技术特征：
技术总结
本发明公开了一种多孔氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将衬底放入磁控溅射真空室中，抽真空至真空度为0.0001Pa，通入0.1‑0.48Pa的氩气，使用105‑145W的功率溅射氧化物靶材，在衬底上沉积非晶态氧化物薄膜；(2)将步骤(1)制备的非晶态氧化物薄膜以每分钟10‑90℃的升温速率加热至700‑900℃，并保温20‑50分钟，然后降温，制备得到所述多孔氧化物薄膜。所述衬底选自硅、蓝宝石、SiO2。所述氧化物包括ZnO、SnO2、Fe2O3、TiO2、La2O3、ZrO2或V2O5。本发明所述制备方法制备的氧化物薄膜种类多，设备成熟，工艺简单，显著降低生产成本。制备的多孔氧化物薄膜在气敏探测器、气敏探测器和光催化降解领域有很好的应用。
技术研发人员：杨为家;刘艳怡;王诺媛;何鑫;陈柏桦;蒋庭辉;刘俊杰;刘铭全;沈耿哲
受保护的技术使用者：五邑大学
技术研发日：2018.09.14
技术公布日：2019.02.05