基板处理装置的制作方法

本实用新型涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够提高大面积基板的研磨效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置。

背景技术：

最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(Cathode Ray Tube；CRT)的轻薄型平板显示装置(Flat Panel Display；FPD)的研究及商业化。

在这种平板显示装置领域，迄今轻巧且耗电少的液晶显示装置(Liquid Crystal Display Device；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrast ratio)及视角等方面存在缺点，因此正在开展能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:Organic Light Emitting Display)。

一般而言，显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应可以准备与此相应的玻璃基板。

作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(Eximer Laser Annealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。

为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多种研究，但还远远不够，要求对此进行开发。

技术实现要素：

所要解决的技术问题

本实用新型目的在于提供一种能够简化基板的处理工序、缩短处理时间的基板处理装置。

另外，本实用新型目的在于能够提高基板的研磨效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度。

另外，本实用新型目的在于能够连续供应、处理基板。

另外，本实用新型目的在于能够提高生产率及收率。

另外，本实用新型目的在于能够简化设备，能够节省制造费用。

解决技术问题的方案

根据旨在达成所述本实用新型目的的本实用新型优选实施例，在移送带预先清洗的状态下，使基板安放于移送带，借助于此，可以获得防止因移送带残留的异物导致研磨效率及研磨均匀度降低的效果。

根据旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置，用于进行基板的研磨工序，包括：移送带，其沿着规定路径循环旋转，在外表面安放基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，隔着所述移送带支撑所述基板的下表面；研磨单元，其研磨所述基板的上表面；清洗单元，其清洗所述移送带。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述清洗单元包括清洗所述移送带的外表面的外表面清洗部。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面清洗部包括：第一清洗部，其第一次清洗所述移送带的外表面；第二清洗部，其第二次清洗穿过所述第一清洗部的所述移送带的外表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述第一清洗部以润湿(wetting)状态对所述移送带的外表面进行预清洗，所述第二清洗部对穿过所述第一清洗部的所述移送带的外表面进行后续清洗。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面清洗部是向所述移送带的外表面喷射清洗流体的第一喷射喷嘴。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面清洗部是与所述移送带的外表面接触的第一清洗刷。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面清洗部是第一狭缝喷嘴，所述第一狭缝喷嘴形成与所述移送带的外表面接触的线性流体帘幕。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述移送带沿着借助于辊单元而确定的所述路径循环旋转，借助于所述移送带的循环旋转，所述基板被选择性地移送。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述辊单元包括：第一辊；第二辊，其与所述第一辊隔开地配置；所述移送带沿着借助于所述第一辊和所述第二辊而确定的所述路径循环旋转。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面清洗部配置成面向所述第一辊或所述第二辊的外表面，在所述移送带经过所述第一辊或所述第二辊的外表面进行旋转期间，清洗所述移送带的外表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述清洗单元包括清洗所述移送带的内表面的内表面清洗部。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面清洗部是向所述移送带的内表面喷射清洗流体的第二喷射喷嘴。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面清洗部是与所述移送带的内表面接触的第二清洗刷。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面清洗部是在所述移送带的内表面形成线性流体帘幕的第二狭缝喷嘴。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括对穿过所述清洗单元的所述移送带进行干燥的干燥单元。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述干燥单元包括对所述移送带的外表面进行干燥的外表面干燥部。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面干燥部是向所述移送带的外表面喷射干燥流体的第一干燥流体喷射喷嘴。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面干燥部是第一空气喷射狭缝喷嘴，所述第一空气喷射狭缝喷嘴形成与所述移送带的外表面接触的线性空气帘幕。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述外表面干燥部是第一吸收构件，所述第一吸收构件接触所述移送带的外表面并吸收所述移送带的外表面残留的清洗流体。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述第一吸收构件为海绵辊。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述干燥单元包括对所述移送带的内表面进行干燥的内表面干燥部。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面干燥部是向所述移送带的内表面喷射干燥流体的第二干燥流体喷射喷嘴。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面干燥部是第二空气喷射狭缝喷嘴，所述第二空气喷射狭缝喷嘴形成与所述移送带的内表面接触的线性空气帘幕。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述内表面干燥部是第二吸收构件，所述第二吸收构件接触所述移送带的内表面并吸收所述移送带的内表面残留的清洗流体。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述第二吸收构件为海绵辊。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述干燥单元是流体吸入部，所述流体吸入部吸入残留于所述移送带的内表面与外表面中任意一个以上的清洗流体。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述基板支撑部配置成面向所述基板的下表面，并支撑所述移送带的内表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述基板支撑部配置成贴紧所述移送带的内表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述基板支撑部配置成与所述移送带的内表面隔开，并以非接触状态支撑所述移送带的内表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，在所述移送带的外表面，形成有提高对所述基板的摩擦系数以抑制滑动的第一表面层，在所述移送带的内表面，形成有提高对所述基板支撑部的摩擦系数以抑制滑动的第二表面层。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述第一表面层和所述第二表面层由聚氨酯、工程塑料中任意一个以上形成。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括加载部，其在与所述移送带相同的高度，将所述基板移送到所述移送带，具备相互协助地移送所述基板的多个加载移送辊。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括加载控制部，在将所述基板从所述加载部移送到所述移送带的加载移送工序中，所述加载控制部使所述加载部移送所述基板的加载移送速度与所述移送带移送所述基板的皮带移送速度同步。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括卸载部，其在与所述移送带相同的高度，从所述移送带接受所述基板，具备相互协助地移送所述基板的多个卸载移送辊。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括卸载控制部，在将所述基板从所述移送带移送到所述卸载部的卸载移送工序中，所述卸载控制部使所述移送带移送所述基板的皮带移送速度与所述卸载部移送所述基板的卸载移送速度同步。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，所述研磨单元包括研磨垫，所述研磨垫尺寸小于所述基板，在以接触所述基板的状态自转的同时移动。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，包括卡环，其以包围所述基板的外周周边的方式配备于所述移送带的外表面。

旨在达成所述本实用新型目的的本使用新型的基板处理装置中，在借助于所述研磨单元而进行对所述基板的机械式研磨期间，同时供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨工序。

有益效果

综上所述，根据本实用新型，可以获得能够简化基板的处理工序、缩短处理时间的有利效果。

另外，根据本实用新型，可以获得提高基板的研磨效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。

另外，根据本实用新型，可以获得提高生产率及收率的有利效果。

另外，根据本实用新型，可以获得连续供应、处理基板的有利效果。

另外，根据本实用新型，能够简化设备、节省制造费用，可以获得提高空间利用率的有利效果。

另外，根据本实用新型，在基板的加载及卸载时，可以排除另外的拾起工序，可以获得缩短基板加载及卸载时需要的时间的有利效果。

附图说明

图1是示出本实用新型的基板处理装置的构成的俯视图，

图2作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明研磨部的立体图，

图3作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明研磨部的侧视图，

图4至图6作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明基板的加载工序的图，

图7作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明固定单元的图，

图8作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明借助于研磨单元的研磨工序的图，

图9作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明研磨单元的研磨路径的俯视图，

图10作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明基板支撑部的另一实施例的图，

图11作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明提升单元的图，

图12及图13作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明基板的卸载工序的图。

图14作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明清洗单元的图，

图15及图16作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明干燥单元的图，

图17作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明清洗单元的另一安装例的图，

图18作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明清洗单元的另一例的图，

图19作为本实用新型的基板处理装置，是用于说明干燥单元的另一例的图。

附图标记

10：基板处理装置 100：加载部

110：加载移送辊 120：加载控制部

200：研磨部 210：移送带

212：辊单元 212a：第一辊

212b：第二辊 214：卡环

214a：基板收纳部 220、220'：基板支撑部

230：研磨单元 232：研磨垫

240：提升单元 242：导辊

244：升降部 250：固定单元

252：加压构件 300：卸载部

310：卸载移送辊 320：卸载控制部

400：清洗单元 410：外表面清洗部

412：第一清洗部 412a：第一喷射喷嘴

412a'：第一清洗刷 414：第二清洗部

420：内表面清洗部 422：第二狭缝喷嘴

500：干燥单元 510：内表面干燥部

520：外表面干燥部 510'：第二吸收构件

520'：第一吸收构件

具体实施方式

下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但本实用新型并非由实施例所限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的附图标记表示实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用其他图中记载的内容进行说明，可以省略判断认为本领域技术人员不言而喻的或重复的内容。

参照附图1至图19，本实用新型的基板处理装置10包括：移送带210，其沿着规定路径进行循环旋转，在外表面安放基板W；基板支撑部220，其配置于移送带210的内部，将移送带210置于之间，支撑基板W的下表面；研磨单元230，其研磨基板W的上表面；清洗单元400，其清洗移送带210。

这是为了使因移送带210残留的异物(例如，浆料)导致的研磨均匀度降低实现最小化，在研磨工序中稳定地保持基板W的配置状态。

即，在对基板W的化学机械式研磨工序中使用浆料，从基板W流下的浆料等异物会残留于移送带210的内表面和外表面。如上所述，如果在异物残留于移送带210的内表面的状态下进行对基板W的研磨工序，则与处于基板W支撑部同移送带210内表面之间的异物的厚度相应，异物所在的基板W部位局部地凸出，因而存在基板W的研磨均匀度降低的问题。进一步而言，在基板W的研磨工序中，为了稳定地保持基板W的配置状态，需要能够抑制移送带210相对于基板W支撑部的移动，但如果在移送带210的内表面残留异物，则由于处于基板W支撑部与移送带210内表面之间的异物，存在难以抑制移送带210相对于基板W支撑部的移动(滑动)的问题。

另外，在基板W的研磨工序中，需要能够稳定地保持基板W相对于移送带210的配置状态，但如果在移送带210的外表面残留异物，则由于处于移送带210的外表面与基板W的下表面之间的异物，存在难以抑制基板W相对于移送带210的移动(滑动)的问题。

因此，本实用新型在把待研磨处理的基板W安放于移送带210之前，预先清洗移送带210，借助于此，可以获得防止因移送带210残留的异物导致的研磨效率及研磨均匀度降低的有利效果。

移送带210配置于加载部100与卸载部300之间，供应到加载部100的基板W移送到移送带210，在安放于移送带210的状态下研磨后，通过卸载部300卸载。

更具体而言，加载部100用于把待研磨处理的基板W加载到研磨部200。

加载部100可以以能够将基板W加载于研磨部200的多种结构形成，本实用新型并非由加载部100的结构所限制或限定。

作为一个示例，加载部100在与移送带210相同的高度下移送基板W，且包括以规定间隔隔开地配置的多个加载移送辊110，供应到多个加载移送辊110上部的基板W，随着加载移送辊110的旋转而被多个加载移送辊110相互协助地移送。根据情况，加载部也可以包括借助于加载移送辊而循环旋转的循环带。

其中，所谓加载部100与移送带210在相同的高度下移送基板W，定义为基板W在加载部100中移送的高度与基板W在移送带210中安放及移送的高度相互相同。

而且，供应到加载部100的基板W在供应到加载部100之前，借助于对齐单元(图上未示出)，姿势及位置可以排列成规定的姿势和位置。

作为参考，作为在本实用新型中使用的基板W，可以使用一侧边的长度大于1m的四边形基板W。作为一个示例，作为执行化学机械式研磨工序的被处理基板W，可以使用具有1500㎜*1850㎜尺寸的第六代玻璃基板W。根据情况，第七代及第八代玻璃基板也可以用作被处理基板W。不同于此，也可以使用一侧边长度小于1m的基板(例如，第二代玻璃基板)。

移送带210能沿着规定路径循环旋转，在外表面安放基板W，基板支撑部220配置于移送带210的内部，支撑基板W的下表面，研磨单元230研磨基板W的上表面。下面列举由移送带210、基板支撑部220、研磨单元230构成研磨部200的示例进行说明。

作为参考，在本实用新型中，所谓研磨单元230研磨基板W，定义为研磨单元230借助于对基板W的机械式研磨工序或化学机械式研磨(CMP)工序而研磨基板W。作为一个示例，在研磨单元230进行对基板W的机械式研磨期间，一同供应用于化学式研磨的浆料，进行化学机械式研磨(CMP)工序。

移送带210邻接加载部100地配置，沿着规定路径而以无限循环方式循环旋转。从加载部100移送到移送带210的基板W在安放于移送带210的外表面的状态下，随着移送带210的循环旋转而移送。

更具体而言，从加载部100移送到移送带210的基板W，可以随着移送带210的循环旋转，以安放于移送带210的外表面的状态，移送到研磨位置PZ(基板支撑部的上部位置)。另外，完成研磨的基板W可以随着移送带210的循环旋转，从研磨位置PZ移送到卸载部300侧。

移送带210的循环旋转可以根据要求的条件及设计规格以多种方式进行。作为一个示例，移送带210沿着借助于辊单元212而确定的路径进行循环旋转，借助于移送带210的循环旋转，安放于移送带210的基板W沿着直线移动路径进行移送。

移送带210的移动路径(例如，循环路径)可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。作为一个示例，辊单元212包括第一辊212a、从第一辊212a水平地隔开配置的第二辊212b，移送带210借助于第一辊212a和第二辊212b以无限循环方式循环旋转。

作为参考，所谓移送带210的外表面，意味着露出于移送带210外侧的外侧表面，在移送带210的外表面安放基板W。而且，所谓移送带210的内表面，意味着第一辊212a和第二辊212b接触的移送带210内侧表面。

另外，第一辊212a和第二辊212b中任意一个以上可以向选择性地相互接近及隔开的方向直线移动。作为一个示例，可以构成为第一辊212a固定，第二辊212b向接近及离开第一辊212a的方向直线移动。如上所述，根据制造公差及组装公差等，借助于使第二辊212b相对于第一辊212a接近及隔开，可以调节移送带210的张力。

其中，所谓调节移送带210的张力，定义为张紧或放松移送带210而调节张力。根据情况，也可以配备另外的张力调节辊，使张力调节辊移动来调节移送带的张力。但是，优选使第一辊和第二辊中某一个以上移动，以便能够提高结构及空间利用性。

另外，参照图8，在移送带210的外表面形成有第一表面层210b，所述第一表面层210b提高对基板W的摩擦系数，抑制滑动。

如上所述，借助于在移送带210的外表面形成第一表面层210b，在将基板W安放于移送带210外表面的状态下，可以约束基板W相对于移送带210的移动(约束滑动)，可以获得稳定地保持基板W的配置位置的有利效果。

第一表面层210b可以以与基板W具有粘合性的多种材质形成，本实用新型并非由第一表面层210b的材质所限制或限定。作为一个示例，第一表面层210b以伸缩性及粘性(摩擦力)优秀的聚氨酯形成。

进一步地，借助于在移送带210的外表面形成具有伸缩性的第一表面层210b，即使在基板W与移送带210之间流入异物，与异物的厚度相应，在异物所在的部分，第一表面层210b也可以被压下，因而能够消除异物导致的基板W高度偏差(基板的特定部位因异物而局部凸出)，可以获得使基板W的特定部位局部凸出导致的研磨均匀度降低实现最小化的有利效果。

另外，在移送带210的内表面可以形成有第二表面层210c，所述第二表面层210c提高对基板支撑部220的摩擦系数，从而抑制滑动。

如上所述，借助于在移送带210内表面形成第二表面层210c，在移送带210的内表面接触基板支撑部220的状态下，可以约束移送带210相对于基板支撑部220的移动(约束滑动)，可以获得稳定地保持移送带210的配置位置的有利效果。

第二表面层210c可以以对基板支撑部220的摩擦力优秀的多种材质形成，本实用新型并非由第二表面层210c的材质所限制或限定。作为一个示例，第二表面层210c由对基板支撑部220的摩擦力优秀、可以容易地从基板支撑部220分离的聚氨酯形成。

优选地，移送带210包括配置于第一表面层210b与第二表面层210c之间的加强层210a。

即，也可以仅由第一表面层210b和第二表面层210c构成移送带210。但是，如果移送带210仅由第一表面层210b和第二表面层210c构成，则在进行研磨工序期间，可能过度发生移送带210的下垂，因此，存在研磨均匀度降低的问题。因此，本实用新型借助于在第一表面层210b与第二表面层210c之间形成具有高耐久性及强度的加强层210a，可以获得使研磨工序中的移送带210的移动及变形实现最小化的有利效果。

加强层可以由具有高耐久性及强度的多种材质形成。优选地，加强层由工程塑料形成。此时，加强层需要与移送带210一同循环旋转，因而需要形成能够保障循环旋转的厚度。作为一个示例，工程塑料材质的加强层的厚度可以形成为0.1～2㎜。根据情况，也可以由钢(SUS)或无纺布材质形成加强层。

基板支撑部220配置于移送带210的内部，将移送带210置于之间并支撑基板W的下表面。

更具体而言，基板支撑部220以朝向基板W下表面的方式配置于移送带210的内部，支撑移送带210的内表面。

基板支撑部220根据要求的条件及设计规格，可以以多种方式支撑移送带210的内表面。作为一个示例，参照图3及图8，作为基板支撑部220，可以使用花岗石平板，基板支撑部220配置成贴紧移送带210内表面，以支撑移送带210的内表面。

如上所述，借助于基板支撑部220支撑移送带210的内表面，可以防止因基板W的自重及研磨单元230对基板W加压导致的移送带210下垂。

下面列举基板支撑部220以大致四边板形状形成的示例进行说明。根据情况，基板支撑部220也可以以其他不同形状及结构形成，借助于两个以上的基板支撑部220而支撑移送带210的内面。

另一方面，在前述及图示的本实用新型实施例中，列举了使基板支撑部220以接触方式支撑移送带210内表面的示例进行说明，但根据情况，也可以使基板支撑部220'以非接触方式支撑移送带210的内表面。

参照图10，基板支撑部220'与移送带210的内表面隔开配置，以非接触状态支撑移送带210的内表面。

基板支撑部220'根据要求的条件及设计规格，可以以多种方式以非接触方式支撑移送带210的内表面。作为一个示例，基板支撑部220'向移送带210的内表面喷射流体，借助于流体的喷射力JF来支撑移送带210的内表面。

此时，基板支撑部220'可以向移送带210的内表面喷射气体(例如，空气)和液体(例如，纯水)中至少某一种，流体的种类可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

如上所述，借助于以非接触状态支撑移送带210的内表面，可以获得使因摩擦阻抗(妨碍移送带移动(旋转)的因素)导致的处理效率降低实现最小化的有利效果。

根据情况，基板支撑部也可以利用磁力(例如，斥力；repulsive force)或超声波振动引起的上浮力，以非接触方式支撑移送带210的内表面。

研磨单元230以接触基板W表面的状态研磨基板W的表面。

作为一个示例，研磨单元230包括研磨垫232，所述研磨垫232以小于基板W的尺寸形成，以接触基板W的状态自转并移动。

更具体而言，安装于研磨垫232载体(图上未示出)，以接触基板W表面的状态自转并线性研磨(平坦化)基板W的表面。

研磨垫232载体可以以能使研磨垫232自转的多种结构形成，本实用新型并非由研磨垫232载体的结构所限制或限定。作为一个示例，研磨垫232载体可以以一个主体构成，或由多个主体结合构成，与驱动轴(图上未示出)连接并旋转。另外，在研磨垫232载体具备用于将研磨垫232加压于基板W表面的加压部(例如，以空气压力对研磨垫232加压的空气压力加压部)。

研磨垫232由适合对基板W进行机械式研磨的材质形成。例如，研磨垫232可以利用聚氨酯、聚脲(polyurea)、聚酯、聚醚、环氧树脂、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、氟聚合物、乙烯聚合物、丙烯酸及甲基丙酸烯聚合物、硅、乳胶、丁腈橡胶、异戊二烯橡胶、聚丁橡胶及苯乙烯、丁二烯及丙烯腈的多种共聚物而形成，研磨垫232的材质及特性可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

优选地，作为研磨垫232，使用具有小于基板W的大小的圆形研磨垫232。即，也可以使用具有大于基板W的大小的研磨垫232来研磨基板W，但如果使用具有大于基板W的大小的研磨垫232，则为了使研磨垫232自转，需要很大的旋转装备及空间，因此，存在空间效率性及设计自由度降低、稳定性降低的问题。

实质上，基板W至少一侧边的长度具有大于1m的大小，因此，使具有大于基板W的大小的研磨垫(例如，直径大于1m的研磨垫)自转本身就存在很困难的问题。另外，如果使用非圆形研磨垫(例如，四边形研磨垫)，则借助于自转的研磨垫而研磨的基板W的表面无法整体上研磨成均匀的厚度。但是，本实用新型使大小小于基板W的圆形研磨垫232自转而研磨基板W表面，借助于此，可以在不极大降低空间效率性及设计自由度的同时，使研磨垫232自转而研磨基板W，可以获得整体上均匀保持研磨垫232的研磨量的有利效果。

此时，研磨单元230的研磨路径可以根据要求的条件及设计规格而多样地变更。

作为一个示例，参照图9，研磨垫232沿着相对于基板W一边倾斜的第一斜线路径L1、向第一斜线路径L1的相反方向倾斜的第二斜线路径L2反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面。

其中，所谓第一斜线路径L1，例如意味着相对于基板W底边倾斜规定角度θ的路径。另外，所谓第二斜线路径L2，意味着与第一斜线路径L1交叉地朝向第一斜线路径L1相反方向倾斜规定角度的路径。

另外，在本实用新型中，所谓研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，定义为研磨垫232在以接触基板W表面的状态移动期间，研磨垫232相对于基板W的移动路径不中断而转换为其他方向(从第一斜线路径转换为第二斜线路径)。换句话说，研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2连续移动，形成连续连接的波形态的移动轨迹。

更具体而言，第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边为基准构成线对称，研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复进行Z字形移动，研磨基板W的表面。此时，所谓第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W一边为基准构成线对称，定义为当使第一斜线路径L1和第二斜线路径L2以基板W的一边11为中心对称时，第一斜线路径L1与第二斜线路径L2完全重叠，基板W的一边与第一斜线路径L1构成的角度、基板W的一边与第二斜线路径L2构成的角度相互相同。

优选地，研磨垫232以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W进行往返移动。下面，说明研磨垫232以与研磨垫232直径相应的长度为往返移动间隔P，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，相对于基板W规则地进行往返移动的示例。

如上所述，研磨垫232相对于基板W，沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2反复地进行Z字形移动并同时研磨基板W的表面，且研磨垫232以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔P，相对于基板W进行前进移动，借助于此，可以获得在基板W的整体表面区域，没有研磨垫232研磨遗漏区域地规则地均匀研磨基板W整体表面的有利效果。

其中，所谓研磨垫232相对于基板W进行前进移动，定义为研磨垫232沿着第一斜线路径L1和第二斜线路径L2，在相对于基板W移动的同时朝向基板W前方(例如，以图9为基准，从基板底边朝向上边)线性移动。换句话说，以由底边、斜边、对边构成的直角三角形为例，直角三角形的底边定义为基板W的底边，直角三角形的斜边可以定义为第一斜线路径L1或第二斜线路径L2，直角三角形的对边可以定义为研磨垫232相对于基板W的前进移动距离。

换句话说，以小于或等于研磨垫232直径的长度为往返移动间隔，研磨垫232相对于基板W反复进行Z字形移动(沿着第一斜线路径和第二斜线路径移动)并研磨基板W，借助于此，可以防止在基板W的整体表面区域发生研磨垫232遗漏研磨的区域，因而可以获得均匀地控制基板W的厚度偏差，相对于二维板面均匀地调节基板W的厚度分布，提高研磨品质的有利效果。

作为另一示例，研磨垫232也可以沿着基板W一边方向的第一直线路径、第一直线路径相反方向的第二直线路径，反复进行Z字形移动并研磨基板W的表面(图上未示出)。

其中，所谓第一直线路径，例如意味着从基板W底边一端朝向另一端方向的路径。另外，所谓第二直线路径，意味着朝向与第一直线路径相反方向的路径。

另一方面，在前述及图示的本实用新型实施例中，虽然列举研磨部200借助于以接触基板W的状态自转并移动的研磨垫232来研磨基板W的示例进行了说明，但根据情况，研磨部也可以利用以无限循环方式循环旋转的研磨带来研磨基板。

另外，研磨部200包括以包围基板W四周周边的方式配备于移送带210外表面的卡环214。

卡环214用于在研磨工序中，当研磨单元230的研磨垫232从基板W外侧区域进入基板W内侧区域时，使研磨垫232在基板W的边缘部位回弹的现象(弹跳现象)实现最小化，使研磨垫232回弹现象导致的基板W边缘部位的非研磨区域(dead zone)(未进行研磨垫研磨的区域)实现最小化。

更具体而言，在卡环214贯通形成有与基板W形态对应的基板收纳部214a，基板W在基板收纳部214a的内部安放于移送带210的外表面。

在基板W收纳于基板收纳部214a的状态下，卡环214的表面高度具有与基板W边缘的表面高度类似的高度。如上所述，使得基板W的边缘部位和与基板W边缘部位邻接的基板W外侧区域(卡环214区域)具有相互类似的高度，借助于此，在研磨工序中，在研磨垫232从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动期间，可以使基板W内侧区域与外侧区域间的高度偏差导致的研磨垫232回弹现象实现最小化，可以获得使回弹现象导致发生非研磨区域实现最小化的有利效果。

优选地，卡环214具有薄于或等于基板W的厚度(T1≥T2)。如上所述，具有薄于或等于基板W的厚度T2地形成卡环214，借助于此，可以获得在研磨垫232从基板W外侧区域移动到基板W内侧区域期间，防止发生研磨垫232与卡环214碰撞导致的回弹现象的有利效果(参照图8)。

而且，卡环214沿着移送带210的循环方向，在移送带210的外表面配备多个。如上所述，借助于在移送带210外表面形成多个卡环214，具有能够以直排(Inline)方式连续处理互不相同的基板W的优点。

另外，参照图7，基板处理装置10包括固定单元250，如果随着移送带210的循环旋转，安放于移送带210的基板W被移送到研磨位置PZ，则所述固定单元250使移送带210固定。

这是为了在对基板W进行研磨期间，抑制移送带210晃动及移动导致的基板W晃动，提高基板W的研磨均匀度。

即，基板W在安放于移送带210的状态下进行研磨，因而如果移送带210发生晃动，则安放于移送带210的基板W一同晃动，因此在对基板W进行研磨期间，应能够约束移送带210的晃动。

固定单元250可以形成为能够固定移送带210的多种结构。作为一个示例，固定单元250可升降地配备于移送带210的上部，包括选择性地对移送带210的外表面进行加压的加压构件252。

优选地，加压构件252沿着移送带210的宽度方向连续地对移送带210的外表面加压。如上所述，沿着移送带210的宽度方向对移送带210外表面连续加压，借助于此，可以获得更切实地约束移送带210晃动的有利效果。

作为一个示例，为了使移送带210从基板支撑部220隔开，加压构件252配置成与移送带内部配备的提升单元240的导辊242对置。如上所述，与导辊242对置地配置加压构件252，使得移送带210在加压构件252与导辊242之间被加压，借助于此，可以获得防止加压构件252对移送带210加压导致移送带210下垂的有利效果。根据情况，也可以将加压构件配置于基板支撑部的上部，或利用其他不同支撑构件，支撑被加压构件加压的移送带内表面。

另一方面，参照图4至图6，基板处理装置10包括加载控制部120，在将基板W从加载部100移送到研磨部200的加载移送工序中，加载控制部120使加载部100移送基板W的加载移送速度与移送带210移送基板W的皮带移送速度同步。

更具体而言，如果基板W的一端配置于移送带210上预先定义的安放开始位置SP，则加载控制部120使加载移送速度与皮带移送速度同步。

其中，所谓移送带210上预先安放开始位置SP，定义为基板W可借助于移送带210的循环旋转而开始移送的位置，在安放开始位置SP，赋予移送带210与基板W间粘合性。作为一个示例，安放开始位置SP可以设置于与从加载部100移送的基板W前端对置的基板收纳部214a一边(或邻接基板收纳部一边的位置)。

作为参考，如果借助于诸如传感器或视觉相机的通常的感知设备，感知基板收纳部214a的一边位于安放开始位置SP，则移送带210停止旋转，保持基板收纳部214a的一边位于安放开始位置SP的状态。

然后，在移送带210停止旋转的状态下，如果借助于感知设备而感知基板W前端配置于安放开始位置SP，则加载控制部120使移送带210旋转(同步旋转)，使加载部100移送基板W的加载移送速度与移送带210移送基板W的皮带移送速度成为相互相同的速度，使得基板W移送到研磨位置PZ。

而且，卸载部300用于从研磨部200卸载完成研磨处理的基板W。

卸载部300可以以能从研磨部200卸载基板W的多种结构形成，本实用新型并非由卸载部300的结构所限制或限定。

作为一个示例，卸载部300在与移送带210相同的高度下移送基板W，且包括以规定间隔隔开地配置的多个卸载移送辊310，供应到多个卸载移送辊310上部的基板W随着卸载移送辊310的旋转而被多个卸载移送辊310相互协助地移送。根据情况，卸载部也可以包括借助于卸载移送辊而循环旋转的循环带。

其中，所谓卸载部300在与移送带210相同的高度下移送基板W，定义为基板W在卸载部300中移送的高度与基板W在移送带210中安放及移送的高度相互相同。

另外，参照图12及图13，基板处理装置10包括卸载控制部320，在将基板W从研磨部200移送到卸载部300的卸载移送工序中，卸载控制部320使移送带210移送基板W的皮带移送速度与卸载部300移送基板W的卸载移送速度同步。

作为一个示例，如果感知基板W的一端，则卸载控制部320按照与移送带210移送基板W的皮带移送速度相同的速度，使卸载移送速度同步。根据情况，也可以与基板W一端感知与否无关，使卸载移送辊旋转，以便使皮带移送速度与卸载移送速度相同，在这种状态下，使移送带旋转，将基板卸载到卸载部。

另外，参照图11，基板处理装置10包括提升单元240，所述提升单元240使移送带210的内表面从基板支撑部220选择性地隔开。

这是为了使得更顺利地实现将完成研磨的基板W移送到卸载部300所需的移送带210循环旋转。

即，在移送带210的内表面，形成有用于提高移送带210对基板支撑部220的摩擦力的第二表面层210c，因此，在移送带210的内表面接触基板支撑部220的状态下，难以顺利实现移送带210的旋转。

在对基板W进行研磨期间，提升单元240保持移送带210内表面(第二表面层)接触基板支撑部220的状态，在完成研磨后，在移送带210循环旋转期间，移送带210的内表面从基板支撑部220隔开。

提升单元240可以形成为能够使移送带210内表面从基板支撑部220选择性地隔开的多种结构。作为一个示例，提升单元240包括滚动接触移送带210内表面的导辊242、使导辊242选择性地升降的升降部244。

导辊242在接触移送带210内表面的状态下，随着移送带210的旋转而旋转。

升降部244可以形成为能够使导辊242选择性地升降的多种结构，本实用新型并非由升降部244的结构及种类所限制或限定。作为一个示例，作为升降部244，可以使用通常的螺线管、汽缸等。

以往，为了使供应给加载部的基板加载到研磨部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在加载部拾起基板后，再将基板放置于研磨部，因而加载基板需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。进一步地，以往为了使完成研磨的基板卸载到卸载部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在研磨部拾起基板后，再将基板放置于卸载部，因而卸载基板需要的时间为数秒～数十秒左右，存在处理时间增加的问题。

但是，本实用新型在供应给加载部100的基板W利用循环旋转的移送带210直接移送的状态下，执行对基板W的研磨工序，使得基板W在移送带210上直接移送到卸载部300，借助于此，可以获得简化基板W的处理工序、缩短处理时间的有利效果。

另外，本实用新型在基板W的加载及卸载时排除另外的拾起工序，利用循环旋转的移送带210，以直排(Inline)方式处理基板W，借助于此，可以获得简化基板W加载时间及卸载工序、缩短基板W加载及卸载需要的时间的有利效果。

进一步地，在本实用新型中，不需要配备基板W加载及卸载时拾起基板W所需的拾起装置，因而可以简化装备及设备，可以获得提高空间利用性的有利效果。

再参照图1及图14，清洗单元400在把待研磨处理的基板W安放于移送带210之前清洗移送带210。

在对基板W的化学机械式研磨工序中使用浆料，从基板W流下的浆料等异物会残留于移送带210的内表面和外表面。如上所述，如果在异物残留于移送带210的内表面的状态下进行对基板W的研磨工序，与处于基板W支撑部同移送带210内表面之间的异物的厚度相应，异物所在的基板W部位局部地凸出，因而存在基板W的研磨均匀度降低的问题。进一步而言，在基板W的研磨工序中，为了稳定地保持基板W的配置状态，需要能够抑制移送带210相对于基板W支撑部的移动，但如果在移送带210的内表面残留异物，由于处于基板W支撑部与移送带210内表面之间的异物，存在难以抑制移送带210相对于基板W支撑部的移动(滑动)的问题。

另外，在基板W的研磨工序中，需要能够稳定地保持基板W相对于移送带210的配置状态，但如果在移送带210的外表面残留异物，由于处于移送带210的外表面与基板W的下表面之间的异物，存在难以抑制基板W相对于移送带210的移动(滑动)的问题。

因此，本实用新型在待研磨处理的基板W安放于移送带210之前，预先清洗移送带210，借助于此，可以获得防止移送带210残留的异物导致的研磨效率及研磨均匀度降低的有利效果。

清洗单元400可以形成为能够选择性地清洗移送带210的多种结构。

优选地，清洗单元400不中断对基板W的处理工序，在基板W的处理工序中，一同实现移送带210的清洗。更具体而言，清洗单元400在完成研磨的基板W从移送带210移送到卸载部后，在其他基板W从加载部移送到移送带210前，清洗移送带210。

清洗单元400包括清洗移送带210的外表面的外表面清洗部410。外表面清洗部410可以根据要求的条件及设计规格以多种方式清洗移送带210的外表面，本实用新型并非由外表面清洗部410的清洗方式所限制或限定。

优选地，表面清洗部包括：第一清洗部412，其第一次清洗移送带210的外表面；第二清洗部414，其第二次清洗穿过第一清洗部412的所述皮带的外表面。

更具体而言，第一清洗部412以润湿(wetting)状态对移送带210的外表面进行预清洗；第二清洗部414对穿过第一清洗部412的移送带210的外表面进行后续清洗。

其中，所谓移送带210的预清洗，定义为使移送带210外表面残留的异物保持不干燥的湿润状态的工序，根据情况，也可以借助于第一清洗部，一次性去除移送带外表面残留的异物。

如上所述，在移送带210外表面残留的异物固化之前，利用第一清洗部412首先对移送带210的外表面进行预清洗后，第二清洗部414再次对穿过第一清洗部412的移送带210的外表面进行后续清洗，借助于此，可以获得提高移送带210残留的异物的去除效率的有利效果。

作为一个示例，外表面清洗部410可以包括向移送带210外表面喷射清洗流体的第一喷射喷嘴412a。下面，列举外表面清洗部410的第一清洗部412和第二清洗部414分别由第一喷射喷嘴412a构成的示例进行说明。

第一喷射喷嘴412a可以只喷射一种清洗流体(气体或液体)，或喷射互不相同种类的流体，本实用新型并非由第一喷射喷嘴412a喷射的清洗流体的种类所限制或限定。

作为另一示例，如果参照图18，外表面清洗部410可以包括接触移送带210的外表面的第一清洗刷412a'。

作为第一清洗刷412a'，可以使用由能够摩擦接触移送带210外表面的通常的材料(例如，多孔性材料的聚乙烯醇)构成的刷。而且，在第一清洗刷412a'的表面可以形成有用于提高接触特性的多个清洗凸起。当然，根据情况，也可以使用没有清洗凸起的刷。

另外，在第一清洗刷412a'接触移送带210期间，也可以向第一清洗刷412a'与移送带210的接触部位供应清洗液，以便在执行借助于第一清洗刷412a'的清洗期间，能够提高因第一清洗刷412a'与移送带210的摩擦接触而引起的清洗效果。

作为参考，在本实用新型的实施例中，虽然列举外表面清洗部410的第一清洗部412和第二清洗部414全部由第一喷射喷嘴412a构成的示例进行了说明，但根据情况，也可以由第一清洗刷构成第一清洗部，由第一喷射喷嘴构成第二清洗部。不同于此，也可以使第一清洗部和第二清洗部全部由第一清洗刷构成。

作为又一示例，外表面清洗部410可以包括第一狭缝喷嘴，所述第一狭缝喷嘴形成接触移送带210的外表面的线性流体帘幕(linear fluid curtain)。

其中，所谓线性流体帘幕，意味着借助于线性形成的流体的幕形态的帘幕。

第一狭缝喷嘴喷射流体，形成接触移送带210的外表面的线性流体帘幕，移送带210的外表面在穿过线性流体帘幕期间进行清洗处理。

如上所述，第一狭缝喷嘴可以形成为非常细长的结构，以便能够形成线性流体帘幕，因而容易配置于移送带210的内部。因此，可以获得提高移送带210内部的空间利用率及设计自由度的有利效果。

作为参考，所谓第一狭缝喷嘴喷射的流体，定义为包括液态流体(例如，纯水)、气态流体及蒸气中至少任意一种。根据情况，也可以是在流体喷射部，液态流体或蒸气以与气态流体或干冰颗粒等混合的形态喷射。

第一狭缝喷嘴可以形成为能够形成线性流体帘幕的多种结构。作为一个示例，在第一狭缝喷嘴，可以形成有喷射用于形成线性流体帘幕的流体的喷射狭缝(图上未示出)。

另外，喷嘴外壳(图上未示出)可以配置成包围第一狭缝喷嘴周边。优选地，在喷嘴外壳中，形成有收集从移送带210飞溅的流体的流体收集空间。如上所述，借助于使得从移送带210飞溅的流体收集到喷嘴外壳的流体收集空间，可以获得使因从移送带210飞溅的流体意外地溅到周边装置(配置在移送带210周边区域的装置)而导致的各种错误实现最小化的有利效果。

另一方面，如果参照图17，外表面清洗部410配置成与第一辊或第二辊的外表面对置，可以在移送带210经过第一辊或第二辊的外表面进行旋转期间，清洗移送带210的外表面。

下面列举外表面清洗部410配置成与第二辊的外表面对置、在移送带210经过第二辊外表面进行旋转期间清洗移送带210外表面的示例进行说明。

其中，所谓在移送带210经过第二辊的外表面进行旋转期间清洗移送带210的外表面，定义为在移送带210的内表面接触第二辊的外表面的状态下，清洗与第二辊的外表面对应的移送带210外表面部位。

如上所述，在移送带210以接触第二辊的状态旋转期间，清洗移送带210的外表面，借助于此，可以获得提高移送带210的清洗效果的有利效果。

特别是在移送带210的外表面形成有具有多个气孔201b'的多孔性结构的第一表面层210b，在第一表面层210b接触第二辊的外表面的状态下，在移送带210的外表面形成的第一表面层210b的气孔201b'可以张开。如上所述，在形成于移送带210的外表面的第一表面层210b的气孔201b'张开的状态下，清洗移送带210的外表面，借助于此，可以获得连进入气孔201b'内部的异物也可以有效清洗的有利效果。

另外，清洗单元400包括清洗移送带210的内表面的内表面清洗部420。

内表面清洗部420可以根据要求的条件及设计规格以多种方式清洗移送带210的内表面，本实用新型并非由内表面清洗部420的清洗方式所限制或限定。

作为一个示例，内表面清洗部420可以包括第二狭缝喷嘴422，所述第二狭缝喷嘴422形成接触移送带210的内表面的线性流体帘幕(linear fluid curtain)。

其中，所谓线性流体帘幕形态，意味着借助于线性形成的流体的幕形态的帘幕。

第二狭缝喷嘴422喷射流体，形成接触移送带210的内表面的线性流体帘幕，移送带210的内表面在穿过线性流体帘幕期间进行清洗处理。

如上所述，第二狭缝喷嘴422可以形成为非常细长的结构，以便能够形成线性流体帘幕，因而容易配置于移送带210的内部。因此，可以获得提高移送带210内部的空间利用率及设计自由度的有利效果。

作为参考，所谓第二狭缝喷嘴422喷射的流体，定义为包括液态流体(例如，纯水)、气态流体及蒸气中至少任意一种。根据情况，也可以是在流体喷射部，液态流体或蒸气以与气态流体或干冰颗粒等混合的形态喷射。

第二狭缝喷嘴422可以形成为能够形成线性流体帘幕的多种结构。作为一个示例，在第二狭缝喷嘴422，可以形成有喷射用于形成线性流体帘幕的流体的喷射狭缝(图上未示出)。

作为另一示例，内表面清洗部420可以包括向移送带210的内表面喷射清洗流体的第二喷射喷嘴(参照图14的412)。

第二喷射喷嘴可以只喷射一种清洗流体(气体或液体)，或喷射互不相同种类的流体，本实用新型并非由第二喷射喷嘴喷射的清洗流体的种类所限制或限定。

作为又一示例，内表面清洗部420可以包括接触移送带210的内表面的第二清洗刷(参照图18的412a')。

作为第二清洗刷，可以使用由能够摩擦接触移送带210内表面的通常的材料(例如，多孔性材料的聚乙烯醇)构成的刷。而且，在第二清洗刷的表面可以形成有用于提高接触特性的多个清洗凸起。当然，根据情况，也可以使用没有清洗凸起的刷。

另外，在第二清洗刷接触移送带210期间，也可以向第二清洗刷与移送带210的接触部位供应清洗液，以便在执行借助于第二清洗刷的清洗期间，能够提高因第二清洗刷与移送带210的摩擦接触而引起的清洗效果。

另外，基板W处理装置包括对穿过清洗单元400的移送带210进行干燥的干燥单元500。

这是为了在清洗移送带210后，在其他基板W安放于移送带210之前，使移送带210干燥。

特别是在移送带210的外表面形成有提高对基板W的摩擦系数并抑制滑动的第一表面层210b，在第一表面层210b湿润的状态下，第一表面层210b的摩擦系数降低，因而在移送带210清洗后，在其他基板W安放于移送带210之前，使移送带210干燥，借助于此，可以获得防止移送带210对基板W的摩擦系数降低的有利效果。

干燥单元500包括对移送带210的外表面进行干燥的外表面干燥部520。外表面干燥部520可以根据要求的条件及设计规格以多种方式干燥移送带210的外表面，本实用新型并非由外表面干燥部520的干燥方式所限制或限定。

作为一个示例，参照图15，外表面干燥部520可以包括第一空气喷射狭缝喷嘴，所述第一空气喷射狭缝喷嘴形成接触移送带210的外表面的线性空气帘幕。

其中，所谓线性空气帘幕，意味着借助于线性形成的空气幕形态的帘幕。

第一空气喷射狭缝喷嘴喷射空气，形成接触移送带210的外表面的线性空气帘幕，移送带210的外表面在穿过线性空气帘幕期间被干燥处理。

如上所述，第一空气喷射狭缝喷嘴可以形成为非常细长的结构，以便形成线性空气帘幕，因而容易配置于移送带210的外部。因此，可以获得提高移送带210的周边的空间利用率及设计自由度的有利效果。

第一空气喷射狭缝喷嘴可以形成为能够形成线性空气帘幕的多种结构。作为一个示例，在第一空气喷射狭缝喷嘴，可以形成有喷射用于形成线性空气帘幕的空气的喷射狭缝(图上未示出)。

作为另一示例，外表面干燥部520可以包括向移送带210的外表面喷射干燥流体的第一干燥流体喷射喷嘴。

第一干燥流体喷射喷嘴可以只喷射一种干燥流体，或喷射互不相同种类的干燥流体，本实用新型并非由第一干燥流体喷射喷嘴喷射的干燥流体的种类所限制或限定。作为一个示例，第一干燥流体喷射喷嘴可以喷射空气。

作为又一示例，外表面干燥部520可以包括第一吸收构件520'，所述第一吸收构件520'接触移送带210的外表面，吸收移送带210的外表面残留的清洗流体。

作为第一吸收构件520'，可以以接触移送带210的外表面并能够吸收移送带210外表面残留的清洗流体的多种材料及结构形成。

作为一个示例，作为第一吸收构件520'，可以使用海绵辊。优选地，海绵辊在接触移送带210的外表面的状态下，随着移送带210的循环旋转而旋转。

另外，干燥单元500包括对移送带210的内表面进行干燥的内表面干燥部510。

内表面干燥部510可以根据要求的条件及设计规格以多种方式干燥移送带210的内表面，本实用新型并非由内表面干燥部510的干燥方式所限制或限定。

作为一个示例，如果参照图15，内表面干燥部510可以包括第二空气喷射狭缝喷嘴，所述第二空气喷射狭缝喷嘴形成接触移送带210的内表面的线性空气帘幕。

其中，所谓线性空气帘幕，意味着借助于线性形成的空气的幕形态的帘幕。

第二空气喷射狭缝喷嘴喷射空气，形成接触移送带210的内表面的线性空气帘幕，移送带210的内表面在穿过线性空气帘幕期间被干燥处理。

如上所述，第二空气喷射狭缝喷嘴可以形成为非常细长的结构，以便形成线性空气帘幕，因而容易配置于移送带210的外部。因此，可以获得提高移送带210周边的空间利用率及设计自由度的有利效果。

第二空气喷射狭缝喷嘴可以形成为能够形成线性空气帘幕的多种结构。作为一个示例，在第二空气喷射狭缝喷嘴形成有喷射用于形成线性空气帘幕的空气的喷射狭缝(图上未示出)。

作为另一示例，内表面干燥部510可以包括第二干燥流体喷射喷嘴，所述第二干燥流体喷射喷嘴向移送带210的内表面喷射干燥流体。

第二干燥流体喷射喷嘴可以只喷射一种干燥流体，或喷射互不相同种类的干燥流体，本实用新型并非由第二干燥流体喷射喷嘴喷射的干燥流体的种类所限制或限定。作为一个示例，第二干燥流体喷射喷嘴可以喷射空气。

作为又一示例，内表面干燥部510可以包括第二吸收构件510'，所述第二吸收构件510'接触移送带210的内表面，吸收移送带210的内表面残留的清洗流体。

作为第二吸收构件510'，可以以接触移送带210的内表面并能够吸收移送带210的内表面残留的清洗流体的多种材料及结构形成。

作为一个示例，作为第二吸收构件510'，可以使用海绵辊。优选地，海绵辊在接触移送带210的内表面的状态下，随着移送带210的循环旋转而旋转。

另一方面，作为干燥单元500的又一实施例，干燥单元500可以包括流体吸入部(图上未示出)，所述流体吸入部吸收在移送带210的内表面和外表面中某一个以上残留的清洗流体。

作为一个示例，干燥单元500可以包括：内表面流体吸入部，其吸入在移送带210的内表面残留的清洗流体；外表面流体吸入部，其吸入在移送带210的外表面残留的清洗流体。

内表面流体吸入部和外表面流体吸入部以通常的真空吸入方式，吸入在移送带210的内表面和外表面残留的清洗流体。

以上参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但只要是本领域技术人员便会理解，在不超出权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内，可以对本实用新型进行多种修订及变更。