技术总结
本发明公开了一种基于氧化锌掺杂的半导体传感器用组合物，所述组合物包含大于99重量%的锌部分、第一混合金属元素掺杂物部分和第二金属元素掺杂物部分；所述第一混合金属掺杂物部分和所述第二金属掺杂物部分以0.5‑1:2‑2.5重量比存在；所述第一混合金属掺杂物部分在氧化锌晶胞中金属元素与氧元素生产的化学键键长小于于锌元素与氧元素的键长；所述第二金属掺杂物部分在氧化锌晶胞中金属元素与氧元素生产的化学键键长大于锌元素与氧元素的键长。本发明的基于氧化锌掺杂的半导体传感器用组合物利用五氧化二钒、三氧化二镧掺杂的氧化锌对酒精敏感用于制作半导体传感器，同时基于半导体传感器的原理减少氧化锌晶胞体积的膨胀，增加组合物对氧气的吸附作用。
技术研发人员：张训龙;刘艺
受保护的技术使用者：安徽省含山县锦华氧化锌厂
技术研发日：2019.09.30
技术公布日：2020.01.31