1.半导体器件的制造方法，重复执行下述处理而处理衬底，所述处理以供给原料气体的工序、至少排出所述原料气体的第一吹扫工序、供给反应气体的工序以及至少排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环，
在所述一个循环的执行期间，使所述衬底静止，在所述一个循环结束后，根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在所述一个循环的执行期间不使所述衬底旋转，每当所述一个循环结束时，使所述衬底旋转所述规定角度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
使所述衬底旋转所述规定角度的动作在所述第二吹扫工序结束后且供给所述原料气体的工序开始前执行。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在使所述衬底旋转所述规定角度期间，执行与所述第二吹扫工序同样的吹扫。
5.衬底处理装置，具有：
处理衬底的处理室；
使所述衬底旋转的旋转机构；
供给原料气体的原料气体供给系统；
供给反应气体的反应气体供给系统；
排出所述原料气体和所述反应气体的排气系统；以及
控制部，控制所述旋转机构、所述原料气体供给系统、所述反应气体供给系统及所述排气系统，重复执行将供给所述原料气体的工序、排出未反应的所述原料气体的第一吹扫工序、供给所述反应气体的工序及排出所述反应气体的第二吹扫工序作为一个循环的处理工序来处理所述衬底，所述控制部构成为：在所述一个循环的执行期间，不控制所述旋转机构并使所述衬底静止，并且在所述一个循环执行后，根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度。
6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在所述一个循环的执行期间，不利用所述旋转机构使所述衬底旋转，每当所述一个循环结束，控制所述旋转机构而使所述衬底旋转所述规定角度。
7.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在使所述衬底旋转所述规定角度的期间，执行与所述第二吹扫工序同样的吹扫。
8.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在所述第二吹扫工序结束后且供给所述原料气体的工序前，利用所述旋转机构使所述衬底旋转所述规定角度。
9.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
进一步具有保持所述衬底的衬底保持件，所述控制部构成为：利用所述旋转机构使所述衬底保持件旋转，并且使所述衬底旋转。
10.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在所述第二吹扫工序结束后且供给所述原料气体的工序前，执行利用所述旋转机构使所述衬底保持件动作并使所述衬底旋转所述规定角度的衬底旋转工序。
11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其中，
所述衬底旋转工序进一步包含确定所述规定角度的工序，所述控制部构成为：在确定所述规定角度的工序中，以所述衬底保持件的支柱与所述原料气体不干涉的方式确定。
12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：在确定所述规定角度的工序中，确认是否使所述衬底旋转所述规定角度。
13.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：使所述衬底旋转所述规定角度后，进一步微调节所述规定角度。
14.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述控制部构成为：最后一个循环后，在结束所述处理工序后，不使所述衬底旋转而直接结束。
15.控制程序，为了控制衬底处理装置而执行，所述衬底处理装置进行将衬底搬入处理室的搬入步骤、在所述处理室中处理所述衬底的处理步骤以及从所述处理室搬出所述衬底的搬出步骤，
所述控制程序使所述衬底处理装置重复执行将供给原料气体的步骤、排出所述原料气体的第一吹扫步骤、供给反应气体的步骤及排出所述反应气体的第二吹扫步骤作为一个循环的所述处理步骤，所述控制程序进一步使所述衬底处理装置执行：在所述一个循环的执行期间使所述衬底静止的步骤、在所述一个循环的执行后根据预先确定的循环数算出用于使所述衬底旋转的规定角度的步骤。