一种控温接触板和蒸镀设备的制作方法

本发明涉及蒸镀设备技术领域，尤其涉及一种控温接触板和蒸镀设备。

背景技术：

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)具有自发光、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗等优异性能。目前有机发光二极管(oled)制程，多采用蒸镀设备执行。现有蒸镀机主要包括蒸镀源、金属掩膜板、接触板和磁板等。金属掩膜板处于基板下方，蒸镀源上方，通过磁板吸附以便镀膜材料通过金属掩膜板，以目标图案沉积于目标基板上。蒸镀中，接触板与基板相接触，其处于磁板和基板之间，以保证基板压合后的平整度与在蒸镀过程中的散热。

现有技术中接触板与基板水平贴合，当蒸镀源镀膜材料至基板上时，基板上的热量主要通过接触板上的散热孔散逸，因此散热孔对应的基板位置处的温度比其它区域的温度高。接触板内各区域产生温差，不利于目标膜层的均匀性。此外，蒸镀过程中，若接触板未能及时散热，则基板上沉积的目标膜层内，材料原子由于基板温度差异形成的团簇与结晶，不利于膜层结构的稳定性。因此业界都在探寻一种能高效降低基板温度的方法以及寻找一种可提高接触板均匀散热效率的结构。

技术实现要素：

为此，需要提供一种控温接触板和蒸镀设备，以降低触控板在作业时的温度，从而提高膜层结构的稳定性以及膜层的质量。

为实现上述目的，发明人提供了一种控温接触板，所述接触板包括依次设置的接触板顶面、导热层和接触板底面；

所述导热层与接触板顶面、接触板底面水平贴合，所述导热层之间设置有制冷半导体单元，所述制冷半导体单元通过导热层与所述接触板顶面与接触板底面相连，接触板顶面设置有散热孔，所述制冷半导体的冷端设置在靠近接触板底面的一侧，所述制冷半导体的热端设置在靠近接触板顶面的一侧，述接触板底面用于与基板水平贴合。

进一步地，所述导热层内还设置有导热颗粒，所述导热颗粒均匀设置于导热层内。

进一步地，所述导热颗粒包括石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、银、铜、金或铝。

进一步地，所述制冷半导体单元包括金属下电极、金属上电极、n型半导体和p型半导体，所述金属下电极设置于靠近所述接触板底面一侧，用于吸收热量，所述金属上电极设置于靠近所述接触板顶面一侧，用于放出热量；

所述n型半导体经金属下电极与p型半导体相连，所述p型半导体经金属上电极与另一n型半导体相连。

进一步地，其特征在于，所述金属上电极上设置有散热孔。

本发明提供一种蒸镀设备，所述蒸镀设备包由上往下依次设置的磁板、本发明实施例任意一项所述的一种控温接触板、基板、掩膜板、蒸镀源。

所述蒸镀源包括坩埚和镀膜材料，所述镀膜材料设于坩埚内，所述所述接触板与基板水平贴合。

区别于现有技术，上述技术方案提供了一种控温接触板，所述的控温接触板包括了依次设置的接触板顶面、导热层和接触板底面，同时所述导热层之间设置有制冷半导体单元，所述制冷半导体单元通过导热层与所述接触板顶面与接触板底面相连。接触板底面在蒸镀过程中产生的热量会影响成品质量，在本方案中，接触板底面所产生的热量通过导热层将热能传导至制冷半导体单元。所述制冷半导体单元一侧因其温度要低于接触板底板以及与其所接触的导热层的温度，其将吸收所述接触板底面所产生的热量，通过制冷半导体单元另一侧、导热层以及接触板顶面将制冷半导体单元所吸收的热量释放，以此降低接触板底面温度。提升接触板的均匀散热效率，同时减小作业区域的温差以及形成团簇与结晶的概率。

附图说明

图1为实施例提供的蒸镀机成膜组件承载目标基板的结构示意图；

图2为实施例提供的现有技术接触板的结构示意图；

图3为实施例提供的控温接触板剖面结构示意图。

附图标记说明：

1、磁板；

2、接触板；

201、接触板顶面；

202、接触板底面；

203、导热层；

204、金属上电极；

205、金属下电极；

206、n型半导体；

207、p型半导体；

208、导热颗粒；

209、孔；

210、热端；

211、冷端

212、制冷半导体单元。

3、基板；

4、掩膜板；

5、坩埚；

6、镀膜材料；

7、蒸镀源。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1到图3，本实施例提供了一种控温接触板，所述接触板2包括依次设置的接触板顶面201、导热层203和接触板底面202。所述导热层203与接触板顶面201、接触板底面202水平贴合，所述导热层203内设置有制冷半导体单元212，所述制冷半导体单元212通过导热层203与所述接触板顶面201与接触板底面202相连，接触板顶面201设置有散热孔209，所述制冷半导体的冷端设置在靠近接触板2底面的一侧，所述制冷半导体的热端设置在靠近接触板2顶面的一侧，所述接触板2底面用于与基板3水平贴合。为了降低接触板底面202在作业时会产生温差从而影响成品质量，在本方案中，接触板底面202所产生的热量通过导热层203将热能传导至制冷半导体单元212。所述制冷半导体单元212一侧因其温度低于接触板底板以及与其所接触的导热层203的温度，其将吸收所述接触板底面202产生的热量，通过制冷半导体单元212另一侧、导热层203以及接触板顶面201将制冷半导体单元212所吸收的热量释放，以此降低接触板底面202温度。提升接触板2均匀散热的效率，同时减小接触板底面202、作业区域的温差以及降低团簇与结晶在膜上生成的概率。

为了进一步地提高所述导热层203的导热效率，请参阅图3，在本实施中，所述导热层203内还设置有导热颗粒208，所述导热颗粒208均匀设置于导热层203内。导热颗粒208为导热系数较大的材料制成，如石墨烯、碳纳米管、氧化铝、氧化镁、氧化锌、氮化铝、氮化硼、银、铜、金或着铝及其合金中的一种或者多种。所述导热颗粒208将进一步提升热传导效率，同时通过较高的导热系数，促进热量的转化。

在本实施例中，所述制冷半导体单元212包括金属下电极205、金属上电极204、n型半导体206和p型半导体207，所述金属下电极205设置于靠近所述接触板底面202一侧，用于吸收热量，称为冷端211；所述金属上电极204设置于靠近所述接触板顶面201一侧，用于放出热量，称为热端210。所述n型半导体206经金属下电极205与p型半导体207相连，所述p型半导体207经金属上电极204与另一n型半导体206相连，形成珀耳帖结构。n型半导体206与金属下电极205、以及p型半导体207与金属下电极205接触的部位吸收热量。n型半导体206与金属上电极204、以及p型半导体207与金属上电极204接触的部位释放热量。金属下电极205靠近基板3，用于吸收作业过程中基板3所传递的热量，而金属上电极204远离基板3，靠近接触板顶面201，用于释放冷端211所吸收的热量。

为了进一步地加快金属上电极204以及接触板顶面201释放热量的效率，在本实施例中，所述在远离基板3的接触板顶面201与金属上电极204上均设置有散热孔209。所述散热孔209通过增加接触面积等方式将提高释放热量的效率。其通过将接触板底面202将热能传导至导热层203以及金属下电极205后，在将热量经接触板顶面201、金属上电极204以及其上设置的散热孔释放。

请参阅图1，本发明提供还一种蒸镀设备，其特征在于，所述蒸镀设备包由上往下依次设置的磁板1、本发明实施例任意一项所述的一种控温接触板2、基板3、掩膜板4、蒸镀源7。所述蒸镀源7包括坩埚5和镀膜材料6，所述镀膜材料6设于坩埚5内，所述接触板2与基板3水平贴合。在本实施例中，坩埚5在所述蒸镀源7内，通过加热坩埚5，镀膜材料6从坩埚5内蒸镀至基板3上，形成目标膜层。接触板2上均匀分散着散热孔209，以便对蒸镀过程中的基板3进行散热。通过控制镀膜材料6成膜于基板3上时冷却温度的一致性以及所述接触板2均匀降温的特性，以此提高蒸镀膜层的均匀性。此外，镀膜材料6成膜于基板3上时冷却温度越低，材料原子由于基板3温度差异形成的团簇与结晶的概率就越小，越有利于减少基板3上沉积的目标膜层内部缺陷，从而提高膜层结构的稳定性，有利于器件的光电性能。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明专利的保护范围之内。