技术特征：
技术总结
一种用于沉积含硅膜的方法，所述方法包括：将包含至少一个表面特征的衬底放入温度为约‑20℃至约400℃的可流动CVD反应器中；向所述反应器中引入至少一种具有至少一个乙酰氧基的含硅化合物，以至少部分地使所述至少一种含硅化合物反应而形成可流动液体低聚物，其中所述可流动液体低聚物在所述衬底上形成氧化硅涂层并至少部分地填充所述至少一个表面特征的至少一部分。一旦固化，所述氧化硅涂层具有低k和优异的机械性能。
技术研发人员：李建恒;R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦;萧满超;雷新建
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
技术研发日：2017.08.25
技术公布日：2019.04.16