技术特征:
技术总结
本发明公开一种基于气相沉积法提高金属疏水性的制备方法,设有:S1步骤:利用控制表面氧化法在金属表面生成氧化金属膜;S2步骤:经六甲基二硅胺烷通过气相沉积法在氧化金属修饰;使用超疏水金属的制作方法,使金属的表面疏水性得到相应的提高,六甲基二硅胺烷相对含氯、氟试剂便宜且毒性很低,对环境友好,从而使金属在潮湿环境下不易发生腐蚀,在低温下不容易结霜结冰,从而不会对其导热,导电性能产生影响,直接使这金属产品和器件稳定性大幅度得到提高,使人民财产和社会安全得到保障。
技术研发人员:李学峰;张立科;侯珂珂;谢菲
受保护的技术使用者:许昌学院
技术研发日:2018.09.27
技术公布日:2019.01.15