一种CVD镀膜蒸发控制装置的制作方法

本实用新型属于cvd镀膜设备技术领域，具体地说是一种cvd镀膜蒸发控制装置。

背景技术：

真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件（金属、半导体或绝缘体）表面而形成薄膜的一种方法。例如，真空镀铝、真空镀铬等。

真空镀膜技术一般分为两大类，即物理气相沉积（pvd）技术和化学气相沉积（cvd）技术。其中化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有cvd和pvd两者特点的等离子化学气相沉积等。

传统的cvd镀膜工艺，通常包括蒸发仓、裂解仓和沉积仓，在蒸发仓内加热蒸发，然后输送到裂解仓内高温裂解，再进入到沉积仓内沉积成膜。为了保证沉积品质，需要对沉积过程中的压力进行控制。沉积压力不稳定，会导致沉积效率较差，材料浪费严重，成膜质量也差。现有的处理方式往往只是通过检测沉积仓的压力，然后来控制加热蒸发仓的温度，然而这种控制方式难以及时的调整压力，仍然难以保证沉积仓内的稳定压力。

技术实现要素：

为了解决上述的技术问题，本发明提供了一种cvd镀膜蒸发控制装置，压力控制更加精确，提升沉积效率和镀膜品质。

为了解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：

一种cvd镀膜蒸发控制装置，包括通过管路依次连接的加热蒸发室、裂解室和沉积室，所述加热蒸发室的输出侧装设有第一压力检测器，裂解室的输出侧装设有第二压力检测器，沉积室上设有第三压力检测器，第一压力检测器、第二压力检测器和第三压力检测器分别与控制器连接，控制器与加热蒸发室的加热设备连接，加热蒸发室还设有温度传感器，该温度传感器与控制器连接。

所述控制器还连接有报警器。

所述加热蒸发室与裂解室之间的管路上设有与控制器连接的电磁阀门。

所述裂解室与沉积室之间的管路上设有与控制器连接的电磁阀门。

所述控制器还连接有用于显示压力值的压力显示器。

所述控制器还连接有压力指示灯。

本实用新型通过对加热蒸发室、裂解室和沉积室的压力分别检测，实时控制加热蒸发室的加热温度，从而及时调整沉积室的压力，确保沉积室内的压力变化在允许范围内，提升沉积效率和镀膜品质。

附图说明

附图1为本实用新型连接原理示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

如附图1所示，本实用新型揭示了一种cvd镀膜蒸发控制装置，包括通过管路依次连接的加热蒸发室1、裂解室5和沉积室8，所述加热蒸发室1的输出侧装设有第一压力检测器3，裂解室5的输出侧装设有第二压力检测器6，沉积室8上设有第三压力检测器9，第一压力检测器3、第二压力检测器6和第三压力检测器9分别与控制器10连接，控制器10与加热蒸发室1的加热设备连接，加热蒸发室1还设有温度传感器2，该温度传感器2与控制器10连接。通过三个压力检测器分别检测不同阶段的气体压力，从而更加便于控制加热蒸发室的初始加热温度以及气体输出压力，从而精确的控制沉积室内的沉积压力。

所述控制器10还连接有报警器12，分别对三个压力检测器的压力上限值进行一个预先设定，当检测到的压力高大压力上限值后，控制器控制报警器进行报警，提供相关人员注意，及时采取相关措施。

所述加热蒸发室1与裂解室5之间的管路上设有与控制器10连接的电磁阀门4，可利用控制器实现电磁阀门的开度调整，开启和关闭的控制，确保气体输送的调整，达到压力的调整。同样，在裂解室5与沉积室8之间的管路上也设有与控制器10连接的电磁阀门7。

此外，所述控制器10还连接有用于显示压力值的压力显示器13，将检测到的压力值进行显示，便于查看。

所述控制器10还连接有压力指示灯11，该压力指示灯可为三色灯，具有红色灯、黄色灯和绿色灯。当检测到的压力正常时，显示绿色灯。当检测到的检测有变化时，显示黄色灯，当检测到的压力超过限值时，则显示红色灯，可以使工作人员更加清楚、直观的了解到当前的压力情况。

本实用新型中，根据镀膜要求，设定沉积室内的压力值，同时设定好压力变化范围的允许区间。当第三压力检测器检测到沉积室内的压力较大或者较小时，则直接反馈至控制器，控制器控制裂解室与沉积室之间的电磁阀门，实现较小开度，减少气体输送量，同时控制加热蒸发室的加热温度的控制。同时利用第二检测器检测裂解室输出侧的压力，再进而调整加热蒸发室的加热温度，从而达到控制加热蒸发室的输出气体的压力，实现每一阶段的压力检测，每一阶段的检测都返回到控制加热蒸发室的加热温度，有效保证沉积室的压力变化，提升沉积效率和镀膜品质。

需要说明的是，以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，但是凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。