掩模、掩模套件、制膜方法以及制膜装置与流程

本发明涉及图案形成用掩模和掩模套件。并且，本发明涉及使用了掩模的制膜方法和制膜装置。

背景技术：

对于触摸面板用导电性膜、显示装置用基板等而言，在基板上设置有多个薄膜，各个薄膜被图案化成不同的形状。作为将图案化层向基材上形成的方法，通常是在形成薄膜后利用光刻等进行图案化的方法。

利用光刻的图案化在图案的精度上比较优异，但需要多个工序，从而生产率、成品率较低，成为制造成本增加的因素。另外，在反复进行薄膜的形成和图案化来形成图案形状不同的多个层的情况下，在利用蚀刻去除薄膜时，存在设置于蚀刻对象的薄膜之下的层由于蚀刻液而受到损伤的情况。

公知有在利用掩模覆盖基板的状态下进行制膜，由此选择性地使薄膜堆积于掩模的开口下的基板上，而形成图案化层的方法。例如，在专利文献1中，公开有一种使用把在一个面设置有粘结层的片穿设为规定图案而形成了开口的掩模，通过真空制膜来形成图案化层的方法。这样的可挠性的掩模也可以应用于基于辊对辊的真空制膜，因此能够期待图案状的薄膜形成的低成本化。

专利文献1：日本特开2006-263685号公报

如专利文献1所记载的那样，若在基板上经由粘结层粘贴掩模，则不会产生基板与掩模的位置偏离，因此期待图案化精度的提高。然而，将在专利文献1所公开掩模粘贴于基板上并通过溅射法等形成薄膜后，若从基板将掩模剥离去除，则存在以下情况，即，在掩模的开口的内周缘附近堆积于基板上的薄膜剥离而与掩模一起从基板上被去除。另外，有时若在预先形成了其他薄膜的基板上粘贴掩模来形成薄膜，则在从基板上将掩模剥离去除时，预先设置于基板上的薄膜与掩模一起从基板被剥离去除。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本发明的目的在于提供一种能够抑制从基板上去除掩模时的薄膜的剥落等不良情况的可挠性的掩模。

本发明的掩模具备设置有与形成于被制膜基板上的薄膜的图案形状对应的开口的可挠性的掩模基材。掩模基材的作为与被制膜基板的对置面的第一主面具有粘接性。在掩模基材的第一主面，沿着开口的外周缘，设置有对被制膜基板不具有粘接性的外周非粘接区域。

也可以在掩模基材的第一主面可剥离地贴设有脱模膜。也可以在掩模基材的第二主面可剥离地贴设有支承基材。

也可以通过使用掩模套件，在被制膜基板上将开口设置于掩模基材来形成上述的掩模。掩模套件具备掩模基材和支承基材。掩模基材的作为与被制膜基板的对置面的第一主面对被制膜基板具有粘接性。支承基材可剥离地贴设于掩模基材的第二主面侧。

在掩模基材，沿着与形成于被制膜基板上的薄膜的图案形状对应的开口形成部的外周缘，沿整个厚度方向设置有切断线。在掩模基材的第一主面，第一开口形成部对被制膜基板不具有粘接性。掩模套件也可以包含多个掩模基材。通过分别在多个掩模基材设置切断线，从而能够使用一个掩模套件来形成图案形状不同的多个薄膜。

通过使用本发明的掩模或掩模套件来对薄膜进行制膜，能够期待图案精度的提高。另外，通过使用本发明的掩模或掩模套件，能够通过辊对辊工艺在基板上形成具有各种图案形状的薄膜，因此能够期待生产率的提高。

附图说明

图1是一个实施方式的掩模的俯视图。

图2是图1的a-a线处的剖视图。

图3a是表示图2的掩模的使用方式的图。

图3b是表示图2的掩模的使用方式的图。

图3c是表示图2的掩模的使用方式的图。

图3d是表示图2的掩模的使用方式的图。

图3e是表示图2的掩模的使用方式的图。

图4是图1的a-a线处的剖视图。

图5是一个实施方式的掩模套件的剖视图。

图6a是表示图5的掩模套件的使用方式的图。

图6b是表示图5的掩模套件的使用方式的图。

图6c是表示图5的掩模套件的使用方式的图。

图7是一个实施方式的掩模套件的剖视图。

图8是一个实施方式的掩模套件的俯视图。

图9是图8的a-a线处的剖视图。

图10a是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10b是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10c是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10d是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10e是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10f是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图10g是表示图9的掩模套件的使用方式的图。

图11是一个实施方式的制膜装置的结构图。

具体实施方式

[掩模的结构]

图1是本发明的一个实施方式的掩模的俯视图。图1所示的掩模100是沿着x方向设置有多个开口的长条掩模。在掩模区域70，沿着开口11的外周缘设置有非粘接区域71。

图2是图1的掩模100的a-a线处的剖视图，图2的下侧为与被制膜基板的对置面。图4也是图1的a-a线处的剖视图，并图示有与图2不同的方式的掩模104。图3a～e是表示使用图2的掩模100在被制膜基板1上形成图案状的薄膜111的工序的示意图。

掩模基材30的作为与被制膜基板1的对置面的第一主面对被制膜基板具有粘接性。图2所示的掩模基材30通过在基材膜31的第一主面设置有粘结层32，从而具有与基板的粘接性。在掩模基材30的第一主面上可剥离地贴设有脱模膜39，在掩模基材30的第二主面上可剥离地贴设有支承基材50。

在掩模基材30设置有开口11。开口11的形状与在基板上形成的薄膜111的图案形状对应。在图1中，设置有矩形状的开口11，但不特别地限定开口的形状。开口11例如通过将膜等面状的掩模基材切断并去除与开口对应的区域而设置。

在图2所示的方式中，在掩模基材30的第一主面，在沿着开口11的外周缘的外周非粘接区域71没有设置粘结层32。因此，如图3c所示在基板1上粘贴掩模基材30时，外周非粘接区域71对基板1不具有粘接性。

基材膜31只要具有可挠性就不特别地限定其材料，使用有金属箔、树脂膜等。材料廉价，加工性优异，并且能够减少与被制膜基板接触时的损伤，因此作为基材膜，优选可挠性树脂膜。作为可挠性树脂膜的树脂材料，能够列举有聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃类、聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯类等。从膜的强度、耐热性以及尺寸稳定性等观点出发，优选基材膜31为双轴拉伸膜。在对掩模要求高耐热性的情况下，作为可挠性膜的树脂材料，也可以使用聚酰亚胺等高耐热材料。

掩模基材30可以透明也可以不透明。不特别地限定掩模基材30的厚度。从兼顾自支承性和可挠性的观点出发，优选掩模基材30的厚度为10～100μm左右。在通过辊对辊方式进行向被制膜基板1上形成薄膜111的情况下，优选掩模基材30的厚度小于基板1的厚度。

粘结层32能够粘贴于基板1，并且只要在薄膜形成后能够从基板1剥离即可，可以由通常的粘结胶带等所使用的粘结剂构成。作为掩模基材30，也可以使用将基材膜31用的树脂材料和粘结层32用的树脂材料通过多层挤压而一体成型后而成的自粘结性膜。作为掩模基材30若使用将基材膜31和粘结层32一体成型后的膜，则在从基板1剥离掩模基材后的时候，难以对基板1产生粘结剂残留物，从而能够提高带薄膜基板的品质。

作为粘结层32，也可以使用通过加热、uv照射等使粘接力降低的材料。在该情况下，在基板1上形成薄膜时，通过使基板1与掩模基材30稳固地粘接并在薄膜形成后使粘接力降低，从而能够容易地从基板1的表面剥离掩模基材30。

作为在开口11的外周设置外周非粘接区域71的方法，能够列举有预先将图案化的粘结片贴设于基材膜31的方法、在基材膜31上的区域71上以不设置粘结层的方式涂敷(印刷)粘结层的材料的方法、以及在基材膜31上的整个面设置粘结层后去除区域71上的粘结层的方法等。也可以将通过加热、uv照射等使粘接力降低的材料作为粘结层32来设置在基材膜31上的整个面，之后通过使区域71上的粘结层的粘接力降低，从而形成非粘接区域。

如图4所示，也可以在区域71的粘结层32上设置包覆部件35，以便区域71的粘结层32不与基板1粘接。此外，在图4中，在掩模基材30的第二主面上没有设置支承基材，但即使在区域71设置包覆部件35来作为非粘接区域的方式中，也可以与图2所示的方式同样地在掩模基材的第二主面上粘贴接合有支承基材50。

作为掩模基材30，在使用将基材膜31与粘结层32一体成型而成的膜的情况下，局部地去除区域71的粘结层并不容易。因此，优选通过在粘结层32上贴设包覆部件35，从而沿着开口11的外周缘设置外周非粘接区域71。将包覆部件35贴设于在基材膜的表面一体成型有粘结层的自粘结膜的规定区域71的方法不需要向基材上形成粘结层、粘结层的图案化作业，因此材料廉价，并且能够使掩模的形成工序简单化。

对于包覆部件35而言，只要第一主面能够与掩模基材30的粘结层32粘接，并且作为第一主面的相反面的第二主面不与被制膜基板1粘接即可。例如，也可以将在单面具备粘结层的自粘结膜以粘结面与掩模基材30对置的方式配置来粘贴。

通过在掩模基材30的第一主面上贴设脱模膜39，能够保护与基板1粘贴前的粘结层32。通过在掩模基材30的第二主面上贴设支承基材50，能够保护掩模基材30的表面。另外，通过在掩模基材30的第二主面上设置支承基材50，即使在掩模基材30的开口11的面积较大的情况下，也能够保持掩模的自支承性，因此能够稳定地实施掩模与基板1的贴合。另外，由于通过设置有支承基材50，使开口11的形状稳定，因此能够提高在基板1上形成的薄膜111的图案精度。

脱模膜39和支承基材50只要是可挠性的就不特别地限定其材料。脱模膜39也可以在作为与掩模基材30的对置面的第二主面施行脱模处理。通过在脱模膜39的表面施行脱模处理，由此从掩模基材30进行剥离变得容易。对于支承基材50而言，优选在作为与掩模基材30的对置面的第二主面设置有粘结层52。通过在支承基材50的表面设置粘结层52，从而相对于掩模基材30的相对位置的固定变得容易，即使在开口11的面积较大的情况下，也能够恒定地保持开口的形状。作为支承基材50，也可以使用与掩模基材30同样的膜材料。

[使用了掩模的薄膜的形成]

图3a～e是表示使用图2的掩模100在被制膜基板1上形成图案状的薄膜111的工序的示意图。被制膜基板1可以是刚性基板也可以是可挠性基板。由于通过辊对辊方式能够连续地制膜，因此优选可挠性基板。也可以在被制膜基板1的表面预先设置有其他的薄膜。

在掩模基材30的第一主面设置有脱模膜39的情况下，首先剥离脱模膜，使掩模基材30的粘结层32露出(图3a)。此时，如果在掩模基材30的第二主面设置有支承基材50，则在将脱模膜39剥离后，也会维持掩模的自支承性，因此能够使开口11的形状稳定化。

将掩模基材30的第一主面贴设于被制膜基板1上(图3b)。此时，通过被设置于掩模基材30的第一主面的粘结层32，掩模基材30在被制膜基板1上的位置被固定。因此，即使如辊对辊工艺那样，在一边使基板移动一边进行制膜的情况下，也能够恒定地维持基板1与掩模基材30的相对位置。在掩模的开口11的外周缘部的非粘接区域71，掩模基材与基板抵接，但两者为非接合状态。在掩模基材30的第二主面设置有支承基材50的情况下，支承基材50的粘结层52与基板1也可以在设置了开口11的区域粘贴。

通过剥离去除在第二主面贴设的支承基材50，从而基板1在开口11下露出(图3c)。为了边维持掩模基材30粘贴于基板1上的状态，边容易地进行支承基材50的剥离，优选基板1与掩模基材30的粘结层32的粘接力大于掩模基材30的第二主面与支承基材50的粘结层52的粘接力。例如，作为掩模基材30的粘结层32，只要通过使用与支承基材50的粘结层52相比粘接力高的材料，从而相对地提高基板1与粘结层32的粘接力即可。另外，也可以通过将掩模基材30的粘结层32的厚度设为大于支承基材50的粘结层52的厚度，从而提高粘结层32的粘接力。在基板1的材料对粘结层32具有较高的粘接性的情况下，掩模基材30的粘结层32的粘接力与支承基材50的粘结层52的粘接力也可以同等。也可以通过对掩模基材30的第二主面进行脱模处理，从而使掩模基材30的第二主面与粘结层52的粘接力相对地降低。

若在基板1在掩模的开口11下露出的状态下通过溅射法等进行制膜，则薄膜111堆积于在开口11下露出的基板1上(图3d)。在掩模区域70，薄膜在掩模基材30上堆积，因此薄膜没有在基板1上堆积。薄膜也可以在掩模基材30的开口壁面堆积。

在对薄膜进行制膜后，通过从基板1上剥离去除掩模，获得带薄膜基板301(图3e)，该带薄膜基板301在基板1上的规定区域(与掩模的开口11对应的区域)设置图案状的薄膜111。在沿着掩模的开口11的外周缘的非粘接区域71，掩模与基板1抵接，因此在基板1上没有形成薄膜。另一方面，在非粘接区域71中，基板1与掩模没有接合，因此在从基板1上剥离去除掩模时，能够抑制在掩模基材30的开口11的外周或其附近施加较大的力、向剥离界面施加不均匀的力。因此，在掩模的剥离去除时，薄膜111沿着开口壁面被切断，难以产生在基板上堆积的薄膜的剥离、因在掩模区域上堆积的膜的剥离而导致的向基板上的膜残留。这样，通过沿着掩模的开口11的外周缘设置非粘接区域，从而能够防止在从基板1剥离掩模时的膜剥落、膜残留，因此图案精度提高。

通过在掩模开口11的外周缘部设置非粘接区域71，从而在从基板1剥离去除掩模时，抑制在开口11的外周或其附近施加较大的力、向剥离界面施加不均匀的力，因此在薄膜111的制膜之前在基板1的表面设置有其它的薄膜的情况下，也能够防止由粘结层32引起的在基板1的表面设置的薄膜的剥离。在预先设置于基板1的表面的薄膜为图案状的情况下，若将预先设置有薄膜的区域作为非粘接区域，则能够更可靠地防止由粘结层引起的薄膜的剥离。

[掩模套件]

在图3a～e中，示出了将预先设置了开口11的掩模基材30粘贴在被制膜基板1上来对薄膜进行制膜的例子，但也可以使用掩模套件，在被制膜基板1上，将开口11设置于掩模基材30来形成掩模。

图5是用于在被制膜基板上进行粘贴后设置与薄膜的图案形状对应的开口来形成掩模的掩模套件的一个方式的剖视图。图5所示的掩模套件105与图2所示的掩模100同样地，在掩模基材530的第一主面上可剥离地贴设有脱模膜39，在掩模基材530的第二主面上可剥离地贴设有支承基材50。对于掩模套件105而言，没有在掩模基材530设置开口，而沿着与形成于基板1上的薄膜111的图案形状对应的开口形成部511的外周设置有切断线311，在这一点上，与图2所示的掩模100不同。

切断线311以包围开口形成部511的方式遍及掩模基材530的整个厚度方向地设置。因此，对掩模基材530而言，开口形成部511(被切断线311包围的区域)能够与开口形成部511的外侧的掩模区域70分离。在掩模套件105中，由于在掩模基材530上粘贴有支承基材50，因此，对于掩模基材530而言，由切断线311包围的开口形成部与切断线311的外侧的区域的一体性被保持。

不特别地限定对掩模基材530设置切断线311的方法。例如，在掩模基材530的第二主面贴设支承基材50的状态下，只要从掩模基材530侧，利用切断刀具、激光切割机等，进行掩模基材530与支承基材50的层叠体的半切割，从而形成切断线即可。此时，存在也在支承基材50的第一主面侧(掩模基材的贴付面)形成切断线的情况，如果没有沿支承基材50的整个厚度方向形成切断线的话，也没有特别的问题。也可以在通过半切割在掩模基材530形成切断线311后，将掩模基材530上的支承基材贴换为另外的基材。

在掩模基材530的第一主面设置有粘结层32，并构成为能够与基板1粘贴。在掩模基材530的开口形成部511的整体没有设置粘结层，而形成对于基板1的非粘接区域。如图5所示，沿着开口形成部511的外周缘的区域71也可以是对于基板1的非粘接区域。

图6a～c是表示在被制膜基板1上粘贴掩模套件105，之后从掩模基材530剥离支承基材50并且去除开口形成部511的掩模基材535来形成开口11的情形的工序示意图。在图5和图6a～c中，被制膜基板1、支承基材50以及脱模膜39的结构以及材料等与使用图2和图3a～c所示的掩模100的方式相同，因此省略这些的详细说明。另外，掩模基材530的基材膜31以及粘结层32与掩模100的基材膜31以及粘结层32相同，因此也省略这些的详细说明。

在掩模基材530的第一主面设置有脱模膜39的情况下，首先剥离脱模膜，使掩模基材530的粘结层32露出(图6a)。其后，将掩模基材530的第一主面粘贴于被制膜基板1上(图6b)。开口形成部511(以及沿着其外周缘的区域71)为非粘接区域，掩模基材530与基板1抵接，但两者为非接合状态。

在被制膜基板1粘贴掩模套件，之后将贴设于掩模基材530的第二主面的支承基材50剥离去除(图6c)。与图3c所示的方式同样，为了边维持掩模基材530粘贴于基板1的状态，边容易地进行支承基材50的剥离，优选基板1与掩模基材530的粘结层32的粘接力大于掩模基材530的第二主面与支承基材50的粘结层52的粘接力。

如上述那样，在掩模基材530的第一主面，开口形成部511(由切断线311包围的区域)是对于基板1的非粘接区域。另一方面，通过粘结层52将掩模基材530的第二主面的整个面粘贴于支承基材50。因此，在开口形成部511，掩模基材530的第一主面与基板1的粘接力实质上为零，比掩模基材530的第二主面与支承基材50的粘结层52的粘接力小。

若将贴设于掩模基材530的第二主面的支承基材50在掩模基材530与粘结层52的界面处剥离，则在掩模区域70，边维持掩模基材530粘贴于基板1上的状态，边从掩模基材530剥离支承基材50。在沿着开口形成部511的外周缘的区域71掩模基材530的第一主面与基板1未接合的情况下，在其外周的区域掩模基材530也与基板1接合，因此区域71的掩模基材530残存于基板1上。开口形成部511的掩模基材535通过切断线与掩模基材530的粘接区域536分离，因此与支承基材50一起从基板1上被去除。因此，如图6c所示，基板1上的没有设置掩模基材530的区域成为开口11。

这样，支承基材50的剥离去除的同时，在掩模基材30设置开口11，之后通过与图3d以及图3同样地形成薄膜，并从基板1剥离去除掩模，从而获得带薄膜基板，该带薄膜基板在与开口形成部对应的区域设置图案状的薄膜。在沿着掩模开口11的外周缘的区域71为非粘接区域的情况下，防止从基板1剥离去除掩模时的膜剥落、膜残留，从而能够提高图案精度。

在掩模套件中，将开口形成部511以及沿着其外周缘的区域71形成为非粘接区域的方法不限定于在掩模基材530没有设置粘结层的方法。例如，也可以将通过加热、uv照射等使粘接力降低的材料作为粘结层32来设置于基材膜31上的整个面，之后通过使开口形成部511以及沿着其外周缘的区域71的粘结层的粘接力降低，从而形成非粘接区域。

也可以如图7所示的掩模套件107那样，通过在开口形成部711粘贴包覆部件735来设置非粘接区域。为了可靠地包覆开口形成部的整体，优选包覆部件735也设置于沿着开口形成部的外周缘的区域71。在包覆部件735也设置于区域71的情况下，优选在包覆部件735与掩模基材530同样地沿着开口形成部的外周缘，沿整个厚度方向设置有切断线371。通过在包覆部件35设置切断线371，从而在从掩模基材530的第二主面剥离去除支承基材50时，由于在开口形成部711去除粘贴于支承基材50的掩模基材530以及粘贴于掩模基材的包覆部件735，因此形成开口11并使基板1露出。

[多层图案化]

通过使用上述的掩模或掩模套件，能够在基板上形成图案化的薄膜。通过使用开口的形状不同的多个掩模，来反复实施掩模向基板上的附设(或在使用了掩模套件的基板上的掩模的形成)、薄膜向在开口下露出的基板的形成、以及掩模从基板上的去除，由此能够在基板上形成具备图案形状不同的多个薄膜的多层膜。通过沿着掩模的开口的外周缘设置非粘接区域，从而在形成多层膜的情况下，在从基板剥离掩模时也能够抑制被在先制膜的薄膜从基板的剥离。

[多层图案化用掩模套件]

通过上述的掩模套件的应用，也能够使用一个掩模套件来形成图案形状不同的多个薄膜。图8是多层图案化用掩模套件的俯视图。图9是图8的掩模套件108的a-a线处的剖视图。

掩模套件108在第一开口形成部811的内周具有第二开口形成部812。即，第二开口形成部812为设置于第一开口形成部811的内部的区域。与图5所示的掩模套件105同样地，图9的剖视图所示的掩模套件108在掩模基材830的第一主面上可剥离地贴设有脱模膜39，在掩模基材830的第二主面侧可剥离地贴设有支承基材50。对于掩模套件108而言，在第一掩模基材830与支承基材50之间配置有设置了第二切断线412的第二掩模基材840，在这一点上，与图5所示的掩模套件105不同。

在第一掩模基材830以包围第一开口形成部811的方式形成有第一切断线311。并且，以包围位于第一开口形成部811的内侧的第二开口形成部812的方式形成有第二切断线312。第一切断线311和第二切断线312均遍及第一掩模基材830的整个厚度方向地设置。因此，对掩模基材830而言，第二开口形成部812(被第二切断线312包围的区域)、第一开口形成部内811内并且第二开口形成部812的外侧的区域75(第一切断线311与第二切断线312之间的区域)、以及第一开口形成部811的外侧的区域70这三个区域能够分离。

在第二掩模基材840以包围第二开口形成部812的方式形成有第二切断线412。第二切断线412遍及第二掩模基材840的整个厚度方向地设置。第一掩模基材830的第二切断线312和第二掩模基材840的第二切断线412在俯视掩模套件108的情况下设置于同一位置。即，切断线312和切断线412设置为在同一直线上延伸。

作为第二掩模基材840，与支承基材50以及第一掩模基材830同样地优选使用在基材膜41的第一主面设置有粘结层42的可挠性膜。优选第二掩模基材840在第一主面的整个面设置有粘结层42。

优选第一掩模基材830的第二主面与第二掩模基材840的粘结层42的粘接力大于第二掩模基材840的第二主面与支承基材50的粘结层52的粘接力。优选基板1与第一掩模基材830的粘结层32的粘接力大于第一掩模基材830的第二主面与第二掩模基材840的粘结层42的粘接力。通过以从基板1侧朝向支承基材50侧粘接力逐渐变小的方式调整各层的粘接强度，从而如图10a～图10g所示，一边依次剥离支承基材50、第二掩模基材840、以及第一掩模基材830，一边形成图案形状不同的薄膜变得容易。

在掩模基材830、840设置切断线的方法没有特别地限定。例如，只要在向支承基材50的第一主面上粘贴了第二掩模基材840与第一掩模基材830的层叠体的状态下，从掩模基材830侧进行半切割，在掩模基材830形成第一切断线即可。此时，有在第二掩模基材840的第一主面侧也形成第一切断线的情况，但只要没有沿第二掩模基材840的整个厚度方向形成第一切断线就没有特别的问题。第二切断线312、412也能够通过半切割形成。如果以贯通第一掩模基材830以及第二掩模基材840的方式进行半切割，那么能够形成在同一直线上延伸的第二切断线312、412。此时，有在支承基材50的第一主面侧也形成第二切断线的情况，但只要没有沿支承基材50的整个厚度方向形成第一切断线就没有特别的问题。也可以在通过半切割形成切断线311后，将粘贴于第二掩模基材540的支承基材贴换为另外的基材。

在第一掩模基材830的第一主面设置有粘结层32，并构成为能够与基板1粘贴。第一掩模基材830的第一开口形成部811的整体是对于基板1的非粘接区域。如图9所示，沿着第一开口形成部811的外周缘的区域71也可以是对于基板1的非粘接区域。在图9中，通过在第一掩模基材830的第一主面没有将粘结层32设置于第一开口形成部811和区域17而形成非粘接区域，但非粘接区域的形成方法没有特别地限定。

例如，在第一掩模基材830的整个面形成有粘结层32的情况下，也可以在第一开口形成部811(第一切断线311的内侧的区域)的粘结层32粘贴包覆部件，来将第一开口形成部形成为非粘接区域。在包覆部件也设置于区域71的情况下，优选与图7所示的方式同样地在包覆部件中沿着第一开口形成部的外周缘沿整个厚度方向设置有切断线。

图10a～图10g是表示在被制膜基板1上粘贴掩模套件108，之后从第二掩模基材540剥离支承基材50来形成开口12，从第一掩模基材530剥离第二掩模基材540来形成开口11，在各个开口形成薄膜的情形的工序示意图。以下，对于与在使用掩模100和掩模套件105的方式中说明的事项重复的事项，省略详细的记载。

在第一掩模基材830的第一主面设置有脱模膜39的情况下，首先剥离脱模膜，使掩模基材830的粘结层32露出(图10a)。其后，将第一掩模基材830的第一主面粘贴于被制膜基板1上(图10b)。第一开口形成部811、第一开口形成部811的内侧的第二开口形成部812、以及沿着第一开口形成部811的外周缘的区域71为非粘接区域，第一掩模基材830与基板1为非接合。

若将贴设于第二掩模基材840的第二主面的支承基材50在第二掩模基材840与粘结层52的界面处剥离，则在第二切断线312、412的外侧(第二开口形成部812的外侧)，边维持第一掩模基材830以及第二掩模基材840贴设于掩模基材1上的状态，边剥离支承基材50。在第二开口形成部812中，第二掩模基材840经由粘结层52粘贴于支承基材50，第一掩模基材830经由粘贴层42粘贴于第二掩模基材840，但第一掩模基材830与基板1不接合。因此，如图10c所示，将第二切断线412的内侧的区域的第二掩模基材844以及第二切断线312的内侧的区域的第一掩模基材834与支承基材50一起从基板1去除。因此，基板1上的没有设置掩模基材830、840的区域成为第二开口12。

这样，在设置了第二开口12的掩模基材粘贴于基板1上的状态下，若通过溅射法等进行制膜，则第二薄膜112堆积于在开口12下露出的基板1上(图10d)。在开口12的外侧的区域，由于薄膜堆积于第二掩模基材840上，因此薄膜没有堆积于基板1上。

在对第二薄膜112进行制膜后，若将贴设于第一掩模基材830的第二主面的第二掩模基材840在第一掩模基材830与粘结层42的界面处剥离，则在第一切断线311的外侧(第一开口形成部811的外侧)的区域70，边维持第一掩模基材830粘贴于基板1上的状态，边剥离第二掩模基材840。在第一切断线311的内侧的区域75，由于第一掩模基材835与基板1为非接合，因此如图10e所示，将粘贴于第二掩模基材840的第一掩模基材835与第二掩模基材840一起从基板1上去除。由此，区域75的基板1露出，第一开口11被设置出。

这样，若在将设置了第一开口11的掩模基材粘贴于基板1上的状态下，通过溅射法等进行制膜，则第一薄膜堆积于开口11的在第二开口形成部812下露出的第二薄膜112上以及在其外周的区域75露出的基板1上(图10f)。在掩模区域70，由于薄膜堆积于第一掩模基材830上，因此薄膜没有堆积于基板1上。

在对第二薄膜进行制膜后，通过从基板1上剥离去除掩模，由此获得带多层图案化薄膜基板801(图10g)，该带多层图案化薄膜基板801被形成为：在与掩模套件的第二开口形成部812对应的区域设置图案状的第二薄膜112，并以覆盖第二薄膜112的方式，在与掩模套件的第一开口形成部811对应的区域设置图案状的第一薄膜111。

这样，通过使用层叠多个掩模基材而成的掩模套件，能够用一个套件形成不同形状的掩模开口。因此，不需要在形成图案形状不同的多个层时的位置对准，能够提高制造效率并且提高位置对准精度。

在图9以及图10a～图10g中示出了使用层叠了两层掩模基材840、830而成的掩模套件，在支承基材50依次设置形状不同的两种的开口12、11的方式。通过使用层叠了三层以上的掩模基材而成的掩模套件，也能够依次设置三种以上的形状不同的开口。

[薄膜的形成方法]

如上述的那样，本发明的掩模以及掩模套件用于具有各种图案形状的薄膜的形成。薄膜的材料没有特别地限定，能够列举有机材料、无机材料、金属材料等。薄膜可以是导电性，可以是绝缘性，也可以是半导体。

薄膜的形成方法只要是干法工艺就不特别地限定，可以应用真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等pvd法、各种cvd法。另外，也可以组合多个制膜方法来形成多层薄膜。由于本发明的掩模以及掩模套件采用可挠性基材，因此也能够应用于辊对辊工艺。

在使用本发明的掩模从而通过辊对辊工艺来形成图案化的薄膜的情况下，首先一边分别使基板以及掩模移动，一边通过辊对辊工艺在基板上连续地粘贴掩模。一边使基板与掩模的层叠体移动，一边通过辊对辊进行在制膜装置的薄膜的形成。其后，一边使基板与掩模的层叠体移动一边从基板剥离掩模，将基板卷取，获得形成有图案状的薄膜的基板的卷绕体。

也可以在基板与掩模的粘贴后、进行制膜前，将基板与掩模的层叠体暂时卷取为卷状。另外，也可以在将薄膜制膜在基板与掩模的层叠体上之后、从基板剥离掩模之前，将层叠体暂时卷取为卷状。也可以在制膜装置的轧制线上，连续地实施基板与掩模的粘贴、制膜、以及掩模从基板的剥离。

在使用本发明的掩模套件来通过辊对辊工艺形成图案化的薄膜的情况下，首先一边分别使基板以及掩模套件移动，一边通过辊对辊工艺在基板上连续地粘贴掩模套件。一边使该层叠体移动，一边剥离支承基材50而使基板1在开口下露出。之后，与使用掩模的情况同样地，进行基于辊对辊的制膜以及掩模的剥离，获得形成了图案状的薄膜的基板的卷绕体。在这些各工序之间，可以将层叠体暂时卷取为卷状，也可以连续地实施各工序。

在使用具备如图9所示的开口形成部的形状不同的多个掩模基材的掩模套件的情况下，只要通过在薄膜形成后剥离掩模基材来设置不同形状的开口之后形成另外的薄膜，从而形成具备图案形状不同的多个薄膜的多层膜即可。在制膜装置内设置有多个制膜源的情况下，通过在一个制膜源与其它的制膜源之间的轧制线剥离掩模基材，从而能够在从基材的卷出到卷取为止的一次轧制中形成图案形状不同的多个薄膜。

图11示出用于在一次轧制中形成图案形状不同的多个薄膜的制膜装置的构造例。对该制膜装置200而言，在两个制膜室282、281分别设置有制膜辊292、291，并与制膜辊292、291对置地配置有作为制膜源的溅射靶212、211。将基板1从卷出辊201卷出而输送至制膜室282，在制膜辊292上进行第二薄膜112向基板上的制膜。将形成了第二薄膜的基板输送至制膜室282，在制膜辊291上进行第一薄膜111向基板上的制膜。

在进行第二薄膜112的制膜的制膜辊292与进行第一薄膜111的制膜的制膜辊291之间的轧制线，设置有由一对夹持辊构成的剥离辊224，并构成为从基板的表面剥离第二掩模基材840。通过卷取辊204把从基板表面剥离的第二掩模基材840卷取回收。这样，通过在两个制膜部之间设置剥离单元，并在线地实施掩模基材从基板上的剥离，从而在从卷出辊201卷出基板之后直到在卷取辊209卷取为止的期间，能够在基板1上形成图案形状不同的第二薄膜812和第一薄膜811。在设置有三个以上的制膜部的装置中，通过在各个制膜部之间设置剥离单元，从而能够在一次轧制中形成3种以上的形状不同的薄膜。

制膜装置除了在多个制膜部之间设置有剥离单元以外，还能够成为与通常的制膜装置同样的结构。在制膜装置200中，设置有作为用于从设置于基材上的掩模套件剥离支承基材50的剥离单元的夹持辊225，将剥离后的支承基材50通过卷取辊205卷取回收。这样，通过在线地剥离支承基材50，从而将在基板1上粘贴了掩模套件的基板设置于制膜装置，能够在线地将掩模开口形成在基板1上，因此能够维持基板表面的清洁性并且能够提高生产效率。

在制膜装置200中，在制膜辊292与用于卷取带多层图案化薄膜的基板801的卷取辊209之间，设置有由一对夹持辊构成的剥离辊229，并构成为能够在线地实施第一掩模基材830从基板1的剥离。

也可以在制膜装置设置用于将基板1和掩模套件粘贴的粘贴单元(例如由夹持辊构成的贴合辊)、用于从掩模套件108的表面剥离去除脱模膜39的剥离单元等。

附图标记说明

1…基板；100、104…掩模；105、107、108…掩模套件；30、40、530、540、830、840…掩模基材；50…支承基材；31、41、51…基材膜；32、42、52…粘结层；39…脱模膜；35、735…包覆部件；11、12…开口；111、112…薄膜；70…掩模区域；71…外周非粘接区域；511、811、812…开口形成部；311、312、371、412…切断线。