磁控溅射镀膜设备中用于抑制平面阴极打弧的组件的制作方法

本实用新型涉及玻璃生产技术领域，具体涉及一种磁控溅射镀膜设备中用于抑制平面阴极打弧的组件。

背景技术：

Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性。

LOW-E玻璃采用真空磁控溅射设备进行镀膜，部分金属靶材使用平面阴极进行溅射，但是在正常溅射过程中往往因为靶材表面结渣或者绝缘击穿，造成靶位电压瞬间向下波动50-100V左右，使靶位下的玻璃产生色差，导致玻璃报废。

技术实现要素：

本实用新型提供一种磁控溅射镀膜设备中用于抑制平面阴极打弧的组件。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种磁控溅射镀膜设备中用于抑制平面阴极打弧的组件，其中，所述平面阴极包括阴极盖板、阴极体以及嵌设于所述阴极体内的平面靶材，所述阴极体位于所述阴极盖板和待镀膜玻璃之间，所述平面靶材正对所述待镀膜玻璃，所述阴极盖板位于所述阴极体的正上方且所述阴极盖板和所述阴极体之间通过绝缘柱相分隔开，所述阴极盖板和电源的正极相连，所述阴极体和所述电源的负极相连，所述阴极盖板和所述阴极体之间形成电位差，用于抑制所述平面阴极打弧的组件包括电容组，所述电容组的一端与所述电源正极和所述阴极盖板分别相连，所述电容组的另一端与所述电源负极和所述阴极体分别相连，所述电容组包括相互并联的多个电容。

进一步的，所述电容组包括相互并联的四个电容。

进一步的，所述电容的耐压等级为3KV。

进一步的，每个所述电容的容量均为16μF。

进一步的，所述阴极盖板的下方设有支撑件。

进一步的，所述阴极盖板和所述阴极体上分别设有导电柱，所述电源通过导电线与所述导电柱相连，所述阴极体上的所述导电柱穿过所述阴极盖板，所述阴极体上的所述导电柱上套设有绝缘套管。

进一步的，所述阴极体呈板状，所述阴极体、所述阴极盖板和所述待镀膜玻璃均相互平行。

采用以上技术方案后，本实用新型与现有技术相比具有如下优点：本实用新型通过优化所设置的电容数量和每个电容的容量，利用电容的储能特性来补偿电压的瞬间向下波动，当正常工作时，电容处于充电储能状态，当靶位出现电压波动时，电容释放电能，对靶位损耗的电能进行补偿，进而抑制电压的下降，避免出现打弧现象。

附图说明

附图1为本实用新型中平面阴极与电容组相配合的轴测图；

附图2为本实用新型中平面阴极与电容组相配合的侧视图；

附图3为本实用新型中平面阴极与电容组相配合的电路图。

其中，

1、阴极盖板；2、阴极体；3、绝缘柱；4、支撑件；5、电容组；51、电容；6、导电柱；7、绝缘套管；8、电源。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

如图1至图3所示，磁控溅射设备中，平面阴极包括阴极盖板1、阴极体2以及嵌设于阴极体2内的平面靶材（图中未标示），阴极体2位于阴极盖板1和待镀膜玻璃（图中未标示）之间，平面靶材正对待镀膜玻璃，阴极盖板1位于阴极体2的正上方，阴极盖板1和阴极体2之间通过绝缘柱3相分隔开，待镀膜玻璃位于阴极体2的正下方。阴极体2呈板状，阴极体2、阴极盖板1和待镀膜玻璃均相互平行。阴极盖板1的下方设有支撑件4，支撑件4用以将阴极盖板1撑立于阴极体2上方。阴极盖板1和电源8的正极相连，阴极体2和电源8的负极相连，阴极盖板1和阴极体2之间形成电位差。

具体的，阴极盖板1和阴极体2上分别设有导电柱6，电源8通过导电线与导电柱6相连，阴极体2上的导电柱6穿过阴极盖板1且该导电柱6上套设有绝缘套管7，绝缘套管7用以将阴极体2上的导电柱6与阴极盖板1相分隔开。

一种磁控溅射镀膜设备中用于抑制平面阴极打弧的组件，包括电容组5，电容组5的一端与电源8正极和阴极盖板1分别相连，电容组5的另一端与电源8负极和阴极体2分别相连，电容组5包括相互并联的多个电容51。电容51的耐压等级和容量要达到系统要求。本实施例中，电容组5包括相互并联的四个电容51，电容51的耐压等级为3KV，每个电容51的容量均为16μF。参见附图3所示为本实用新型中平面阴极与电容组5相配合的电路图。

通过优化所设置的电容51数量和每个电容51的容量，利用电容51的储能特性来补偿电压的瞬间向下波动，当正常工作时，电容51处于充电储能状态，当靶位出现电压波动时，电容51释放电能，对靶位损耗的电能进行补偿，进而抑制电压的下降，避免出现打弧现象。

上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。