本实用新型涉及一种基座，尤其涉及一种化学气相沉积装备用基座。
背景技术：
现有技术中，半导体器件的加工制造过程中，需要在半导体晶片上生成导电薄膜层、绝缘薄膜层等各种薄膜层以及各种沟槽、开口等，生成薄膜层和沟槽等的步骤对半导体器件加工而言是至关重要的环节。
一般情况下，薄膜层的生成可以通过PVD(物理气相淀积，又称溅射)、热氧化及CVD(化学气相淀积)等手段实现，沟槽、开口等可以通过刻蚀的方式实现。现有技术中的CVD、热氧化及刻蚀设备的共同点是，均需将待加工的晶片放置在基座上，之后在设备的腔体中进行相应的反应过程，在晶片的加工过程中，为了加快反应速度、提高加工效率等，往往对反应环境的温度会有一定的要求。在控制设备腔体温度的方法中，比较常用的一种方式就是给基座加热，之后由基座将热量传递给位于基座上方的晶片，从而控制反应速度等。
使用现有的基座形成的薄膜在被处理物的边沿尖锐部分不成膜，在后续工艺中会产生缺陷，导致质量不过关，即后续工艺中不成膜的边沿尖锐部分作为静电渗透的通路，成为发生电路接触不良的原因，特别是绝缘部位和导电部位形成的蚀刻工艺中，成为侵蚀及产生颗粒的原因。为此提出一种化学气相沉积装备用基座。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了解决现有技术中被处理物的边沿尖锐部分不成膜，在后续工艺中会产生缺陷，导致质量不过关的缺点，而提出的一种化学气相沉积装备用基座。
为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：
设计一种化学气相沉积装备用基座，包括反应箱，反应箱内部形成真空腔室，真空腔室内顶壁通过扩散器固定装置固定连接有扩散器，扩散器正下方设有基座，基座内部镶嵌有加热嵌件，基座上端面设有限位框，限位框平行于基座设置，限位框的下端面贯穿基座到达基座下方，限位框内底壁通过若干第一固定架分别固定连接有固定环，每一个固定环上固定连接有连接绳的一端，连接绳的另一端固定连接在同一个转动轴上，转动轴水平设置，转动轴的一端固定连接有电机的输出端，电机通过第二固定架固定连接在基座下端面上，转动轴的另一端贯穿第三固定架到达第三固定架的另一侧，限位框与基座上端面形成置物槽，置物槽内部放置有待处理物。
优选的，待处理物下方对称设有若干支撑杆，支撑杆螺纹连接在基座上。
优选的，固定环的数量为2-4个。
优选的，待处理物通过遮蔽框限位固定在置物槽内。
优选的，转动轴远离电机的一端固定连接有限位板。
本实用新型提出的一种化学气相沉积装备用基座，有益效果在于：本实用新型装置中设置的基座以及配合设置的遮蔽框、限位框，能够达到减少现有的遮蔽框的接触部位不成膜而发生电路接触不良的情况。
本装置中设置的固定环、连接绳、转动轴、电机、第三固定架和限位板能够对限位框进行自动调节，能够根据待处理物的实际厚度进行调整限位框的高度，适应性强。
本实用新型能够提高制作效率，提高产品品质，很好的解决了现有技术中被处理物的边沿尖锐部分不成膜，在后续工艺中会产生缺陷，导致质量不过关的缺点。
附图说明
图1为本实用新型的基座立体结构示意图。
图2为化学气相沉积装备反应箱的结构示意图。
图3为本实用新型基座的剖面的结构示意图。
图中：1-反应箱，2-真空腔室，3-扩散器，4-扩散器固定装置，5-基座，6-加热嵌件，7-待处理物，8-遮蔽框，9-支撑杆，10-固定环，11-限位框，12-置物槽，13-电机，14-转动轴，15-连接绳，16-限位板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。
参照图1-3，一种化学气相沉积装备用基座，包括反应箱1，反应箱1内部形成真空腔室2，真空腔室2内顶壁通过扩散器固定装置4固定连接有扩散器3，扩散器3正下方设有基座5，基座5内部镶嵌有加热嵌件6，基座5上端面设有限位框11，限位框11平行于基座5设置，限位框11的下端面贯穿基座5到达基座5下方，限位框11内底壁通过2个第一固定架分别固定连接有固定环10，每一个固定环10上固定连接有连接绳15的一端，连接绳15的另一端固定连接在同一个转动轴14上，转动轴14水平设置，转动轴14的一端固定连接有电机13的输出端，电机13通过第二固定架固定连接在基座5下端面上，转动轴14的另一端贯穿第三固定架到达第三固定架的另一侧，转动轴14远离电机13的一端固定连接有限位板16，限位框11与基座5上端面形成置物槽12，置物槽12内部放置有待处理物7。
待处理物7下方对称设有若干支撑杆9，支撑杆9螺纹连接在基座5上。
待处理物7通过遮蔽框8限位固定在置物槽12内。
工作原理：将待处理物7放置在置物槽12内，接通电机13电源，根据待处理物7的厚度控制电机13的转动，进而控制，限位框11位于基座5上方的高度，调整完成，将遮蔽框8放置在限位框11上方，对待处理物7进行周边固定，控制加热嵌件6的加热以及扩散器3对待处理物7的蚀刻加工，加工完成后，取出遮蔽框8然后利用支撑杆9将待处理物7取出。
本装置中设置的基座以及配合设置的遮蔽框、限位框，能够达到减少现有的遮蔽框的接触部位不成膜而发生电路接触不良的情况。
本装置中设置的固定环、连接绳、转动轴、电机、第三固定架和限位板能够对限位框进行自动调节，能够根据待处理物的实际厚度进行调整限位框的高度，适应性强。
以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。