溅射装置、以及半导体装置的制造方法与流程

本说明书公开的技术涉及溅射装置、以及半导体装置的制造方法。

背景技术：

在专利文献1中公开了通过mbe(molecularbeamepitaxy：分子束外延)法形成氧化镓膜的技术。

专利文献1：日本特开2006-108263号公报

一般而言，mbe法的成膜速度较慢。因此，在专利文献1的技术中，氧化镓膜的成膜速度较慢。本说明书中，提出了以较快的成膜速度形成氧化镓膜的技术。

技术实现要素：

本说明书公开的溅射装置使氧化镓膜在基板上成长。该溅射装置具有：腔室；基台，配置在上述腔室内且固定上述基板；镓靶，配置在上述腔室内且含有镓元素；第一电源，向上述镓靶施加电压；以及氧元素供给装置，向上述腔室内供给氧元素。

并且，上述氧元素既可以是氧元素单体，也可以是含氧化合物。此外，上述氧元素既可以是原子，也可以是分子，还可以是自由基。另外，上述镓元素既可以是镓元素单体，也可以是含镓化合物。而且，上述第一电源对上述镓靶施加的电压既可以是直流电压，也可以是交流电压(例如高频电压)。

当通过该溅射装置使氧化镓膜成长时，向镓靶施加电压而从镓靶释放镓元素。通过使从镓靶释放出的镓元素沉积在固定于基台的基板的表面上，使膜在基板的表面成长。另外，在成膜处理中，通过氧元素供给装置向腔室内供给氧元素。于是，氧元素被引入成长的膜中，氧化镓膜在基板的表面成长。这样，根据该溅射装置，能够通过溅射使氧化镓膜成长。由于溅射的成膜速度快，因此能够以较快的成膜速度形成氧化镓膜。

附图说明

图1是实施例1的溅射装置的结构图。

图2是示出氧自由基枪的rf电力与氧化镓膜中的n型载流子密度的关系的图表。

图3是实施例2的溅射装置的结构图。

图4是示出氧自由基枪的rf电力与氧化镓膜中的有效p型载流子密度的关系的图表。

图5是实施例4的溅射装置的结构图。

具体实施方式

【实施例1】

图1所示的实施例1的溅射装置10具有腔室(chamber)12。在腔室12的内部配置有基台14、靶16、磁体18、以及遮板(shutter)20。在基台14上能固定基板22。基板22以其上表面与基台14接触的方式被固定。溅射装置10使氧化镓膜在固定于基台14的基板22的下表面成长。基台14内置有加热器，能够加热基板22。靶16配置在与固定于基台14的基板22相对的位置。靶16由氧化镓的烧结体构成。当离子撞击靶16时，从靶16释放镓原子、氧化镓分子。通过将从靶16释放出的镓原子、氧化镓分子沉积在基板22的下表面，从而膜在基板22的下表面成长。靶16连接于设置在腔室12的外部的dc电源24。dc电源24对靶16施加直流电压。磁体18被配置在靶16的下侧。磁铁18是永磁铁。磁体18使靶16的上表面附近的空间在水平方向产生约800g的磁场。遮板20是板状的部件。遮板20经由支柱与旋转气缸26连接。旋转气缸26使遮板20旋转。通过旋转气缸26使遮板20旋转，从而遮板20在靶16的上部的位置(遮住靶16的位置)和不遮住靶16的位置之间移动。以下，将遮板20移动到遮住靶16的位置的动作称为关闭遮板20。另外，将遮板20移动到不遮住靶16的位置的动作称为打开遮板20。通过关闭遮板20，能够停止溅射处理。在关闭遮板20的状态下，遮板20与靶16之间的距离约为90mm。

溅射装置10具有氧气供给源40和氩气供给源50。氧气供给源40经由氧气供给管42与腔室12连接。氧气供给源40经由氧气供给管42向腔室12内供给氧气(o2气体)。氩气供给源50经由氩气供给管52与腔室12连接。氩气供给源50经由氩气供给管52向腔室12内供给氩气(ar气体)。

溅射装置10具有氧自由基枪60、自由基枪用氧气供给管62以及rf电源64。氧自由基枪60设置于腔室12的壁面。自由基枪用氧气供给管62从氧气供给管42分支。自由基枪用氧气供给管62的下游端与氧自由基枪60连接。自由基枪用氧气供给管62向氧自由基枪60供给氧气。rf电源64向氧自由基枪60供给rf电压(高频电压)。氧自由基枪60通过对从自由基枪用氧气供给管62供给的氧气施加rf电压来生成氧自由基。氧自由基枪60向腔室12内射出氧自由基。氧自由基枪60向固定于基台14的基板22的下表面射出氧自由基。rf电源64供给的rf电力越高，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量越多。

此外，在氧气供给管42、氩气供给管52和自由基枪用氧气供给管62分别适当地设置有阀和mfc(质量流量控制器)。通过各阀，可以开闭各供给管。另外，通过各mfc，可以将各供给管内的气体的流量控制为规定值。

溅射装置10具有排气管72、低温泵74以及干泵76。排气管72与腔室12连接。低温泵74和干泵76并联连接于排气管72。低温泵74和干泵76经由排气管72将腔室12内的气体向外部排出。干泵76是低真空用的泵，低温泵74是高真空用的泵。通过在使干泵76动作后使低温泵74动作，从而能够将腔室12内减压至高真空状态。

接下来，对使用溅射装置10使氧化镓膜在基板22的下表面成长的方法进行说明。可以将各种材料用于基板22的材料。以下，对将β型氧化镓用作基板22、基板22的下表面由(001)面构成的情况进行说明。首先，将基板22固定于基台14。接着，通过干泵76和低温泵74，对腔室12内进行减压，以使腔室12内成为1×10-5pa以下的气压。接着，使基台14内置的加热器动作，将基板22的温度控制为约800℃。然后，从氧气供给源40向腔室12内供给氧气，同时从氩气供给源50向腔室12内供给氩气。在此，将以2：1的比率混合氩气和氧气而得到的气体供给到腔室12内。然后，通过氧自由基枪60向基板22的下表面射出氧自由基。在此，以约300w的rf电力使氧自由基枪60进行动作。接着，通过dc电源24向靶16投入约1000w的电力。由此，在腔室12内产生等离子体。

然后，打开遮板20。于是，在等离子体中离子化后的氩撞击靶16，从靶16释放镓原子以及氧化镓分子。释放出的镓原子和氧化镓分子在基板22的下表面沉积。由此，膜在基板22的下表面成长。另外，从靶16释放出的镓原子与从氧自由基枪60射出的氧自由基及腔室12内存在的氧气反应而氧化。因此，氧化镓膜在基板22的下表面成长。

如上所述，根据实施例1的溅射装置10，能够形成氧化镓膜。可使用成长的氧化镓膜来制造半导体装置。采用溅射装置10，能够以较快的成膜速度使氧化镓膜成长。

对利用实施例1的方法成长的氧化镓膜进行了x射线衍射的分析，结果确认了由β型氧化镓构成氧化镓膜，氧化镓膜的下表面是(001)面。也就是说，确认了形成有从基板22结晶连续的氧化镓膜。另外，对成长的氧化镓膜进行了利用c-v测定的载流子密度分析，结果确认了氧化镓膜为n型，氧化镓膜中的n型载流子浓度为1×10^-15cm^-3以下。通常，在氧化镓的结晶中容易形成氧空孔(氧位点不存在氧原子的缺陷)。由于氧空孔作为施体发挥作用，因此若氧化镓的结晶度低，则氧化镓中的n型载流子密度变高。与此相对，在通过上述方法成长的氧化镓膜中，n型载流子密度低。确认了在成长的氧化镓膜中，氧空孔少，结晶度高。

图2示出投入氧自由基枪60的rf电力与氧化镓膜中的n型载流子密度的关系。如图2所示，rf电力越高，n型载流子密度越低。如上所述，rf电力越高，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量越多。另外，氧自由基的供给量越多，氧化镓膜中的氧空孔的密度越低。氧空孔的密度越低，氧化镓膜中的n型载流子密度越低。因此，如图2所示，可以认为rf电力越高，n型载流子密度越低。另外，可以认为从氧气供给管42向腔室12内的氧气的供给量越多，氧化镓膜中的氧空孔的密度越低，氧化镓膜中的n型载流子密度越低。这样，根据氧元素向腔室12内的供给量(即，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量以及来自氧气供给管42的氧气的流量)，能够控制氧化镓膜中的n型载流子密度。

如上所述，由于氧化镓膜中的n型载流子密度根据氧元素的供给量而变化，因此，通过在成膜处理中改变氧元素的供给量，从而能够连续形成n型载流子密度不同的多个氧化镓膜。例如，也可以设置在成膜处理中变更投入氧自由基枪60的rf电力的控制装置，连续形成n型载流子密度不同的多个氧化镓膜。另外，也可以在成膜处理中通过氧气供给管42变更供给到腔室12内的氧气的流量，并连续形成n型载流子密度不同的多个n型的氧化镓膜。

【实施例2】

图3示出实施例2的溅射装置。实施例2的溅射装置能够使p型氧化镓膜成长。如图3所示，实施例2的溅射装置具有氮自由基枪80、自由基枪用氮气供给管82、rf电源84以及氮气供给源86。实施例2的溅射装置的其它结构与实施例1的溅射装置10相同。

氮自由基枪80设置于腔室12的壁面。氮自由基枪80通过自由基枪用氮气供给管82与氮气供给源86连接。自由基枪用氮气供给管82向氮自由基枪80供给氮气(n2气体)。rf电源84向氮自由基枪80供给rf电压。氮自由基枪80通过对从自由基枪用氮气供给管82供给的氮气施加rf电压而生成氮自由基。氮自由基枪80向腔室12内射出氮自由基。氮自由基枪80向固定于基台14的基板22的下表面射出氮自由基。rf电源84供给的rf电力越高，氮自由基枪80供给的氮自由基的供给量越多。此外，在自由基枪用氮气供给管82中设置有阀和mfc。

对使用实施例2的溅射装置使氧化镓膜在基板22的下表面成长的方法进行说明。以下，对使用下表面由(001)面构成的氧化镓基板作为基板22的情况进行说明。首先，与实施例1同样地，执行使氧自由基枪60动作之前的处理。此外，在实施例2中，以约500w的rf电力使氧自由基枪60进行动作。接着，通过氮自由基枪80向基板22的下表面射出氮自由基。在此，以约50w的rf电力使氮自由基枪80动作。然后，通过dc电源24向靶16投入约1000w的电力。由此，在腔室12内产生等离子体。然后，打开遮板20。于是，从靶16释放镓原子和氧化镓分子，沉积在基板22的下表面。因此，与实施例1的情况同样地，氧化镓膜在基板22的下表面成长。

当氧化镓膜在基板22的下表面成长时，从氮自由基枪80射出的氮自由基被引入氧化镓膜中。因此，掺杂了氮的氧化镓膜成长。氮在氧化镓膜中作为受体发挥作用。因此，p型氧化镓膜成长。

对利用实施例2的方法成长的氧化镓膜进行了利用sims的元素分析，结果确认了氮原子以1×10¹⁸cm^-3的浓度被引入到氧化镓膜中。另外，对成长的氧化镓膜进行了x射线衍射的分析，结果确认了氧化镓膜由β型氧化镓构成，其下表面为(001)面。也就是说，确认了形成有从基板22结晶连续的氧化镓膜。另外，对成长的氧化镓膜进行了利用c-v测定的载流子密度分析，结果v与c²示出正比例关系，发现p型的倾向。如此，根据实施例2的溅射装置，能够形成p型的氧化镓膜。

此外，在实施例2中，也能够通过向腔室12内供给的氧元素的供给量(即，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量、以及来自氧气供给管42的氧气的流量)，来控制氧化镓膜中的氧空孔的密度。由于氧空位作为施体发挥作用，因此在p型的氧化镓膜中，氧空位的密度越高，p型载流子的密度越低。因此，能够根据向腔室12内供给的氧元素的供给量来调整p型载流子的密度。另外，在成膜处理中通过变更向腔室12内供给的氧元素的供给量，从而可以连续形成有效p型载流子密度不同的多个p型的氧化镓膜。

此外，在上述实施例2中，通过氮自由基枪80向腔室12内供给氮元素。然而，替换氮自由基枪80或在氮自由基枪80的基础上，实施例2中的溅射装置还可以具有用于向腔室12内供给氮气(n2)的氮气供给管。当向腔室12内供给氮气时，由于氮原子从氮气被引入氧化镓膜中，因此能够形成p型的氧化镓膜。

此外，在实施例2的溅射装置中，在成膜处理中，也可以通过变更向腔室12内供给的氮元素的供给量(即，氮自由基、氮气的供给量)，从而连续形成有效p型载流子密度不同的多个p型氧化镓膜。

【实施例3】

实施例3的溅射装置使用添加有氧化锌(zno)的氧化镓结晶体作为靶16。在靶16中以0.1wt％的浓度混炼有zno。实施例3的溅射装置的其它结构与实施例1的溅射装置10相同。

对使用实施例3的溅射装置使氧化镓膜在基板22的下表面成长的方法进行说明。以下，对使用下表面由(001)面构成的氧化镓基板作为基板22的情况进行说明。与实施例1同样地，执行打开遮板20之前的处理。此外，在实施例3中，使氧自由基枪60以约500w的rf电力进行动作。当打开遮板20时，从靶16释放的镓原子和氧化镓分子在基板22的下表面沉积，氧化镓膜在基板22的下表面成长。进而，从靶16释放锌原子。从靶16释放出的锌原子被引入氧化镓膜中。因此，掺杂有锌的氧化镓膜成长。锌在氧化镓膜中作为受体发挥作用。因此，p型氧化镓膜成长。

对利用实施例3的方法成长的氧化镓膜进行了利用sims的元素分析，结果确认了锌原子以1×10²⁰cm^-3的浓度被引入在氧化镓膜中。另外，对成长的氧化镓膜进行了x射线衍射的分析，结果确认了氧化镓膜由β型氧化镓构成，其下表面为(001)面。也就是说，确认了形成有从基板22结晶连续的氧化镓膜。另外，对成长的氧化镓膜进行了利用c-v测定的载流子密度分析，结果v与c²示出正比例关系，发现p型的倾向。如上所述，根据实施例3的溅射装置，能够形成p型的氧化镓膜。

图4示出投入氧自由基枪60的rf电力与氧化镓膜中的有效p型载流子密度的关系。如图4所示，rf电力越高，有效p型载流子密度越高。如上所述，rf电力越高，由氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量越多。另外，氧自由基的供给量越多，氧化镓膜中的氧空孔的密度越低。由于氧空位在氧化镓膜中作为施体而发挥作用，所以在p型的氧化镓膜中，氧空位密度越低，有效p型载流子密度越高。因此，如图4所示，可以认为rf电力越高，有效p型载流子密度越高。另外，可以认为从氧气供给管42向腔室12内供给的氧气的供给量越多，氧化镓膜中的氧空孔的密度越低，氧化镓膜中的有效p型载流子密度越高。这样，根据向腔室12内供给的氧元素的供给量(即，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量、以及来自氧气供给管42的氧气的流量)，能够控制氧化镓膜中的有效p型载流子密度。另外，在成膜处理中通过变更向腔室12内供给的氧元素的供给量，从而可以连续形成有效p型载流子密度不同的多个p型的氧化镓膜。

另外，虽然在实施例3中在靶16中含有氧化锌，但在氧化镓膜中也可以含有可掺杂受体的其它物质。例如，也可以在靶16中含有钙、锌、镁、铜、铁等受体元素或者这些受体元素的化合物。此外，在靶16中也可以以0.01～5wt％的浓度含有可掺杂受体的物质。

【实施例4】

图5示出实施例4的溅射装置。实施例4的溅射装置能够使p型氧化镓膜成长。如图5所示，实施例4的溅射装置具有靶90、磁铁92、遮板94、dc电源96和旋转气缸98。实施例4的溅射装置的其它结构与实施例1的溅射装置10相同。

靶90设置于腔室12内。靶90配置于靶16的旁边，并配置于与固定于基台14的基板22相对的位置。靶90由氧化锌(zno)的烧结体构成。当离子撞击靶90时，从靶90释放锌原子。靶90与配置在腔室12的外部的dc电源96连接。dc电源96对靶90施加直流电压。也就是说，与针对靶16的dc电源24分开设置针对靶90的dc电源96。因此，能够与对靶16的投入电力独立地控制对靶90的投入电力。磁铁92配置在靶90的下侧，使在靶90的上表面附近的空间沿水平方向产生磁场。遮板94为板状的部件，通过旋转气缸98而旋转。旋转气缸98对遮板94进行开闭。

对使用实施例4的溅射装置使氧化镓膜在基板22的下表面成长的方法进行说明。以下，对使用下表面由(001)面构成的氧化镓基板作为基板22的情况进行说明。首先，与实施例1同样地，通过dc电源24执行向靶16投入约1000w的电力之前的处理。此外，在实施例4中，使氧自由基枪60以约500w的rf电力进行动作。通过向靶16投入电力而在靶16上产生等离子体。接着，通过dc电源96向靶90投入约1000w的电力。由此，在靶90上产生等离子体。接着，打开两个遮板20、94。于是，离子化后的氩撞击靶16，从靶16释放镓原子和氧化镓分子。同时，离子化后的氩撞击靶90，从靶90被释放锌原子。释放出的镓原子和氧化镓分子在基板22的下表面沉积。由此，氧化镓膜在基板22的下表面成长。另外，从靶90释放出的锌原子被引入氧化镓膜中。因此，掺杂有锌的氧化镓膜成长。锌在氧化镓膜中作为受体而发挥作用。因此，p型氧化镓膜成长。

对利用实施例4的方法成长的氧化镓膜进行了利用sims的元素分析，结果确认了锌原子以5×10¹⁹cm^-3的浓度被引入在氧化镓膜中。另外，对成长的氧化镓膜进行了x射线衍射的分析，结果确认了氧化镓膜由β型氧化镓构成，其下表面为(001)面。也就是说，确认了形成有从基板22结晶连续的氧化镓膜。另外，对成长的氧化镓膜进行了利用c-v测定的载流子密度分析，结果v与c²示出正比例关系，发现p型的倾向。如此，根据实施例4的溅射装置，能够形成p型的氧化镓膜。

在实施例4的溅射装置中，可以与投入靶材16的电力独立地控制投入靶材90的电力。因此，能够独立地控制向基板22的下表面供给的锌原子的量。因此，能够将成长的氧化镓膜中的p型杂质浓度控制为任意值。

此外，即使在实施例4中也能够根据向腔室12内供给的氧元素的供给量(即，氧自由基枪60供给的氧自由基的供给量、以及来自氧气供给管42的氧气的流量)来控制氧化镓膜中的氧空孔的密度。由于氧空位作为施体发挥作用，因此在p型的氧化镓膜中，氧空位的密度越高，p型载流子的密度越低。因此，能够根据向腔室12内供给的氧元素的供给量来调整p型载流子的密度。另外，也可以通过在成膜处理中变更向腔室12内供给的氧元素的供给量，从而连续形成有效p型载流子密度不同的多个p型的氧化镓膜。

另外，虽然在实施例4中在靶90中含有氧化锌，但在氧化镓膜中也可以含有可掺杂受体的其它物质。例如，也可以在靶90中含有钙、锌、镁、铜、铁等受体元素或者这些受体元素的化合物。

此外，虽然在上述实施例4中同时打开遮板20和遮板94，但也可以交替地打开遮板20和遮板94。根据该结构，能够形成将氧化镓膜和氧化锌膜交替层叠而成的膜。

此外，上述实施例1～4的溅射装置具有氧自由基枪60和氧气供给管42作为向腔室12内供给氧元素的单元。但是，向腔室12内供给氧元素的单元也可以仅为氧自由基枪60和氧气供给管42中的任一个。另外，也可以取代氧气(o2气体)而将臭氧气体(o3气体)供给到腔室12内。此外，还可以将含有其它氧原子的气体供给到腔室12内。

此外，虽然在上述实施例1～4中基板22由氧化镓构成，但基板22也可以由其它物质构成。

另外，虽然在上述实施例1～4中向腔室12内供给氩气作为溅射气体，但溅射气体也可以是其它惰性气体。作为溅射气体，也可以使用氦、氩、氪、氙或包含它们中的至少一种的混合气体。

而且，虽然在上述实施例中对各靶施加直流电压，但也可以对各靶施加高频电压。

对上述实施例的构成要素与权利要求的构成要素的关系进行说明。实施例1～4的靶16是权利要求的镓靶的一例。实施例1～4的dc电源24是权利要求的第一电源的一例。实施例1～4的氧自由基枪60和氧气供给管42是权利要求的氧元素供给装置的一例。实施例2的氮自由基枪80是权利要求的氮元素供给装置的一例。与实施例2关联地说明的向腔室12内供给氮气的氮气供给管也是权利要求的氮元素供给装置的一例。权利要求4的靶90是权利要求的受体靶的一例。

以下列出本说明书所公开的技术要素。此外，以下的各技术要素是各自独立地有用的要素。

在本说明书所公开的一例的溅射装置中，氧元素供给装置也可以向腔室内供给氧自由基。

另外，在本说明书所公开的另一例的溅射装置中，氧元素供给装置也可以向腔室内供给含氧气体。此外，含氧气体是含有氧原子的气体，含有氧气(o2气体)、臭氧气体(o3气体)等。

此外，溅射装置也可以具有供给氧自由基的氧元素供给装置和供给含氧气体的氧元素供给装置这两者。

在本说明书所公开的一例的溅射装置中，也可以进一步具有向腔室内供给氮元素的氮元素供给装置。

氮在氧化镓膜中作为受体而发挥作用。如果向腔室内供给氮元素，则氮元素被引入氧化镓膜中，能够使氧化镓膜p型化。

在本说明书所公开的一例的溅射装置中，氮元素供给装置也可以向腔室内供给氮自由基。

另外，在本说明书所公开的另一例的溅射装置中，氮元素供给装置也可以向腔室内供给氮气。

此外，溅射装置也可以具有供给氮自由基的氮元素供给装置和供给氮气的氮元素供给装置这两者。

在本说明书所公开的一例的溅射装置中，镓靶也可以含有在氧化镓中成为受体的元素。

当镓靶含有在氧化镓中成为受体的元素(受体元素)时，该受体元素被引入氧化镓膜中。因此，能够使氧化镓膜p型化。

本说明书所公开的一例的溅射装置也可以进一步具有受体靶和第二电源，该受体靶配置在腔室内且含有在氧化镓中成为受体的元素，该第二电源对受体靶施加电压。此外，第二电源施加于受体靶的电压既可以是直流电压，也可以是交流电压(例如高频电压)。

当存在受体靶时，由受体靶产生的元素(受体元素)被供给基板的表面，该受体元素被引入氧化镓膜中。因此，能够使氧化镓膜p型化。另外，由于能够将施加给镓靶的电压(第一电源的施加电压)和施加给受体靶的电压(第二电源的施加电压)设为不同的电压，因此能够单独地控制向基板的表面供给的镓元素的量和受体元素的量。因此，能够将氧化镓膜中的受体元素的浓度控制为期望的浓度。

本说明书所公开的一例的溅射装置还可以具有供给量控制装置，该供给量控制装置在成膜处理中变更氧元素供给装置向腔室内供给的氧元素的量。

在氧化镓膜中，在氧位点形成不填充氧的氧空孔。氧化镓膜中的氧空孔作为施体而发挥作用。如果成膜处理中的氧元素的供给量多，则氧空孔变少，氧化镓膜中的n型载流子浓度变低。例如，在使n型的氧化镓膜成长的情况下，向腔室内的氧元素的供给量越少，氧空孔的密度越高，氧化镓膜中的n型载流子浓度越高。另外，在使p型的氧化镓膜成长的情况下，n型杂质(氧空孔)成为针对p型杂质的反掺杂。因此，在使p型的氧化镓膜成长的情况下，向腔室内供给的氧元素的供给量越少，氧空孔的密度越高，氧化镓膜中的p型载流子浓度越低。这样，成长的氧化镓膜的特性根据向腔室内供给的氧元素的供给量而变化。通过如上述那样在成膜处理中变更氧元素的供给量，从而能够连续地成膜特性不同的多个氧化镓膜。

此外，在本说明书中，提供了半导体装置的制造方法。本说明书所公开的一例的制造方法通过氧元素供给装置向腔室内供给氧元素同时通过第1电源对镓靶施加电压，并使从镓靶产生的镓元素沉积在固定于基台的基板的表面，从而使氧化镓膜在基板的表面成长。

根据该制造方法，能够以较快的成膜速度形成氧化镓膜。

另外，在本说明书所公开的一例的制造方法中，也可以在成膜工序中变更氧元素供给装置向腔室内供给的氧元素的量。

通过这样变更氧元素的供给量，从而能够连续地将特性不同的多个氧化镓膜成膜。

以上对本实施方式进行了详细说明，但这些仅为例示，并不限定权利要求书保护的范围。权利要求书所记载的技术包括将以上所例示的具体例进行各种变形、变更后的内容。本说明书或说明书附图中所说明的技术要素能够单独或者通过各种组合而发挥其技术效用，并不限定于申请时权利要求记载的组合。另外，本说明书或说明书附图所例示的技术同时实现了多个目的，但对于仅实现其中一个目的这一点而言也具有技术效果。

标号的说明

10：溅射装置；12：腔室；14：基台；16：靶；18：磁铁；20：遮板；22：基板；24：dc电源；26：旋转气缸；40：氧气供给源；42：氧气供给管；50：氩气供给源；52：氩气供给管；60：氧自由基枪；62：自由基枪用氧气供给管；64：rf电源。