一种第三代半导体材料抛光系统的制作方法

本实用新型涉及晶圆抛光系统技术领域，具体涉及一种第三代半导体材料抛光系统。

背景技术：

半导体材料是一类具有半导体性能，可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料，晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，抛光是指利用机械，化学或电化学的作用，使工件表面粗糙度降低，以获得光亮，平整表面的加工方法，是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工，传统的晶圆抛光，由抛光盘、抛光垫和压力盘，陶瓷盘上贴有晶圆，周边有抛光液。

当需要对抛光系统进行使用的情况下，由于抛光液一般为胶体二氧化硅，容易结晶，温度越高，结晶速度越快，抛光后产生热量，容易渗入抛光垫内并结晶，导致抛光垫变硬变光滑，降低抛光效率，需要人为的将抛光垫进行刷洗修正。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

为了克服现有技术不足，现提出一种第三代半导体材料抛光系统，解决了当需要对抛光系统进行使用的情况下，由于抛光液一般为胶体二氧化硅，容易结晶，温度越高，结晶速度越快，抛光后产生热量，容易渗入抛光垫内并结晶，导致抛光垫变硬变光滑，降低抛光效率，需要人为的将抛光垫进行刷洗修正的问题。

(二)技术方案

本实用新型通过如下技术方案实现：本实用新型提出了一种第三代半导体材料抛光系统，包括支柱、操作平台、抛光垫、废水收集区、抛光装置、连接管和高压水枪，所述支柱通过螺栓与操作平台锁紧固定，所述操作平台顶端面与抛光垫相互粘接，所述废水收集区嵌入于操作平台顶端中部，所述操作平台顶端面设置有抛光装置，所述操作平台顶部右端通过连接管与高压水枪相互贯通且接缝密封，所述抛光装置由连接柱、连接盘、压力盘、真空仓、陶瓷盘和晶圆组成，所述连接柱底端面与连接盘紧密固定，所述连接盘通过螺栓与压力盘锁紧固定，所述压力盘底端中部设置有真空仓，所述真空仓底端面与陶瓷盘相连接，所述陶瓷盘底端面通过强力胶与晶圆粘接配合，所述晶圆与抛光垫顶端面相互接触。

进一步的，所述连接管和高压水枪设置有两组，并且呈并列分布。

进一步的，所述抛光垫形状呈中空环状，并且表面呈光滑状。

进一步的，所述支柱形状呈圆柱体，并且顶端面设置有两个螺孔。

进一步的，所述连接盘顶端面设置有四个螺孔，并且螺孔直径为8mm。

进一步的，所述压力盘形状呈伞状，并且外径表面呈光滑状。

进一步的，所述废水收集区内壁设置有防水薄膜，并且防水薄膜厚度为2mm。

(三)有益效果

本实用新型相对于现有技术，具有以下有益效果：

为解决当需要对抛光系统进行使用的情况下，由于抛光液一般为胶体二氧化硅，容易结晶，温度越高，结晶速度越快，抛光后产生热量，容易渗入抛光垫内并结晶，导致抛光垫变硬变光滑，降低抛光效率，需要人为的将抛光垫进行刷洗修正的问题，通过设置了第三代半导体材料抛光系统，第三代半导体材料，抛光时间长，连续4到6小时，中间不进行维护，抛光垫不进行维护，就会直接报废，新工艺压力盘，压住陶瓷盘，压力盘上设置真空吸附，加工过程中，压力盘吸住陶瓷盘，操作平台附近设置高压水枪，对准抛光垫清洗，使用便捷，保证抛光效果，提高工作效率。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型前视内部的结构示意图；

图3为本实用新型抛光装置的结构示意图；

图4为本实用新型抛光装置前视内部的结构示意图。

图中：支柱-1、操作平台-2、抛光垫-3、废水收集区-4、抛光装置-5、连接管-6、高压水枪-7、连接柱-51、连接盘-52、压力盘-53、真空仓-54、陶瓷盘-55、晶圆-56。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参阅图1、图2、图3和图4，本实用新型提供一种第三代半导体材料抛光系统：包括支柱1、操作平台2、抛光垫3、废水收集区4、抛光装置5、连接管6和高压水枪7，支柱1通过螺栓与操作平台2锁紧固定，操作平台2顶端面与抛光垫3相互粘接，废水收集区4嵌入于操作平台2顶端中部，操作平台2顶端面设置有抛光装置5，操作平台2顶部右端通过连接管6与高压水枪7相互贯通且接缝密封，抛光装置5由连接柱51、连接盘52、压力盘53、真空仓54、陶瓷盘55和晶圆56组成，连接柱51底端面与连接盘52紧密固定，连接盘52通过螺栓与压力盘53锁紧固定，压力盘53底端中部设置有真空仓54，真空仓54底端面与陶瓷盘55相连接，陶瓷盘55底端面通过强力胶与晶圆56粘接配合，晶圆56与抛光垫3顶端面相互接触。

其中，所述连接管6和高压水枪7设置有两组，并且呈并列分布，保证清洗的范围。

其中，所述抛光垫3形状呈中空环状，并且表面呈光滑状，形状合适，便于操作。

其中，所述支柱1形状呈圆柱体，并且顶端面设置有两个螺孔，稳定性强，便于支撑。

其中，所述连接盘52顶端面设置有四个螺孔，并且螺孔直径为8mm，便于进行锁紧固定。

其中，所述压力盘53形状呈伞状，并且外径表面呈光滑状，形状合适，便于操作。

其中，所述废水收集区4内壁设置有防水薄膜，并且防水薄膜厚度为2mm，厚度适中，保证密封性。

工作原理：先将第三代半导体材料抛光系统放置于合适的位置，再将连接柱51与外界转动设备相连接，当需要所需抛光的材料进行抛光处理时，通过设置了第三代半导体材料抛光系统，第三代半导体材料，抛光时间长，连续4到6小时，中间不进行维护，抛光垫3不进行维护，就会直接报废，新工艺压力盘53，压住陶瓷盘55，压力盘53上设置真空仓54进行真空吸附，加工过程中，压力盘53吸住陶瓷盘，操作平台附近设置高压水枪7，通过连接管6通水至高压水枪7对准抛光垫3清洗，清洗后多余的水则排入废水收集区4进行收集，使用便捷，保证抛光效果，提高工作效率，解决了当需要对抛光系统进行使用的情况下，由于抛光液一般为胶体二氧化硅，容易结晶，温度越高，结晶速度越快，抛光后产生热量，容易渗入抛光垫3内并结晶，导致抛光垫3变硬变光滑，降低抛光效率，需要人为的将抛光垫3进行刷洗修正的问题，便可启动外界转动设备通过连接柱51上的连接盘52进行转动，连接盘52顶端面设置有四个螺孔，并且螺孔直径为8mm，便于进行锁紧固定，带动抛光装置5进行抛光工作。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,并且本实用新型使用到的标准零件均可以从市场上购买,异形件根据说明书的和附图的记载均可以进行订制,各个零件的具体连接方式均采用现有技术中成熟的螺栓铆钉、焊接等常规手段，机械、零件和设备均采用现有技术中,常规的型号,加上电路连接采用现有技术中常规的连接方式,在此不再详述。

对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。