槽结构；燕尾槽形状的排气口使得提高排气效率的效果；燕尾槽与基台构成的排气口，使得在排气泵排气时，使气体集中经被镀膜物表面后排出，从而使得基台附近颗粒污染得到改善；在充入惰性气体对原子层沉积镀膜装置进行清洗时，气体分布流动性更合理，提高镀膜质量。
附图说明
下面结合附图对本实用新型技术方案作进一步说明：
附图1为本实用新型的真空镀膜腔的结构示意图；
附图2为本实用新型的真空镀膜腔另一实施例的结构示意图；
图中：1-真空腔体；2-蒸发源；3-基台；4-燕尾槽；5-底壁；6-排气泵；7-被镀膜物；31-通孔；32-环形间隙。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
实施例一，如附图1所示，本实用新型的一种真空镀膜腔，包括真空腔体1，位于真空腔体1内部上方设有蒸发源2和位于所述蒸发源1内部下方的用于承载被镀膜物的基台3，真空腔体1下设有与真空腔体2一体成型的底壁5；基台3设置在底壁5的上方且与底壁5组合构成一与外部排气泵相通的燕尾槽4，燕尾槽4开设在底壁5的中部。
基台3与底壁3之间为密封连接；基台3上设有数个通孔31；通孔31一侧与真空腔体1内部相通，另一侧与燕尾槽4相通。当排气泵6排气时，使气体必须先集中经被镀膜物7表面后排出，从而使得基台附近颗粒污染得到改善；在充入惰性气体对原子层沉积镀膜装置进行清洗时，排气泵抽取一部分气体流出，进一步改善基台附近颗粒污染的问题，提高镀膜质量。该实施例适应于镀膜物件较小，承装在基台上时能够留出通孔31的位置。
实施例二，基台3与底壁3上端之间具有环形间隙32。在排气泵6排气时，使气体必须先集中经被镀膜物四周排出，在一定程度上改善基台附近颗粒污染的问题，提高镀膜质量，该实施例适应于较大的镀膜物件。
以上仅是本实用新型的具体应用范例，对本实用新型的保护范围不构成任何限制。凡采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本实用新型权利保护范围之内。