掩膜组件的制备方法、掩膜组件与流程

本申请涉及蒸镀技术领域，具体而言，本申请涉及一种掩膜组件的制备方法、掩膜组件。

背景技术：

显示面板生产过程中，需通过掩膜组件实现对发光材料的蒸镀。为保证掩膜组件的精确装配和蒸镀位置的精确性，往往在构成掩膜组件的部件上设置多种用于实现不同功能的孔。

例如，如图1所示，一种现有技术的掩膜组件，包括frame(框架)、blocking(遮挡层)、alignmask(对齐掩膜)和fmmsheet(finemetalmasksheet，高精度金属掩膜版)。frame、blocking、alignmask和fmmsheet在生产阶段即完成对位孔和检测标记开口等对位标记的加工。之后，根据blocking和frame的对位标记，将blocking拉伸对齐焊接在frame上；根据alignmask和fmmsheet的对位孔，将alignmask和fmmsheet分别拉伸对齐焊接在blocking上，得到现有的压膜版组件。

然而，本申请的发明人发现，针对blocking的拉伸对齐操作，将会影响其上的对位标记的形状和位置；将变形或者位置偏移的对位孔应用到后续的alignmask拉伸和fmmsheet拉伸中，会影响拉伸程度的控制和对位的精准度，导致整个掩膜组件中对位标记变形或位置偏移，容易造成利用掩膜组件进行蒸镀时基板和掩膜组件之间的对位精度低下。

技术实现要素：

本申请针对现有方式的缺点，提出一种掩膜组件的制备方法、掩膜组件，用以解决现有技术存在的掩膜组件的制备过程对各对位标记造成变形或位移，导致蒸镀时掩膜组件与基板之间的对位精度低下技术问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种掩膜组件的制备方法，包括：

对遮挡层进行拉伸和对位后，固定设置在框架的一侧；

在固定设置后的遮挡层和框架中，开设至少一个拉伸对位孔和至少一个蒸镀对位标记；

根据拉伸对位孔，对掩膜版进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层远离框架的一侧；

在固定设置后的掩膜版中开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。

第二方面，本申请实施例提供了一种掩膜组件的制备方法，包括：

对遮挡层进行拉伸和对位后，固定设置在框架的一侧；

对掩膜版进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层远离框架的一侧；

在框架、遮挡层和掩膜版至少一个中开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。

第三方面，本申请实施例提供了一种掩膜组件，包括：

框架、遮挡层和掩膜版；

框架和掩膜版分别设置在遮挡层两侧，且都与遮挡层固定连接；框架、遮挡层和掩膜版上分别开设有至少一个蒸镀对位标记，遮挡层上还开设有拉伸对位孔。

本申请实施例提供的技术方案，至少具有如下有益效果：

1)采用本申请实施例提供的掩膜组件的制备方法中，先拉伸遮挡层并设置在框架上，后在遮挡层和框架中开设蒸镀对位标记，使得遮挡层和框架中的蒸镀对位孔不会受到安装遮挡层时的拉伸操作的影响；而且，，掩膜版中的蒸镀对位标记是在将掩膜版拉伸固定在遮挡层上之后开设的，使得掩膜版中的蒸镀对位标记不受安装掩膜版时的拉伸等操作的影响；大大降低本申请的掩膜组件中蒸镀对位孔变形或产生位移的几率或程度，较大程度的保持了蒸镀对位孔原有的形态，有利于提高掩膜版对位的精准度，有利于提高蒸镀的精准度。

2)在本申请实施例的掩膜组件中削减了对齐掩膜。简化了掩膜组件的结构以及制备工艺，有利于降低成本。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为现有技术的掩膜组件结构示意图；

图2为现有技术的掩膜组件中各孔的制备方法的原理示意图；

图3为本申请实施例提供的一种掩膜组件的制备方法的激光烧融原理示意图；

图4为本申请实施例提供的一种掩膜组件的制备方法的流程示意图；

图5为本申请实施例提供的一种掩膜组件的制备方法在固定设置后的遮挡层和框架中开设对位标记，制得的部分掩膜组件的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种掩膜组件的制备方法在固定设置掩膜版后，制得的部分掩膜组件的结构示意图；

图7为本申请实施例提供的一种掩膜组件的制备方法在固定设置后的掩膜版中开设对位标记，制得的部分掩膜组件的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种掩膜组件的制备方法的流程骤示意图；

图9为本申请实施例提供的另一种掩膜组件的制备方法在固定设置掩膜版后，制得的部分掩膜组件的结构示意图。

其中，附图标号的说明如下：

1-框架；

2-遮挡层；

3-掩膜版；

4-激光发射器，41-激光；

51-第一检测标记开口；52-蒸镀对位孔；53-子像素开口；55-第二检测标记开口。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本申请的发明人进行研究发现，如图1所示，掩膜组件的制备过程中，将构成掩膜组件的frame(框架)、blocking(遮挡层)、alignmask(对齐掩膜)和fmmsheet(finemetalmasksheet，高精度金属掩膜版)在生产阶段即完成对位孔和检测标记开口等对位标记的加工。在各对位标记的加工均完成之后，将遮挡层进行拉伸、对位并与框架进行焊接。此时，在拉伸的作用下设置在遮挡层上的对位标记，例如用于确定高精度掩膜版的位置和拉伸程度的拉伸对位孔，已经发生了一定程度的变形和位置偏移。在此之后，通过该变形的拉伸对位孔对高精度掩膜版进行拉伸和位置确定时，难免会到影响。并且，高精度掩膜版上设置的检测标记开口在高精度掩膜版拉伸、对位过程中也难免发生变形和位置偏移，进而影响蒸镀的精准度。

高精度掩膜版多为条状，易于发生变形，多个条状的高精度掩膜版排列在一起共同限定子像素开口的位置。为确定高精度掩膜版的装配位置以及多个条状的高精度掩膜版能够对齐，多使用对齐掩膜进行辅助。对齐掩膜由于自身细窄，且其上设置的开口较多，容易残留药液，不易清洗。在蒸镀工艺中受热之后，对齐掩膜的膨胀情况和高精度掩膜版及遮挡层的膨胀情况之间存在差异，此时利用对齐掩膜上的对位孔对位后，会在有效显示区(aa区)子像素开口位置形成误差，最终导致蒸镀偏差。并且，针对对齐掩膜的拉伸对齐操作，也将会影响其上的对位标记的形状和位置，进而影响高精度掩膜版的拉伸对齐操作的精确度。多次拉伸操作将造成变形误差不断积累，严重影响组装次序在后的部件。同理，多次拉伸操作也会造成对位孔和检测标记开口的变形和位置变化，进而影响蒸镀质量。对齐掩膜作为辅助高精度掩膜版实现蒸镀效果的关键部件，其上对位标记较多，孔内堆积的污物不易于彻底清洗，存在污染子像素的隐患。并且，拉伸后的对齐掩膜存在一定的变形应力，在蒸镀的高温环境下，其变形程度与有效显示区(aa区)的变形程度不同，影响蒸镀质量。

本申请提供的掩膜组件的制备方法，旨在解决现有技术的如上技术问题。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。下面将结合附图，对本申请的实施例进行描述。

本申请实施例提供了一种掩膜组件的制备方法，如图4所示，包括：

s401：对遮挡层进行拉伸和对位后，固定设置在框架的一侧。

s402：在固定设置后的遮挡层和框架中，开设至少一个拉伸对位孔和至少一个蒸镀对位标记。

可选地，蒸镀对位标记包括蒸镀对位孔和检测标记开口中的至少一种。

可选地，在固定设置后的遮挡层和框架中，开设至少一个拉伸对位孔和至少一个蒸镀对位标记，包括：

在固定设置后的遮挡层中，利用激光烧融出至少一个拉伸对位孔、至少一个蒸镀对位孔和至少一个第一检测标记开口；

在固定设置后的框架中，利用激光烧融出至少一个蒸镀对位孔。

s403：根据拉伸对位孔，对掩膜版进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层远离框架的一侧。

s404：在固定设置后的掩膜版中开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。

可选地，在固定设置后的掩膜版中开设至少一个蒸镀对位标记，包括：

在固定设置后的掩膜版中，对应于所述第一检测标记开口的位置，利用激光烧融出至少一个第二检测标记开口。例如，如图6所示，本申请实施例介绍的掩膜组件的制备方法，获得的蒸镀对位孔52可设置于框架1和遮挡层2的连接部分的四个角上，也可分布地沿框架1和遮挡2的连接部分的周向设置。如图5至7所示，第一检测标记开口51可设置于遮挡层2中与掩膜版3的子像素开口53相对应的开口之间，也可设置于遮挡层2中对应于子像素开口53与框架1之间的部分。如图7所示，第二检测标记开口55可在子像素排布的行方向或者列方向上设置于至少部分子像素开口53之间。

下面参照图4所示的掩膜组件的制备方法的部分步骤，以及图5至图7所示的部分掩膜组件的结构，对本申请实施例提供的掩膜组件的制备过程进行示例性的介绍：

(1)组装遮挡层和框架

具体地，在对遮挡层2进行拉伸和对位后，将遮挡层2固定设置在框架1的一侧。本步骤的目的在于将遮挡层2和框架1组装为一体。框架1用于在掩膜组件中提供周向的支撑和定位。遮挡层2用于遮挡蒸镀工艺中的非蒸镀区域的至少部分，避免蒸镀材料附着在对应于子像素以外的位置。遮挡层2和框架1之间的固定设置的方式可为焊接。组装遮挡层2和框架1的操作，可通过遮挡层2和框架1上预设的原始对位标记进行，框架1的至少部分原始对位标记的与遮挡层2的至少部分原始对位标记的位置匹配。

当设置于遮挡层2上的原始对位标记与设置于框架1上的原始对位标记之间的相对位置关系处于合理范围内，例如重叠，则判定针对遮挡层2的拉伸对位完成。例如，用户或者拉伸设备可根据框架1的至少部分原始对位标记，和遮挡层2的至少部分原始对位标记之间的相对位置关系判断遮挡层2拉伸程度以及框架1和遮挡层2的相对位置关系。

原始对位标记可设置于遮挡层2和框架1重叠的部位。该重叠的部位如图5、图6、图7和图9所示的部分掩膜组件的结构中，遮挡层2临近框架1处颜色较深的部分。图5、图6、图7和图9中所示的遮挡层2临近框架1处的颜色差异为遮挡层2和框架1重叠的部位的示意。遮挡层2可为部分透光的材质，在远离框架1的一侧相对于和框架1重叠的部位存在颜色差异；遮挡层2也可为不透光的材质，在远离框架1的一侧相对于和框架1重叠的部位不存在颜色差异。原始对位标记的数量可为多个。框架1的原始对位标记和遮挡层2的原始对位标记可为孔状。在确定框架1和遮挡层2之间的相对位置之后，将框架1和遮挡层2固定设置。

通过本方法，在将框架1和遮挡层2组装在一起之前，仅需制作能够满足对位要求的原始对位标记即可。例如蒸镀对位孔、检测标记开口在本步骤均没有制作，则本步骤的拉伸不会引起蒸镀对位孔和检测标记开口的形状、尺寸和位置。

(2)在组装后的遮挡层和框架上设置部分对位标记

具体地，如图5所示，在固定设置后的遮挡层2和框架1中，开设至少一个拉伸对位孔和至少一个蒸镀对位标记。本步骤中开设的拉伸对位孔用于后续工艺中的掩膜版的拉伸、对位操作。蒸镀对位标记用于后续蒸镀工艺中的对位、蒸镀位置检测或者蒸镀位置偏差检测。拉伸对位孔和蒸镀对位标记中的至少一部分可具有孔状结构。多个拉伸对位孔和多个蒸镀对位标记中，功能相同的部分可仅设置于遮挡层2上，或者仅设置于框架1上；多个拉伸对位孔和多个蒸镀对位标记中，功能相同的部分也可以分别地设置于遮挡层2和框架1上。

如图2所示的原始对位标记成型工艺。以blocking(遮挡层)上的对位孔为例，首先将光阻材料涂覆在blocking上，并将对应于原始对位标记位置的部分光阻材料去除，形成光阻材料缺口。在涂覆有光阻材料的一侧对blocking实施刻蚀操作，在blocking朝向光阻材料的一侧相当于光阻材料缺口的位置形成凹槽。其次，在blocking的另一侧通过同样的方式在对应于原始对位标记位置形成另一个凹槽，并使得位于blocking两侧的凹槽贯通，形成原始对位标记。

本申请实施例中介绍掩膜组件的制备方法中，拉伸对位孔和蒸镀对位标记中的至少部分通过激光烧融工艺制得。具体地，以在遮挡层2上开设第一检测标记开口51为例，如图3所示，通过激光发射器4激发不同波长、强度的激光41，可实现在不同厚度的原材上进行的切割操作。激光切割的切割区细窄，切割质量高，原材受切割影响的区域小，变形小。激光切割还具有效率高、速度快的优点，能够较大程度的保证对位标记的尺寸精度、形状精度和位置精度。激光烧融的工艺过程还适用于本申请实施例中涉及的蒸镀对位孔52和第二检测标记开口55等其他对位标记的制作。

(3)组装掩膜版

如图6所示，根据拉伸对位孔，对掩膜版3进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层2远离框架1的一侧。本步骤中，针对掩膜版3进行的拉伸和对位操作可通过拉伸设备完成。在确定掩膜版3的拉伸程度，以及掩膜版3与框架1之间的相对位置之后，可通过焊接的方式将掩膜版3固定设置在遮挡层2远离框架1的一侧，使得遮挡层2设置于框架1和掩膜版3之间。本步骤直接在掩膜版3和遮挡层2之间建立配合关系，而无需使用对齐掩膜，降低了掩膜组件的制备难度。

在每个掩膜组件中，掩膜版的数量为至少一个。在组装掩膜版的步骤中，可针对多个掩膜版依次进行组装。

(4)在组装后的掩膜版上设置部分对位标记

在固定设置后的掩膜版3中开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。本步骤中的蒸镀对位标记用于后续蒸镀工艺中的对位、蒸镀位置检测、蒸镀位置偏差检测。当蒸镀对位标记根据功能可分为多种时，掩膜版3上可开设多种蒸镀对位标记中的至少一种。在本申请一个可选的实施例中，在步骤组装掩膜版3之后，还可在框架1上开设至少一个蒸镀对位标记。

蒸镀对位标记可包括多种具有不同功能的标记。在本申请一个可选的实施例中，蒸镀对位标记包括：蒸镀对位孔和检测标记开口中的至少一种。如图6所示，蒸镀对位孔52用于在蒸镀过程中确定蒸镀位置。检测标记开口用于后续蒸镀工艺中的对位、蒸镀位置检测、蒸镀位置偏差检测。多个蒸镀对位孔52和多个检测标记开口均在遮挡层2拉伸、定位之后成型，避免遮挡层2的拉伸操作影响蒸镀对位孔52和检测标记开口的质量。并且，通过本申请实施例介绍的方法，使得蒸镀对位孔52和检测标记开口较大程度的保持了原有的形态，在后续蒸镀工艺的高温影响下，蒸镀对位孔52和检测标记开口的变形程度也能够与操作区(aa区)的变形程度匹配。

可选地，在固定设置后的遮挡层2和框架1中，开设至少一个拉伸对位孔和蒸镀对位标记，可包括：在固定设置后的遮挡层2中，利用激光烧融出至少一个拉伸对位孔、至少一个蒸镀对位孔和至少一个第一检测标记开口51，以及在固定设置后的框架1中，利用激光烧融出至少一个蒸镀对位孔52。

在遮挡层上开设拉伸对位孔和蒸镀对位标记的次序不作限制，可根据实际工艺环境进行调整。在遮挡层2上开设对位标记和在框架1上开设对位标记的次序不作限制。第一检测标记开口51具备至少部分的用于检测蒸镀工艺中的蒸镀位置偏差。此外，第一检测标记开口51还用于在后续步骤中辅助成型设置于掩膜版3上的第二检测标记开口。

利用激光烧融的方式开设拉伸对位孔中的至少一个，以及利用激光烧融的方式开设蒸镀对位标记中的至少一个。通过激光发射器激发不同波长、强度的激光，可实现在不同厚度的原材上进行的切割操作。原材可为本申请实施例中的遮挡层、框架和掩膜版中的至少一项。激光切割的切割区细窄，切割质量高，原材受切割影响的区域小，变形小。激光切割还具有效率高、速度快的优点，能够较大程度的保证对位标记的尺寸精度、形状精度和位置精度。

在固定设置后的掩膜版3中开设至少一个蒸镀对位标记，包括：在固定设置后的掩膜版3中利用激光烧融出至少一个第二检测标记开口55，第二检测标记开口55对应于第一检测标记开口51设置。第二检测标记开口55用于检测蒸镀工艺中的蒸镀位置偏差，由第一检测标记开口51确定其开设位置。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了另一种掩膜组件的制备方法，该制备方法的流程示意图如图8所示，包括：

s801：对遮挡层进行拉伸和对位后，固定设置在框架的一侧。

s802：对掩膜版进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层远离框架的一侧。

s803：在框架、遮挡层和掩膜版的至少一个中，开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。

可选地，对位标记包括蒸镀对位孔和检测标记开口中的至少一种。

可选地，在框架、遮挡层和掩膜版的至少一个中，开设至少一个蒸镀对位标记，包括：

在固定设置后的掩膜版中利用激光烧融出至少一个检测标记开口；

在固定设置后的遮挡层和/或框架中，利用激光烧融出至少一个蒸镀对位孔。

下面参照图8所示的掩膜组件的制备方法的部分步骤，以及图9所示的部分掩膜组件的结构，对本申请实施例提供的掩膜组件的制备方法具体介绍如下：

(1)组装框架、遮挡层和掩膜版

如图9所示，对掩膜版3进行拉伸和对位后，固定设置在遮挡层2远离框架1的一侧。框架1用于在掩膜组件中提供周向的支撑和定位。遮挡层2用于遮挡蒸镀工艺中的非蒸镀区域的至少部分，避免蒸镀材料附着在对应于子像素开口53以外的位置。掩膜版3用于限定子像素的位置和形状。遮挡层2和框架1之间的固定设置的方式以及掩膜版3和遮挡层2之间的固定设置方式中至少之一可为焊接。

组装遮挡层2和框架1的操作，可通过遮挡层2和框架1上预设的原始对位标记进行。当设置于遮挡层2上的原始对位标记与设置于框架1上的原始对位标记之间的相对位置关系处于合理范围内，例如重叠，则判定针对遮挡层2的拉伸对位完成。遮挡层2和掩膜版3之间的对位也可通过遮挡层2和掩膜版3上预设的原始对位标记进行，当设置于遮挡层2上的原始对位标记与设置于掩膜版3上的原始对位标记之间的相对位置关系处于合理范围内，例如重叠，则判定针对掩膜版3的拉伸对位完成。用于组装框架1和遮挡层2的原始对位标记可设置于遮挡层2和框架1重叠的部位。用于拉伸、对位掩膜版3的原始对位标记可设置于遮挡层2和掩膜版3重叠的部位。原始对位标记的数量可为多个。框架1的原始对位标记和遮挡层2的原始对位标记可为孔状。

在每个掩膜组件中，掩膜版的数量为至少一个。在组装掩膜版的步骤中，可针对多个掩膜版依次进行组装。

(2)在组装后的遮挡层、框架和掩膜版上设置至少部分对位标记

在框架1、遮挡层2和掩膜版3至少一个中开设至少一个蒸镀对位标记，得到掩膜组件。蒸镀对位标记用于后续蒸镀工艺中的对位或者蒸镀位置检测。蒸镀对位标记可具有孔状结构。多个蒸镀对位标记中，功能相同的部分可仅设置于遮挡2层上，或者仅设置于框架1上，或者仅设置于掩膜版3上。多个蒸镀对位标记中，功能相同的部分也可以分别地设置于遮挡层2、框架1上和掩膜版3上。

蒸镀对位标记可包括多种具有不同功能的标记。在本申请一个可选的实施例中，蒸镀对位标记包括：蒸镀对位孔和检测标记开口中的至少一种。蒸镀对位孔用于在蒸镀过程中确定蒸镀位置。检测标记开口用于后续蒸镀工艺中的对位、蒸镀位置检测、蒸镀位置偏差检测。

在框架1、遮挡层2和掩膜版3至少一个中开设至少一个蒸镀对位标记，包括：在固定设置后的掩膜版3中利用激光烧融出至少一个检测标记开口；在固定设置后的遮挡层2和框架1的至少一项中，利用激光烧融出至少一个蒸镀对位孔。

在遮挡层2和框架1的至少一项中开设蒸镀对位孔，与在掩膜版2上开设检测标记开口的次序不作限制，可根据实际工艺环境进行调整。利用激光烧融的方式开设蒸镀对位标记中的至少一个。通过激光发射器激发不同波长、强度的激光，可实现在不同厚度的原材上进行的切割操作。激光切割的切割区细窄，切割质量高，原材受切割影响的区域小，变形小。激光切割还具有效率高、速度快的优点，能够较大程度的保证对位标记的尺寸精度、形状精度和位置精度。

基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种掩膜组件，可通过本申请实施例提供的掩膜组件的制备方法获得。本申请实施例提供的掩膜组件包括：

框架、遮挡层和掩膜版；

框架和掩膜版分别设置在遮挡层两侧，且都与遮挡层固定连接；框架、遮挡层和掩膜版中分别开设有至少一个蒸镀对位标记，遮挡层上还开设有拉伸对位孔。可选地，本申请实施例中的掩膜组件具体为fmm(finemetalmask，高精度金属掩膜)组件。在每个掩膜组件中，掩膜版的数量为至少一个。

可选地，本申请实施例提供的掩膜组件的蒸镀对位标记包括蒸镀对位孔和检测标记开口中的至少一种。

可选地，本申请实施例提供的掩膜组件至少包括下述一项：

拉伸对位孔和蒸镀对位标记中的至少一种是利用激光烧融得到的；

掩膜版为fmmsheet(finemetalmasksheet，高精度金属掩膜版)。

本申请实施例提供的掩膜组件，与前面的各实施例具有相同的发明构思及相同的有益效果，该掩膜组件中未详细示出的内容可参照前面的各实施例，在此不再赘述。

应用本申请实施例提供的像素驱动电路和像素驱动方法，至少可以实现如下有益效果：

1)采用本申请实施例提供的掩膜组件的制备方法中，先拉伸遮挡层并设置在框架上，后在遮挡层和框架中开设蒸镀对位标记，使得遮挡层和框架中的蒸镀对位孔不会受到安装遮挡层时的拉伸操作的影响；而且，，掩膜版中的蒸镀对位标记是在将掩膜版拉伸固定在遮挡层上之后开设的，使得掩膜版中的蒸镀对位标记不受安装掩膜版时的拉伸等操作的影响；大大降低本申请的掩膜组件中蒸镀对位孔变形或产生位移的几率或程度，较大程度的保持了蒸镀对位孔原有的形态，有利于提高掩膜版对位的精准度，有利于提高蒸镀的精准度。

2)在本申请实施例的掩膜组件中削减了对齐掩膜。简化了掩膜组件的结构以及制备工艺，有利于降低成本。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。