成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法与流程

文档序号:20279544发布日期:2020-04-07 15:01阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种成膜装置,具有腔室和移动部件,在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源,该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动,其特征在于,

该成膜装置具有:

相向构件,与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置;以及

遮蔽构件,配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧,与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动,

所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部,

该相向端部的所述相对移动方向的宽度比所述成膜源位于所述成膜待命区域时的所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离大。

2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述遮蔽构件具有在与所述成膜源的相对移动方向交叉的方向上延伸的壁部,在该壁部的一端设置有所述相向端部,该相向端部成为宽度比所述壁部的所述相对移动方向的厚度宽的延伸部。

3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述移动部件使所述成膜源和所述遮蔽构件沿着所述成膜对象物的成膜面移动。

4.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述成膜源是溅射阴极。

5.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述成膜源具有磁场产生部件,该磁场产生部件配置在隔着配置在所述腔室内的靶与所述成膜对象物相向的位置。

6.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

所述成膜源具有磁场产生部件,该磁场产生部件配置在配置于所述腔室内的圆筒状的靶的内部。

7.根据权利要求6所述的成膜装置,其特征在于,

该成膜装置还具备旋转驱动部,该旋转驱动部驱动所述圆筒状的靶旋转。

8.根据权利要求4所述的成膜装置,其特征在于,

在对所述成膜对象物进行成膜前,在所述成膜待命区域中,使所述成膜源的周围生成等离子体。

9.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

该成膜装置具有配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一成膜待命区域、和配置在基于所述移动部件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的第二成膜待命区域,

该成膜装置具有在所述第一成膜待命区域中与所述成膜源相向的第一相向构件、和在所述第二成膜待命区域中与所述成膜源相向的第二相向构件。

10.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

该成膜装置具有配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧的第一遮蔽构件、和配置在基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧的所述第二遮蔽构件。

11.根据权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,

所述第一遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的上游侧延伸,

所述第二遮蔽构件所具有的与所述相向构件相向的相向端部从所述成膜源的一侧朝向基于所述移动构件的所述成膜源的相对移动方向的下游侧延伸。

12.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

在将所述相向端部的所述相对移动方向的宽度设为l,将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时,满足下述式(1):

l≥3d1式(1)。

13.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

在将所述相向端部的所述相对移动方向的宽度设为l,将所述相向端部与所述相向构件之间的最短距离设为d1时,满足下述式(2):

l≥5d1式(2)。

14.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,

在将所述遮蔽构件的与所述相向构件相向的相向端部同所述成膜源之间的最小距离设为d2时,进一步满足下述式(3):

l>d2式(3)。

15.一种成膜装置,具有腔室和移动部件,在该腔室中配置有成膜对象物、和使成膜材料朝向该成膜对象物飞翔而成膜于所述成膜对象物的成膜源,该移动部件使所述成膜源在规定的成膜待命区域与成膜区域之间相对于所述成膜对象物相对移动,其特征在于,

该成膜装置具有:

相向构件,与位于所述成膜待命区域的所述成膜源相向地配置;以及

遮蔽构件,配置在位于所述成膜待命区域的所述成膜源的所述成膜区域的一侧,与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物相对移动,

所述遮蔽构件具有在所述成膜源位于所述成膜待命区域时以接近的状态与所述相向构件相向的相向端部,

在所述成膜源位于所述成膜待命区域时,在所述相向构件与所述相向端部之间形成有限制来自所述成膜待命区域内的成膜材料向所述成膜区域的一侧飞翔的间隙。

16.一种成膜方法,具有如下工序:

准备工序,使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命,成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态;以及

成膜工序,使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动,并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜,

其特征在于,

在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件,并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件,

在所述准备工序中,使所述成膜源在所述成膜待命区域待命,并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下,开始从所述成膜源放出所述成膜材料,使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。

17.一种电子器件的制造方法,其具有如下工序:

准备工序,使成膜源在腔室内的成膜待命区域待命,成为成膜材料从所述成膜源飞翔的状态;以及

成膜工序,使在所述准备工序中成为了所述成膜材料飞翔的状态的所述成膜源从所述成膜待命区域向所述腔室内的成膜区域相对于所述成膜对象物相对移动,并使从所述成膜源飞翔的成膜材料堆积在所述成膜对象物上而进行成膜,

其特征在于,

在所述成膜待命区域设置与位于该成膜待命区域的所述成膜源相向的相向构件,并且在所述成膜源的所述成膜区域的一侧设置与所述成膜源一起相对于所述成膜对象物进行相对移动的遮蔽构件,

在所述准备工序中,使所述成膜源在所述成膜待命区域待命,并且在使所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件接近的状态下,开始从所述成膜源放出所述成膜材料,使通过所述遮蔽构件的相向端部与所述相向构件之间的间隙而向所述成膜区域的一侧移动的成形材料附着于接近的所述相向构件和所述遮蔽构件的相向端部。


技术总结
本发明提供一种成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法,能够尽可能地限制在成膜待命区域从成膜源放出的成膜材料蔓延到成膜区域侧,抑制附着于成膜对象物。该成膜装置具有:与位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)相向地配置的相向构件(41);以及配置在位于成膜待命区域(B1)的成膜源(3)的成膜区域(A)侧,与成膜源(3)一起相对于成膜对象物(2)相对移动的遮蔽构件(51),遮蔽构件(51)具有在成膜源(3)位于成膜待命区域(B1)时与相向构件(41)相向的相向端部(5a),相向端部(5a)的相对移动方向的宽度(L)大于相向端部(5a)与相向构件(41)之间的最短距离。

技术研发人员:松本行生;佐藤祐希
受保护的技术使用者:佳能特机株式会社
技术研发日:2019.09.03
技术公布日:2020.04.07
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