一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法与流程

文档序号:17738291发布日期:2019-05-22 03:27阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开了一种在C/SiC复合材料表面制备薄膜热电偶的方法,具有如下步骤:S1、C/SiC复合材料表面处理;S2、在C/SiC复合材料上制备导电层;S3、电镀沉积Ni‑ZrO2复合层;S4、机械打磨电镀层;S5、抛光Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层;S6、制备有复合过渡层的C/SiC复合材料表面处理;S7、制备SiO2绝缘膜、薄膜热电偶功能薄膜和SiO2保护膜。本发明制备的Ni‑Cr‑ZrO2复合过渡层与C/SiC复合材料有良好的结合力,同时可以为薄膜热电偶提供连续平整的附着面,制备出的薄膜热电偶能够满足C/SiC复合材料制造的航空发动机热端部件瞬时表面温度测试需求。

技术研发人员:崔云先;薛生俊;杨琮;高富来;王艺歌;黄金鹏
受保护的技术使用者:大连交通大学
技术研发日:2019.02.18
技术公布日:2019.05.21
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