一种低铝硅钙合金生产装置及工艺的制作方法

技术领域：

本发明涉及合金生产技术领域，特别涉及一种低铝硅钙合金生产装置及工艺。

背景技术：
：

硅和钙组成的二元合金，属铁合金范畴。它的主成分为硅和钙，还含有不同数量的铁、铝、碳、硫和磷等杂质。钢铁工业用作钙添加剂、脱氧剂、脱硫剂和非金属夹杂物的变性剂。铸铁工业用作孕育剂和变性剂。

而现有技术生产出来的硅钙合金中的铝含量较高，其相比较而言资源的利用率较低，而为了提高资源的利用率，需要将合金内部的铝含量较低，对此需要设计一种低铝硅钙合金生产工艺。

技术实现要素：
：

本发明的目的就在于为了解决现有技术生产出来的硅钙合金中的铝含量较高，其相比较而言资源的利用率较低，而为了提高资源的利用率，需要将合金内部的铝含量较低的问题而提供一种低铝硅钙合金生产装置及工艺。

为了解决上述问题，本发明提供了一种技术方案：

一种低铝硅钙合金生产装置，包括反应炉、储存装置、上料装置、进料装置与捣炉机，所述进料装置固定安装在反应炉上表面的中心处，所述上料装置的固定安装在储存装置的下端且与储存装置相连通，所述上料装置的另一端与进料装置相连通。

作为本发明的一种优选技术方案，所述反应炉包括一个呈中空状设置的炉体，所述炉体的顶端侧壁上固定安装有若干根电极加热棒，若干根所述电极加热棒关于炉体内部的轴心线呈环绕状设置，若干根所述电极加热棒的上端均贯穿炉体的上表面并向上延伸，若干根所述电极加热棒的下端均贯穿炉体的顶端内侧壁并延伸至炉体内。

作为本发明的一种优选技术方案，所述储存装置包括一个储存箱，所述储存箱设置于炉体的一侧侧壁外，所述储存箱下表面的四角处均固定连接有一根支撑柱，所述储存箱的上表面开设有一个放置槽，所述放置槽的槽底呈梯形设置。

作为本发明的一种优选技术方案，所述上料装置包括一根呈一端开口设置的输送筒，所述输送筒固定安装在储存箱的下端箱壁内，所述输送筒的下端筒壁上贯穿开设有一个开口，所述输送筒通过开口与放置槽相连通，所述输送筒的内部通过轴承转动连接有一根输送杆，所述输送杆的其中一端贯穿输送筒的对应筒壁并延伸至输送筒外，所述输送筒对应输送杆位置的外筒壁上固定连接有一个第一驱动电机，所述输送杆位于输送筒外的一端固定连接在第一驱动电机的输出端，位于所述输送筒内的输送杆杆壁上固定连接有一片呈螺旋状设置的输送叶片。

作为本发明的一种优选技术方案，所述进料装置包括一根呈下端开口设置的进料筒，所述进料筒固定安装在炉体上表面的中心处，所述进料筒的下端开口与炉体相连通，所述进料筒上表面的中心处通过轴承转动连接有一根转动杆，所述转动杆的上端贯穿进料筒的上表面并向上延伸，所述转动杆的下端贯穿进料筒的顶端筒壁并向下延伸，位于所述进料筒内的转动杆杆壁上呈固定可连接有一片呈螺旋状设置的进料叶片，所述进料筒的上表面固定连接有一个第二驱动电机，位于所述进料筒外的转动杆上端杆壁固定连接在第二驱动电机的输出端。

作为本发明的一种优选技术方案，所述人工智能捣炉机设置于反应炉的一侧，且所述人工智能捣炉机可以进行角度调节，最高调节角度为45°。

作为本发明的一种优选技术方案，所述反应炉内部的可控温度为800℃至2500℃。

一种低铝硅钙合金生产工艺，所述原料的组成：石灰24.1％、硅石55.8％、兰炭4.9％、硅渣2.2％、电极糊13％，且制备步骤：

a、将各种原料放置于储存箱上的放置槽中，同时放置槽中的原料通过放置槽与上料筒之间的开口进入上料筒内；

b、启动第一驱动电机与第二驱动电机，第一驱动电机通过输送杆带动输送叶片进行转动，将放置槽中的原料向上输送至进料筒中，同时第二驱动电机带动转动杆进行转动，转动杆带动进料叶片进行转动，通过螺旋下料的方式将进料筒内的原料均匀的输送至反应炉内；

c、因原料均匀的进入反应炉内，使得料面的透气性增加，并在反应炉内部旋转式插入连接有电极加热棒，使得电极加热棒深而稳地插入炉体中，可以对反应炉内的原料进行反应；

d、在反应炉工作的同时，捣炉机对反应炉进行作业，对炉体内部反应状况进行调整。

本发明的有益效果：本装置通过上料装置与进料装置向反应炉内加料，并在反应炉内部旋转式插入连接有电极加热棒，使得电极加热棒深而稳地插入炉料中，能够有效的防止塌料刺火，以减小钙的挥发和保持反应区处于高温状态；再通过进料装置采用螺旋下料的方式进行物料的添加，能够使得加料均匀，增加料面透气性，同时通过捣炉机调整炉况反应，提高炉内高温还原效率；从而解决提高资源利用率，降低产品铝含量的目的。

附图说明：

为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明的局部仰视结构示意图；

图3为本发明的局部俯视结构示意图；

图4为本发明的图1中a部分的放大结构示意图；

图5为本发明的图1中b部分的放大结构示意图。

图中：1、反应炉；11、炉体；12、电极加热棒；2、储存装置；21、储存箱；22、支撑柱；23、放置槽；3、输送装置；31、输送筒；32、输送杆；33、第一驱动电机；34、输送叶片；4、上料装置；41、上料筒；42、转动杆；43、进料叶片；44、第二驱动电机。

具体实施方式：

如图1-5所示，本具体实施方式采用以下技术方案：一种低铝硅钙合金生产装置，包括反应炉1、储存装置2、上料装置3、进料装置4与捣炉机，进料装置4固定安装在反应炉1上表面的中心处，上料装置3的固定安装在储存装置2的下端且与储存装置2相连通，上料装置2的另一端与进料装置3相连通，通过将各种原料放置于储存装置2内，并通过上料装置3上料至进料装置4中，并在通过进料装置4将原料均匀的输送至反应炉1内，便于对低铝硅钙合金进行生产。

其中，反应炉1包括一个呈中空状设置的炉体11，炉体1的顶端侧壁上固定安装有若干根电极加热棒12，若干根电极加热棒12关于炉体11内部的轴心线呈环绕状设置，若干根电极加热棒12的上端均贯穿炉体11的上表面并向上延伸，若干根电极加热棒12的下端均贯穿炉体1的顶端内侧壁并延伸至炉体11内。

其中，储存装置2包括一个储存箱21，储存箱21设置于炉体11的一侧侧壁外，储存箱21下表面的四角处均固定连接有一根支撑柱22，储存箱21的上表面开设有一个放置槽23，放置槽23的槽底呈梯形设置。

其中，上料装置3包括一根呈一端开口设置的输送筒31，输送筒31固定安装在储存箱21的下端箱壁内，输送筒31的下端筒壁上贯穿开设有一个开口，输送筒31通过开口与放置槽23相连通，输送筒31的内部通过轴承转动连接有一根输送杆32，输送杆32的其中一端贯穿输送筒31的对应筒壁并延伸至输送筒31外，输送筒31对应输送杆32位置的外筒壁上固定连接有一个第一驱动电机33，输送杆32位于输送筒31外的一端固定连接在第一驱动电机33的输出端，位于输送筒31内的输送杆32杆壁上固定连接有一片呈螺旋状设置的输送叶片34。

其中，进料装置4包括一根呈下端开口设置的进料筒41，进料筒41固定安装在炉体11上表面的中心处，进料筒41的下端开口与炉体11相连通，进料筒41上表面的中心处通过轴承转动连接有一根转动杆42，转动杆42的上端贯穿进料筒41的上表面并向上延伸，转动杆42的下端贯穿进料筒41的顶端筒壁并向下延伸，位于进料筒41内的转动杆42杆壁上呈固定可连接有一片呈螺旋状设置的进料叶片43，进料筒41的上表面固定连接有一个第二驱动电机44，位于进料筒41外的转动杆42上端杆壁固定连接在第二驱动电机44的输出端。

其中，人工智能捣炉机设置于反应炉的一侧，且人工智能捣炉机可以进行角度调节，最高调节角度为45°。

其中，反应炉1内部的可控温度为800℃至2500℃。

一种低铝硅钙合金生产工艺，所述原料的组成：石灰24.1％、硅石55.8％、兰炭4.9％、硅渣2.2％、电极糊13％，且制备步骤：

a、将各种原料放置于储存箱23上的放置槽23中，同时放置槽23中的原料通过放置槽23与上料筒31之间的开口进入上料筒31内；

b、启动第一驱动电机33与第二驱动电机44，第一驱动电机33通过输送杆32带动输送叶片34进行转动，将放置槽23中的原料向上输送至进料筒41中，同时第二驱动电机44带动转动杆42进行转动，转动杆42带动进料叶片43进行转动，通过螺旋下料的方式将进料筒41内的原料均匀的输送至反应炉1内；

c、因原料均匀的进入反应炉1内，使得料面的透气性增加，并在反应炉1内部旋转式插入连接有电极加热棒12，使得电极加热棒12深而稳地插入炉体11中，可以对反应炉1内的原料进行反应；

d、在反应炉1工作的同时，捣炉机对反应炉1进行作业，对炉体11内部反应状况进行调整。

本发明的使用状态为：本装置在使用时，首先将各种原料放置于储存箱21上的放置槽23中，并同时启动第一驱动电机33与第二驱动电机44，第一驱动电机33通过输送杆32带动输送叶片34进行转动，将放置槽23中的原料向上输送至进料筒41中，同时第二驱动电机44带动转动杆42进行转动，转动杆42带动进料叶片43进行转动，通过螺旋下料的方式将进料筒41内的原料均匀的输送至反应炉1内，能够使得加料均匀，增加料面透气性，并在反应炉1内部旋转式插入连接有电极加热棒12，使得电极加热棒12深而稳地插入炉体11中，能够有效的防止塌料刺火，以减小钙的挥发和保持反应区处于高温状态；同时通过捣炉机调整炉况反应，提高炉内高温还原效率；从而解决提高资源利用率，降低产品铝含量的目的。

以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。