用于在真空腔室中蒸发材料的设备和用于在真空腔室中蒸发材料的方法与流程

本公开内容的实施方式涉及材料的蒸发。本公开内容的实施方式特别涉及在冷“坩埚”中的蒸发和敏感材料(诸如oled材料)的蒸发。本公开内容的实施方式特别涉及用于在真空腔室中蒸发材料的设备和用于在真空腔室中蒸发材料的方法。

背景技术：

已知用于在基板上沉积材料的若干方法。举例来说，基板可通过使用蒸发工艺、物理气相沉积(pvd)工艺(诸如溅射工艺、喷涂工艺等)、或化学气相沉积(cvd)工艺来涂覆。所述工艺可以在沉积设备的处理腔室中执行，待涂覆的基板位于沉积设备的处理腔室。在处理腔室中提供沉积材料。此外，其他工艺(如蚀刻、结构化、退火等)可以在处理腔室中进行。

例如，涂覆工艺可能被考虑用于大面积基板，例如，在显示器制造技术中。所涂覆的基板可以在若干应用和若干技术领域中使用。例如，应用可以是有机发光(oled)面板。另外的应用包括绝缘面板、微电子技术(诸如半导体装置)、具有薄膜晶体管(tft)的基板、滤色片等。oled是由在施加电时产生光的(有机)分子的薄膜构成的固态器件。举例来说，oled显示器可以提供电子装置上的亮显示，并且使用与例如液晶显示器(lcd)相比减少的功率。在处理腔室中，产生(例如，蒸发、溅射或喷涂等)有机分子，并且将有机分子沉积为基板上的层。粒子可以例如经过具有边界或特定图案的掩模来将材料沉积在基板上的位置处，例如，以在基板上形成oled图案。

材料蒸发对于在硬坩埚中在长时间期间不稳定的材料来说可能是困难的。例如，用于oled显示器制造的一些材料在设于具有用于蒸发材料的源的真空腔室中的坩埚中可能随时间而退化(degrade)或变质(degenerate)。然而，其他材料也会经历随时间的退化。

由此，提供用于材料蒸发、特别是在用于材料沉积的真空腔室中(例如，在大面积基板上)的材料蒸发的改进的概念是有益的。

技术实现要素：

鉴于上述，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的设备、一种用于在真空腔室中将材料沉积在基板上的系统、一种用于在真空腔室中蒸发材料的方法和一种在真空腔室中将材料沉积到基板上的方法。

根据一个实施方式，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的设备。设备包括：用于材料的容器，容器设于真空腔室中；超声源，与容器接触，所述超声源经构造以产生材料的气溶胶；分配管，用于引导材料；和光源，在具有气溶胶的区域中导引电磁辐射，以蒸发气溶胶。

根据一个实施方式，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的设备。设备包括：用于材料的容器，容器设于真空腔室中；超声源，与容器接触，所述超声源经构造以产生材料的气溶胶；分配管，用于引导材料；和带电粒子束源，在具有气溶胶的区域中导引带电粒子束，以蒸发气溶胶。

根据另一实施方式，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的设备。设备包括：用于材料的容器，容器设于真空腔室中；超声源，与容器接触；和光源或带电粒子束源，所述光源或带电粒子束源蒸发材料。

根据另一实施方式，提供一种用于在真空腔室中将材料沉积在基板上的系统。系统包括真空腔室和用于在真空腔室中蒸发材料的设备。例如，用于蒸发材料的设备包括：用于材料的容器，容器设于真空腔室中；超声源，与容器接触；和光源或带电粒子束源，所述光源或带电粒子束源蒸发材料。

根据另一实施方式，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的方法。方法包括：在设于真空腔室中的容器中提供材料；用超声产生材料的气溶胶；和用电磁辐射或带电粒子束蒸发材料的气溶胶。

根据另一实施方式，提供一种在真空腔室中将材料沉积到基板上的方法。方法包括：在真空腔室中用在设于真空腔室中的容器中提供材料的方法蒸发材料；用超声产生材料的气溶胶；和用电磁辐射或带电粒子束蒸发材料的气溶胶。沉积方法进一步包括用分配管朝向基板引导材料。

附图说明

为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，上文简要概述的本公开内容的更具体的描述可以参考实施方式进行。附图涉及本公开内容的实施方式，并且如下描述：

图1示出根据本公开内容的实施方式的用于在真空腔室中蒸发材料的设备，例如用于材料的蒸发源；

图2示出根据本公开内容的实施方式且具有外部光源的用于在真空腔室中蒸发材料的另一设备；

图3示出根据本公开内容的实施方式且具有用于材料的进给(feeding)机构的用于在真空腔室中蒸发材料的又一设备；

图4示出根据本公开内容的实施方式的用于在真空腔室中蒸发材料的又一设备；

图5示出根据本公开内容的实施方式的设备，例如，包括蒸发源的基板处理系统；和

图6示出图示根据本公开内容的实施方式的用于在真空腔室中蒸发材料的方法的流程图。

具体实施方式

现将详细参考本公开内容的各种实施方式，实施方式的一个或多个示例在附图中图示。在以下对附图的描述中，相同参考数字表示相同部件。一般来说，仅描述相对于单独实施方式的差异。每个示例通过解释本公开内容的方式来提供，不意味为限制。另外，图示或描述为一个实施方式的部分的特征可以用于其他实施方式或与其他实施方式结合以产生又一实施方式。描述意欲包括这样的修改和变化。

图1示出用于蒸发材料的设备，所述设备特别适于在真空腔室中蒸发材料。所述设备可以是用于冷材料蒸发的坩埚。在图1中示出蒸发源100。蒸发源100包括容器110。容器包括待在蒸发源100中蒸发的材料。

例如，材料可以是有机材料，特别是适用于oled制造(诸如oled显示器的制造)的有机材料。例如，可以在容器110中提供作为粉末的有机材料。然而，也可以在容器110中提供其他材料(即，非有机材料)，并且所述其他材料可以由蒸发源100蒸发。本公开内容的实施方式提供用于蒸发材料的蒸发源或设备，所述蒸发源或设备特别有益于可能易于在热坩埚(即被加热用于材料蒸发的坩埚)中退化或变质的材料。如果保持在材料的蒸发温度，敏感材料可退化或变质，即材料可能是不稳定的。由此，本文提及的热坩埚是(例如，通过向坩埚提供加热器)被加热到用于热蒸发材料的温度的坩埚。根据本文所述的实施方式的冷坩埚(包括例如容器110)是具有低于发生材料的分子间变质的温度的温度的坩埚。例如，待蒸发材料的温度可以低于待蒸发材料的蒸发温度至少50℃。另外，附加地或替代地，冷坩埚可以是基本上在室温或在100℃或更低的温度下提供的坩埚。

图1所示的蒸发源100包括超声源120。超声源120与容器110接触。超声源120产生提供在容器110中的材料(例如，有机材料)的气溶胶。蒸发源100或用于蒸发材料的设备分别经构造以用于在真空腔室(例如，具有技术真空的环境)中进行蒸发。例如，压力可以是10^-2mbar或更低，诸如10^-7mbar至10^-5mbar。超声源120激发(excite)容器110。已激发的容器110激发提供在容器中的材料。本公开内容的发明人已经发现，超声源120可以在真空条件下激发待蒸发的材料。由超声源120产生的气溶胶例如被提供在区域112中。

提供光源，诸如激光器130。光源发射电磁辐射以蒸发区域112中的气溶胶。根据一些修改，可以提供带电粒子束源来蒸发区域112中的气溶胶。例如，带电粒子束源可以是电子源。根据本文所述的实施方式，并且由光源产生和蒸发气溶胶。已蒸发的材料被提供在分配管140中。分配管140包括一个或多个开口142，用于将已蒸发的材料引导到真空腔室中和/或在基板上。

根据一些实施方式，并且如在图1中示例性示出的，由例如激光器130提供的电磁辐射可以从一侧进入区域112(即蒸发区)。根据附加的或替代的修改，激光器130或用于将电磁辐射引导到蒸发区中的元件(例如镜或光纤)可以设于区域112的两侧或更多侧处。光源在容器与分配管140之间的区域中导引电磁辐射以蒸发气溶胶。区域112(即蒸发区)也可以是容器的部分或分配管的部分，即在容器与分配管之间的接合处或邻近所述接合处的蒸发区。

根据本文所述的实施方式，分配管140可以是具有多个开口142的线性分配管。此外，如图1中示例性图示，分配管140具有长度145和内部容积144。令人惊讶地，发明人已经发现，即使对于线性分配管(即沿着基板(诸如大面积基板)的一个维度延伸的蒸发源100)来说，可以在线性分配管中提供已蒸发材料的足够的分压来沿着线性源的长度提供均匀沉积。

已蒸发材料的分压(分压例如是与分配管周围的真空腔室相比在分配管的内部容积144高一个数量级)可以由用于本公开内容的实施方式的至少两个参数来控制。首先，超声源的激发可以适于产生适量的气溶胶。其次，光源(诸如激光器130)的强度可以适于蒸发材料以提供蒸发速率。另外，第三参数(第三参数将关于图3而更详细地论述)可以是材料到容器110中的进给。

根据本公开内容的实施方式，提供一种用于在真空腔室中蒸发材料的设备。例如，材料可以是有机材料，诸如可能易于在热坩埚中变质的材料。设备包括：用于材料的容器，设于真空腔室中；超声源，与容器接触；和光源，诸如蒸发有机材料的激光器。根据可与本文所述的其他实施方式结合的又一实施方式，超声源可以经构造以产生材料(例如，有机材料)的气溶胶。另外，设备可包括用于引导已蒸发材料的分配管和在容器与分配管之间的区域中导引任务以蒸发由超声源产生的气溶胶的激光器。

待蒸发材料可以承载在坩埚(诸如冷坩埚，即容器)中。坩埚或容器中的材料被提供在超声区中。在超声区中，超声将产生材料的粉尘状云。产生气溶胶。粉尘状云(即，气溶胶)蒸发，例如，材料经过激光器，即具有准许电磁辐射的区域，并且蒸发。激光器可立即蒸发气溶胶。坩埚或容器(因此，容器中的材料)可以保持冷，并且材料不变质。

本文所述的实施方式可以用于涂覆大面积基板，例如，用于显示器制造。本文所述的设备和方法提供而用于的基板或基板接收区域可以是大面积基板。例如，大面积基板或载体可以是gen4.5(对应于约0.67m²的基板(0.73x0.92m))、gen5(对应于约1.4m²的基板(1.1m×1.3m))、gen7.5(对应于约4.29m²的基板(1.95m×2.2m))、gen8.5(对应于约5.7m²的基板(2.2m×2.5m))、或甚至gen10(对应于约8.7m²的基板(2.85m×3.05m))。可类似地实现甚至更高的代诸如gen11和gen12和对应的基板面积。例如，对于oled显示器制造来说，上文提及的基板代(包括gen6)的一半大小可以通过用于蒸发材料的设备的蒸发来涂覆。基板代的一半大小可以获自在全基板大小上进行的一些工艺和在先前处理的基板的一半上进行的后续工艺。

如本文所使用的术语“基板”可特别地包含大体上非柔性基板，例如，晶片、透明晶体(诸如蓝宝石或类似物)的切片、或玻璃板。然而，本公开内容不限于此并且术语“基板”可包含柔性的基板，诸如卷材或箔。术语“大体上非柔性”被理解为与“柔性”相区分。具体地，大体上非柔性基板可以具有某一程度的柔性，例如，具有0.5mm或更低厚度的玻璃板，其中大体上非柔性基板的柔性与柔性基板相比是小的。

基板可由适于材料沉积的任何材料制成。例如，基板可由选自由下列组成的群组的材料制成：玻璃(例如钠钙玻璃、硼硅酸盐玻璃等)、金属、聚合物、陶瓷、复合材料、碳纤维材料、金属或任何其他材料或可通过沉积工艺涂覆的材料的组合。

图2图示用于在冷坩埚中蒸发材料的设备的又一实施方式。图2示出真空腔室210中的蒸发源100。光源(例如，激光器130)可以设在真空腔室210外部。可以引导从激光器130发射的电磁辐射通过光纤232。例如，镜234可以将电磁辐射反射到区域112(即，蒸发源100的蒸发区)中。

如图1和图2中示例性所示，超声源120可以分别设于容器110或坩埚的两侧上。一个超声源120可以设于容器110的一侧处。超声源120与容器110接触。可以围绕容器110提供两个或更多个超声源120。

根据本公开内容的实施方式，用于蒸发材料的设备包括超声区域，在超声区域中超声激发容器中的材料。待蒸发材料提供为气溶胶。此外，提供蒸发区域，在蒸发区域中电磁辐射(例如，从激光器发射的光)蒸发待蒸发材料的气溶胶。激光器可以立即蒸发气溶胶。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，光源或激光器可以是线状激光器。激光器可以包括光学元件，用于产生电磁辐射的线(而非点)。另外，附加地或替代地，可以提供镜以在蒸发区内移动激光点或激光线。根据可与本文所述的其他实施方式结合的又一实施方式，可用电子束来替代电磁辐射。然而，对于敏感材料(如一些有机材料)来说，电子束也可损伤(deteriorate)或破坏材料。对于敏感材料来说，电磁辐射可为有益的。

图3图示蒸发源100的又一实施方式。可以用螺旋式输送机330将材料(例如从底部)运载到坩埚或容器中。或者，可采用用于待蒸发材料的其他进给机构。用进给机构将材料提供到容器中鉴于以下事实是特别有益的：可提供用于控制已蒸发材料的量的另外的参数。通过控制进给机构，即，进给到容器中的材料量，可进一步控制气溶胶的量。由此，用线源(特别是在底部处(即在分配管的下方)具有蒸发的竖直线源)进行的沉积的均匀性可以进一步得到改善。

根据本文所述的实施方式，已经发现，提供冷坩埚的超声区域与激光区域的组合可用于在分配管140的下方具有蒸发区的竖直线源。用于蒸发材料的竖直线源可以用于在竖直定向的基板(特别是大面积基板)上沉积材料。考虑到显示器的增加的基板大小(诸如1.4m²和更大的基板大小)和基板大小的持续增加，竖直基板定向减少处理系统的占地面积。竖直处理系统(特别地用于蒸发工艺，诸如用于oled制造的工艺)与水平处理不同。一方面，具有数微米的像素精度(pixelaccuracy)的像素掩模(ffm，精细金属掩模)产生竖直处理系统与水平处理系统相比的重要差异。另一方面，如关于本文所述的实施方式描述的，沿着分配管的长度(例如，参见图1中的长度145)具有均匀蒸发的竖直蒸发源产生竖直处理系统与水平处理系统相比的另外的差异。已经发现，超声气溶胶产生与例如激光蒸发的组合可以提供沿着蒸发线源的长度的均匀蒸发速率。再者，本公开内容的实施方式也可用于水平系统和/或点源，其中提供避免在热坩埚中材料变质的益处。

根据本公开内容的设备和方法可以用于竖直基板处理。其中，在处理基板期间竖直地定向基板，即如本文所述平行于竖直方向布置基板，即允许与严格竖直可能的偏差。可以提供与基板定向的严格竖直的小偏差，例如因为具有此偏差的基板支撑件可能产生更稳定的基板位置或基板表面上减少的粒子粘附。基本上竖直的基板可具有与竖直定向+-15°或更低的偏差。由此，当参考竖直基板定向时，本公开内容的实施方式可以涉及竖直+-15°的偏差。

在图3中，进给机构(诸如螺旋式输送机330)示出为从材料进给区域312进给材料，材料进给区域312与大气盒310连通。大气盒310可以邻近蒸发源100或与蒸发源100连接。大气盒310可以例如提供电气穿通或用于其他介质(如用于蒸发源100的冷却流体)的穿通。大气盒310可以与真空腔室外部的大气流体连通。可以提供材料入口，例如，穿过大气盒310提供材料入口。待蒸发材料可以在进给区域312中提供。材料可以由进给机构从进给区域312进给到容器110中。随着材料进入坩埚或容器，材料进入超声。在超声中，产生材料的粉尘状云或气溶胶。材料的粉尘状云或材料的气溶胶由例如激光器130蒸发。坩埚或容器和因此待在蒸发源中蒸发的提供的材料可以保持冷。可以改善材料的稳定性，即材料不变质或劣化。

图4图示用于蒸发材料的设备的又一实施方式。图4示出是具有线性分配管140的线源的蒸发源100。激光器130或一般地同类源可以允许电磁辐射穿过分配管140进入蒸发区(例如，区域112)中。例如，激光器的光可以在区域112的表面上方从分配管的顶部扫描。根据另外的修改，进给机构(诸如关于图3描述的螺旋式输送机330)或者超声激发或光蒸发的其他修改可以与穿过分配管的顶部的电磁辐射结合，如在图4中示例性所示。

如在图5中示例性所示，蒸发源100的支撑件574可以支撑三个坩埚或容器110。容器经构造以封闭用于蒸发待在基板上沉积的材料的材料。可以在蒸气分配元件或蒸气分配管140中引导已蒸发材料。蒸气分配元件或蒸气分配管可以将已蒸发材料引导到安装在载体组件510的载体上的基板上。

图5示出面向上部载体组件510的基板的沉积源组件。沉积源组件可以沿着在载体组件的载体上安装的基板移动。例如，沉积源组件可以包括一个或多个线源。线源可以由分配管140(例如，在分配管的每一个中的多个开口)提供。提供线源和移动沉积源组件的组合允许在矩形基板(诸如用于显示器制造的大面积基板)上沉积材料。根据另外的替代方案，沉积源组件的分配管可包括一个或多个点源，所述点源可以沿着基板表面移动。

除了平移沉积源组件之外，沉积源组件也可旋转沉积源，使得朝向图5所示的下部载体组件510的基板导引沉积源。由此，载体组件510可在图5所示的上部位置和下部位置的第一位置处载出和载入真空腔室552，同时可以处理载体组件在图5所示的上部位置和下部位置的对应的另一个位置上的基板。在处理对应的另一个基板之后，可以完成例如在载体组件510上装载新的基板。在旋转蒸发源100的一个或多个沉积源之后，可以处理已经在图5所示的上部位置和下部位置的第一位置处装载的基板。类似地，在第一位置中处理(例如，层沉积)基板期间，可以进行在另一个位置中卸载和装载另一基板。

根据实施方式，可以控制沉积源组件沿着源运输方向的速度，以控制沉积速率。沉积源组件的速度可以在控制器的控制之下实时调节。调节可被提供而用于补偿沉积速率改变。可限定速度分布。速度分布可确定沉积源组件在不同位置处的速度。速度分布可以被提供至或存储在控制器中。控制器可控制驱动系统，使得沉积源组件的速度与速度分布一致。由此，可以提供对沉积速率的实时控制和调节，使得可以进一步改善层均匀性。如根据本文所述的实施方式考虑的，由于基板和掩模可以在涂覆期间保持静止，沉积源组件沿着源运输方向的平移移动允许高涂覆精度(特定来说在涂覆工艺期间的高掩蔽精度)。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的又一些实施方式，可以进一步控制由例如激光器在蒸发区中立即蒸发气溶胶以改善在载体组件510上提供的基板上的均匀沉积。蒸发源100可以由磁悬浮运输系统(即，无接触运输系统)在真空腔室中移动。无接触运输系统减少可能通过源移动发生的真空腔室中的颗粒产生。另外，无接触运输系统实现改善的对沉积源组件(即，蒸发源100)的速度分布的控制。由此，沉积源组件(例如，蒸发源100)的无接触运输系统和利用如本文所述的冷坩埚的材料蒸发可以(特别地以组合方式)改善在基板上沉积的材料层的均匀性。

如图5所示，掩模512可设在蒸发源100(即，沉积源组件)与载体组件510的基板之间。图5示出在上部位置中(即，在蒸发源与上部载体组件510之间的位置中)的第一掩模512和在下部位置中(即，在蒸发源与下部载体组件510之间的位置中)的第二掩模512。

根据本文所述的实施方式，掩模可以是边缘排除掩模或可以是用于在基板上沉积图案的阴影掩模。根据本文所述的实施方式，掩模可以由掩模载体支撑。由此，掩模和基板的对准也可关于掩模载体提供。根据本文所述的实施方式，可以提供对大面积基板的竖直基板处理。特别对于图案掩模(例如，在大面积基板的面积上需要数微米精度的精细金属掩模(ffm))来说，可以提供包括载体组件510的磁悬浮系统和掩模载体中的至少一个的对准系统和用于基板载体与掩模载体的相对对准的机械对准系统。

图5示出在处理设备中移动悬浮的载体组件。与机械支撑(即有接触地支撑，所述接触是在例如基板运输辊上的机械接触)的载体组件的移动相比，悬浮的载体组件的移动允许较高的定位精度。特别地，在运输方向和/或竖直方向上的基板定位中，悬浮的载体组件移动允许高的位置。载体组件的定位精度允许相对于掩模512的由载体组件的载体支撑的基板的改善的对准。对准可被改善以提供用于一些掩模构造的精度或可被改善以允许用于一些其他掩模构造的独立对准系统的降低的复杂度。

根据本公开内容的设备和方法可以用于竖直基板处理。其中，在处理基板期间竖直定向基板，即如本文所述平行于竖直方向布置基板，即允许与严格竖直可能的偏差。可以提供基板定向与严格竖直的小偏差，例如因为具有此偏差的基板支撑件可产生更稳定的基板位置或基板表面上的减少的颗粒粘附。基本上竖直的基板可具有与竖直定向+-15°或更小的偏差。由此，本公开内容的实施方式可以涉及竖直+-15°的方向，其中参考基板定向。

本文所述的实施方式涉及沉积源组件或沉积源的无接触悬浮、运输和/或对准。在本公开内容全文中使用的术语“无接触”可以在以下意义上理解：沉积源组件的重量不由机械接触或机械力保持，而是由磁力保持。具体地，使用磁力替代机械力将沉积源组件保持在悬浮或漂浮状态。举例来说，本文所述的设备可不具有机械元件，诸如机械轨道，所述机械元件支撑沉积源组件的重量，即同时与机械轨道机械接触。在一些实现方式中，在沉积源组件或沉积源移动经过基板期间，在沉积源组件与设备的剩余部分之间可以没有机械接触。

图5示出用于在真空腔室中处理基板的设备500。真空腔室552可以例如具有腔室壁553。闸阀562可以设于腔室壁553中。闸阀可以打开以将载体组件510载入和载出真空腔室552。提供一个或多个引导结构570。一个或多个引导结构可以包括多个主动磁性单元575。图5示出具有两个闸阀562和两个引导结构570的设备500的实施方式。由此，两个载体组件510可以从真空腔室552(例如，交替或同时)装载和卸载。交替地装载和卸载载体组件510具有以下优点：处理工具(例如沉积源)可以分别地处理载体组件的基板同时装载或卸载另一载体组件的另一基板。由此，可以增加设备500的产量。

如图5所示，设备500可以进一步包括维护腔室554，维护腔室554可以例如是另外的真空腔室。维护腔室554可以通过另外的闸阀564与真空腔室552分隔。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一个实施方式，设备500可以是沉积设备。沉积源组件或蒸发源100可以沿着轨道572移动。轨道572或轨道572的一部分可以延伸到维护腔室554中以将沉积源组件从真空腔室552移动到维护腔室554中。将蒸发源100移动到维护腔室中具有以下优点：蒸发源可以在真空腔室552外部维护。例如，在另外的闸阀564已经关闭之后，维护腔室554可以通风(vent)以具有通向蒸发源的维护通路，同时真空腔室552可以保持抽空。根据一些实施方式，在蒸发源可以在维护腔室554中维护的同时，第二蒸发源可以在真空腔室552中操作。附加地或替代地，真空腔室552需要通风的时间量的减少使得真空腔室552中的环境更清洁。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的本公开内容的一些实施方式，蒸发源可以包括支撑件574。支撑件574可以包括驱动单元以沿着轨道572移动蒸发源。支撑件574可以进一步包括磁性单元以悬浮蒸发源。一个或多个容器110、分配管140、超声源和光源可以包括在蒸发源中。

例如，可以提供两种或更多种有机材料(例如，3种材料)的共同蒸发。有机材料的每一种在具有超声区的容器110中提供。超声区与经构造以产生气溶胶的超声源接触。气溶胶在蒸发区(例如，区域112(参见图1))中被引导，其中电磁辐射(例如，来自激光器)蒸发气溶胶以产生待在基板上沉积的已蒸发材料。

根据本文所述的实施方式，提供冷蒸发。利用超声源和激光器的冷蒸发可通过热加热来支持。例如，材料(诸如有机材料)可在升高的温度下在充分长的时间上稳定，其中升高的温度低于蒸发温度。由此，除了蒸发气溶胶之外，可以提供材料和/或气溶胶的加热以支持利用电磁辐射的蒸发。

如图5所示，可以提供共同蒸发，其中蒸发两种或更多种不同的材料(例如，有机材料)以在基板上沉积层。根据一些实施方式，两种或更多种不同的材料中的一种可以用热蒸发工艺来蒸发，并且两种或更多种不同的材料中的另一种可以用冷蒸发工艺来蒸发。

根据本公开内容的实施方式，提供用于在真空腔室中蒸发材料的方法。图6示出图示用于在真空腔室中蒸发材料的方法的流程图。在方框602中，在容器中提供待蒸发材料。容器设于在真空腔室中。用超声产生材料的气溶胶(参见方框604)。根据方框606，用电磁辐射蒸发气溶胶。根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式，电磁辐射可以是来自激光器的光。例如，光可以提供在蒸发区中。蒸发区可以在分配管的下端处或在分配管的下方。

根据可与本文所述的其他实施方式结合的另外一些实施方式，用于气溶胶产生的超声可以用与容器接触的超声源提供。

用于蒸发材料的方法可以用于在真空腔室中将材料沉积在基板上的方法。可以提供如本文描述的冷蒸发工艺。已蒸发材料可以用分配管(例如具有多个开口的线性分配管)引导。分配管朝向真空腔室中的基板引导排气。例如，线性分配管和/或基板可以基本上竖直地定向。根据一些实施方式，基板可以是大面积基板，例如，用于制造oled显示器。

虽然上述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设计出其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围是由随附的权利要求书确定。