一种异形陶瓷二次金属化方法与流程

本发明属于电镀技术领域，尤其涉一种异形陶瓷二次金属化方法。

背景技术：

目前，一般采用电镀对陶瓷壳体的各个表面进行局部二次金属化，这些电镀方法通常包括：滚电镀、在化学镍中强制上镍、挂镀电镀、挂镀化学镍、滚化学镀等。由于异形陶瓷的壳体形状各异，壳体表面通常还设置了多个小孔，电镀过程中不好制作配套的挂具，通常采用化学镍强制上镍，或者绑铜丝进行滚镀，但这些方法均只能局限于小批量生产，无法实现规模化生产。用作继电器壳体的异形陶瓷，对气密性的要求较高，滚镀生成的金属镀层容易缺损，而且绑铜丝需人工操作，费时费力，还容易对镍层产生划痕。当对异形陶瓷的多个局部按顺序强制上镍时，由于存在时间差，会导致每个局部镍层厚度不一致，影响金属化后异形陶瓷的使用性能。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是，克服以上背景技术中提到的不足和缺陷，提供一种异形陶瓷二次金属化方法。

为解决上述技术问题，本发明提出的技术方案为：

一种异形陶瓷二次金属化方法，包括以下步骤：

对经钼锰烧结处理后的异形陶瓷依次进行超声波清洗、酸活化、沉钯、换挂、预浸镍、化学镀镍，经过清洗后得到表面二次金属化的异形陶瓷。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述沉钯的温度为20-30℃，沉钯的时间为2-3分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，沉钯液中含有浓度为40-60ppm的钯离子和浓度为1-2mol/l的硫酸。沉钯液中的提供钯离子的钯盐为硫酸钯，其余钯盐中的阴离子比如氯离子会影响镍对陶瓷的渗透，发生溢镀。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述预浸镀镍的镀镍液中含有浓度为50-120g/l的nah2po2.·h2o和浓度为100-150g/l的naoh。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述预浸镀镍的温度为40-60℃，时间为1-2分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述化学镀镍的镀镍液中含有浓度为90-110ml/l的mk689a、浓度为90-110ml/l的mk689b和浓度为180-240ml/l的mk689c。本发明中mk689a的主要成分是硫酸镍，镍离子的浓度为3-6g/l，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司；mk689b的主要成分是次亚磷酸钠，其浓度为10-15g/l，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司；mk689c的主要成分是络合剂，包括柠檬酸钠、苹果酸、丁二酸中的两种或三种，络合剂总含量为30-60g/l，生产厂家为广州麦吉柯电子材料有限公司。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述化学镀镍的温度为40-50℃，时间为40-60分钟。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述超声清洗在洗涤剂中进行，超声清洗的温度为50-60℃，时间为2-5分钟，超声清洗后再用去离子水清洗。洗涤剂一般选用洗洁精，洗洁精中含有壬基酚聚氧乙烯醚等表面活性剂，表面活性剂的含量为5-10ml/l。

上述的异形陶瓷二次金属化方法，优选的，所述酸活化在硫酸溶液中进行，硫酸的浓度为1-2mol/l，酸活化的温度为20-30℃，时间为30-60秒。

与现有技术相比，本发明的优点在于：

本发明的异形陶瓷二次金属化方法，通过控制协同控制沉钯和镀镍过程中的各项工艺参数，可以实现异形陶瓷的钼锰层能够上镍，而未包覆钼锰层的陶瓷表面不上镍，且工艺稳定，操作简单，生产效率高，适合大批量生产。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例1中二次金属化后得到的异形陶瓷的照片；

图2是本发明实施例2中二次金属化后得到的异形陶瓷的照片。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下文将结合说明书附图和较佳的实施例对本文发明做更全面、细致地描述，但本发明的保护范围并不限于以下具体实施例。

除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本发明的保护范围。

除非另有特别说明，本发明中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。

实施例1：

一种本发明的异形陶瓷二次金属化方法，包括以下步骤：

(1)对经钼锰烧结处理后、具有多孔结构的异形陶瓷进行超声清洗和酸活化，超声清洗在浓度为5ml/l的立白洗洁精中进行，超声清洗的温度为55℃，时间为5分钟，超声清洗后再用去离子水清洗；酸活化在硫酸溶液中进行，硫酸的浓度为1mol/l，酸活化的温度为25℃，时间为30秒；

(2)对步骤(1)后的异形陶瓷进行沉钯，沉钯的温度为25℃，沉钯的时间为1分钟，沉钯液中含有浓度为50ppm的钯离子和浓度为1mol/l的硫酸；

(3)换挂后将步骤(2)后的异形陶瓷进行预浸镍，镀镍液中含有浓度为120g/l的nah2po2.·h2o和浓度为100g/l的naoh，预浸镀镍的温度为55℃，时间为1分钟；

(4)将步骤(3)后的异形陶瓷进行化学镀镍，镀镍液中含有浓度为100ml/l的mk689a、浓度为100ml/l的mk689b和浓度为200ml/l的mk689c，mk689a、mk689b和mk689c的生产厂家均为广州麦吉柯电子材料有限公司，控制化学镀镍的温度为48℃，时间为45分钟；化学镀镍完成后，进行清洗后得到表面二次金属化的异形陶瓷，产品照片如图1所示，可以看出，异形陶瓷的钼锰层能够上镍，而未包覆钼锰层的陶瓷表面不上镍，且镍层厚度为2.5-4.0um。该方法工艺稳定，操作简单，钼锰层上镍效果好，可以大批量生产。

实施例2：

一种本发明的异形陶瓷二次金属化方法，包括以下步骤：

(1)对经钼锰烧结处理后、具有多孔结构的异形陶瓷进行超声清洗和酸活化，超声清洗在浓度为10ml/l的立白洗洁精中进行，超声清洗的温度为50℃，时间为2分钟，超声清洗后再用去离子水清洗；酸活化在硫酸溶液中进行，硫酸的浓度为2mol/l，酸活化的温度为30℃，时间为50秒；

(2)对步骤(1)后的异形陶瓷进行沉钯，沉钯的温度为25℃，沉钯的时间为2分钟，沉钯液中含有浓度为40ppm的钯离子和浓度为2mol/l的硫酸；

(3)换挂后将步骤(2)后的异形陶瓷进行预浸镍，镀镍液中含有浓度为100g/l的nah2po2.·h2o和浓度为150g/l的naoh，预浸镀镍的温度为50℃，时间为2分钟；

(4)将步骤(3)后的异形陶瓷进行化学镀镍，镀镍液中含有浓度为90ml/l的mk689a、浓度为110ml/l的mk689b和浓度为220ml/l的mk689c，mk689a、mk689b和mk689c的生产厂家均为广州麦吉柯电子材料有限公司，控制化学镀镍的温度为45℃，时间为42分钟；化学镀镍完成后，进行清洗后得到表面二次金属化的异形陶瓷，产品照片如图2所示，可以看出，异形陶瓷的钼锰层能够上镍，而未包覆钼锰层的陶瓷表面不上镍，且镍层的厚度为2.0-4.5um。该方法工艺稳定，操作简单，钼锰层上镍效果好，可以大批量生产。