准直器、制造半导体装置的设备和方法与流程

技术特征：

技术总结
公开了一种准直器、一种制造半导体装置的设备和方法。制造设备可以包括：腔室；加热器卡盘，设置在腔室的下区域中，并且被构造为加热基底；靶，设置在加热器卡盘上方，靶包含用于将要沉积在基底上的薄层的源；等离子体电极，设置在腔室的上区域中并且被构造为在靶附近产生等离子体，从而从源产生粒子；准直器，设置在加热器卡盘与靶之间。

技术研发人员：朴志镐;朴正熙;朴昌叶
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2019.02.15
技术公布日：2019.09.24